LRDIMM

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負荷低減DIMM（LRDIMM）でサーバパフォーマンスを高める

LRDIMMはRDIMMよりも高い集積度をサポートしており、チャンネルあたりにより多くのDIMMを追加することができます。その結果とは? より高い集積度でより高い帯域幅が可能になります。

拡張したメモリ容量
標準のRDIMMがデュアルランクやクアッドランクバージョンにマルチロードをかけ、データバスにロードできるデータ量を制限するのに対して、当社の負荷低減DIMM（LRDIMM）は、特殊設計のバッファの採用により、データ負荷をシングルロードまで（最大8ランクDIMM）低減します。LRDIMMの実装により、チャンネルごとのDIMMを増加し、システムのメモリ容量とデータ転送速度の向上が可能になります。And because our LRDIMMs are designed using Micron’s low-power, 2Gb and 4Gb-based, 42nm DDR3 chips, which reduces module chip count, they offer more cost-effective and efficient means to scale server memory capacity and performance, while also reducing the power levels.

LRDIMM製品情報と関連資料
業界トップの品質
当社ではDDR3コンポーネントと完成したモジュールの双方を製造しているため、製造プロセスの各段階で慎重にLRDIMMのテストを行なうことができます。さらに当社は、バッファのサプライヤーおよびサーバのOEMと緊密に協力しあい、複数のサーバプラットフォームで当社のLRDIMMが機能することを保証しています。

  特徴 メリット
集積度 4-32GB High module density (and more DIMMs per channel) enables up to three times more memory density per server
供給電圧 1.35V
1.5V		 Low-voltage DDR3 supports better power efficiency
Data Rate 1067 MT/s
1333 MT/s		 High data rates combine with three DIMMs per channel to enable up to 57% higher bandwidth
Temperature Range 0° to +95° Increased operating ranges for optimum functionality in temperature extremes
Form Factors VLP, LP Low-profile module options optimize server board space and airflow

タイプ 安全性 題名および説明 ID番号 更新日 サイズ
Thermal Applications: マイクロンのコンポーネントおよびモジュールが最大許容温度を超えないようにするための一般方法や条件を定義します。 TN-00-08 05/2010 252.18 KB
Recommended Soldering Parameters: マイクロン テクノロジー製品に推奨されるはんだ付けテクニックやパラメータを定義します。 TN-00-15 03/2007 69.09 KB
Uprating of Semiconductors for High-Temperature Applications: 温度の改良やコンポーネント使用にかかわるリスク、製造元の環境仕様外のシステムに関連する問題を説明します。 TN-00-18 05/2010 428.33 KB
Understanding Signal Integrity: 新製品のコンセプトから製造中止を通じてメモリーデザインやテスト、確認ツールを最大限に利用する方法を説明します。 TN-00-20 12/2009 1.52 MB
Memory Module Serial Presence-Detect: Describes how SPD is essential in helping to standardize the configuration, timing, and manufacturing information of memory modules TN-04-42 12/2009 505.83 KB
Comparing Module Parameters: Compares module parameters. TN-04-49 03/2003 52.71 KB
High-Speed DRAM Controller Design: Identifies and discusses five key areas of DRAM controller design TN-04-54 04/2008 1 MB
DRAM Module Form Factors: Compares the most common DRAM module form factors TN-04-55 09/2009 435.56 KB
Module Pinout Decoder: Provides sorted pin assignment tables and pin location figures for use in DDR2 DIMM signal identification, tracing, and troubleshooting TN-47-03 12/2004 215.46 KB
Module Part Numbering Systems: Part numbering guides for Micron DDR4, DDR3, DDR, DDR, and SDRAM modules. 04/2012 50.52 KB
PCN/EOL Systems: マイクロン社製品の変更通知や製造中止システムについて説明します。 CSN-12 04/2012 79.21 KB
Wafer Packaging and Packaging Materials: マイクロン社製品の発送に使用される各材料についての配送およびリサイクルに関する総合情報を提供します。 CSN-20 09/2011 776.24 KB
Bare Die SiPs and MCMs: ベアダイSiPおよびMCMに対するデザインの考えを説明します。 CSN-18 04/2009 151.06 KB
Shipping Quantities: 部品数の表を提供します。 CSN-04 04/2012 472.27 KB
Micron KGD Definitions: マイクロン社製KGD-C1およびKGD-C2 DRAMダイのテスト仕様とパラメータを説明します。 CSN-22 07/2009 65.52 KB
Proper Handling Procedures for Modules: モジュールを正しく扱う方法が含まれます。 CSN-23 12/2007 1.02 MB
Micron Component and Module Packaging: マイクロン社のパッケージラベルと手順について説明します。 CSN-16 02/2012 887.13 KB
ESD Precautions for Die/Wafer Handling and Assembly: 生産コストの削減に繋がる、作業環境においてESDを制御することのメリット（高い生産性や向上した品質と信頼性を含む）を説明します。 CSN-24 08/2010 119.08 KB
Electronic Data Interchange: EDI送信セット、プロトコルおよび問い合わせ先を説明します。 CSN-06 09/2005 53.5 KB
RMA Procedures for Packaged Product and Bare Die Devices: 標準の返品承認（RMA）手順と、ベアダイのRMAに関する違いをまとめています。 CSN-07 10/2010 82.64 KB
ISO System Management Standards: ISOシステム管理基準について説明します。 CSN-08 04/2004 39.18 KB
Competitive DDR Memory Subsystems: DDR milestones and platform design 12/2009 2.64 MB
DDR System Design Considerations: DDR overview 12/2009 3.46 MB
The Future of Memory and Storage: メインメモリとFlashメモリの傾向についての概要 12/2009 1.54 MB
Design Guide for Two DDR3-1066 UDIMM Systems: Rev. B, Design guide to assist board designers implementing products using UDIMM systems TN-41-08 01/2010 1.1 MB
Moisture Absorption in Plastic Packages: Describes shipping procedures for preventing memory devices from absorbing moisture and recommendations for baking devices exposed to excessive moisture TN-00-01 02/2010 87.26 KB
Accelerate Design Cycles with Simulation Models: マイクロンでは、レイアウトの前に新しいデザインを確認するのに必要なツールとガイドラインを提供します。本テクニカルノートではソフトウェア モデルのサポート、シグナル インテグリティの最適化および倫理回路デザインについて説明します。 TN-00-09 02/2010 206.91 KB
Micron Wire-Bonding Techniques: 本テクニカルノートでは、マイクロン社製品のニッケル パラジウム（NiPd）およびアルミニウム（Al）両方に対するワイヤボンディング テクニックのガイダンスを提供します。 TN-00-22 11/2010 66.13 KB
Micron BGA Manufacturer's User Guide: 最新型および旧型両方のマイクロン社ボール グリッド アレイ（BGA）パッケージを製造プロセスに簡単に統合できる情報をお客様に提供します。通常のパッケージ関連および製造行程の実践を説明した高レベルなガイドラインと参照マニュアルがセットになっています。 CSN-33 07/2011 353.32 KB
Proper Handling Procedures for Micron DIMMs:  12/2009 396.18 KB
Proper Installation Procedures for Micron DIMMs:  12/2009 419.89 KB
Proper Handling of Micron DIMMs - Japanese:  12/2009 453.96 KB
Proper Installation of Micron DIMMs - Japanese:  12/2009 394.2 KB
Proper Handling of Micron DIMMs - Simplified Chinese:  12/2009 482.47 KB
Proper Installation of Micron DIMMs - Simplified Chinese:  12/2009 592.58 KB
Proper Handling of Micron DIMMs - Spanish:  12/2009 461.82 KB
Proper Installation of Micron DIMMs - Spanish:  12/2009 546.81 KB
Proper Handling of Micron DIMMs - Traditional Chinese:  12/2009 539.92 KB
Proper Installation of Micron DIMMs - Traditional Chinese:  12/2009 758.93 KB
Product Marks/Product and Packaging Labels: 製品の部品マーキングと製品およびパッケージラベルについて説明します。 CSN-11 04/2012 724.89 KB
Bypass Capacitor Selection for High-Speed Designs: 高速デザインに対するバイパス コンデンサの選択について説明します。 TN-00-06 03/2011 481.9 KB

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Is there a set of trace lengths and routing rules that are standard for use when designing a system that uses a specific module technology and form factor?
No. A robust memory subsystem design that includes the use of one or more memory modules must be simulated in order to determine the optimum trace lengths and terminations.However, our design guides such as TN-47-01 and TN-41-08 have some best practices and design examples based on some typical system assumptions.This information does not define the only way your system can be designed; it is a starting point and, moreover, an example of steps that can be taken to determine the best design for your system.
Can Vtt and Vref be supplied by the same supply in my system design?
With proper decoupling, this can be an acceptable design.However, Micron recommends separating all supplies.VREF tends to have more noise on it because it supplies signals that are regularly switching.A robust design typically would not connect these supplies due to the possibility of introducing this noise onto the VTT plane, which should be as stable as possible.Additionally, VREF requires much less current than VTT.

LRDIMM

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