RDIMM

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グローバル インフラ ストラクチャ用のメモリ

レジスタードDIMMは、世界中で何千ものデザインを成功に導いてきた主流のメモリ モジュール ソリューションです。

data plane

多くのアプリケーションに貢献するRDIMMの技術革新

業界トップの信頼性
当社のRDIMMは、業界で最も信頼できるメモリコンポーネントを使って生産されています。RDIMMのレジスタ、バッファ、ECCのような機能により、デバイスとシステムの双方のレベルでデータ整合性を保証しています。

 

RDIMM製品カタログと関連資料

豊富な容量オプション
当社のRDIMMはモジュールの製造と開発の主流を代表しており、128MB～16GBの非常に広範囲な容量オプションを提供できます。

拡張した温度範囲
当社のRDIMMは、0°C～+95°Cの温度で動作可能なものも含めて広い動作範囲を持っており、厳しい環境下でのアプリケーション動作に役立ちます。

RoHSオプション
当社はRoHS 6/6準拠のRDIMMはもちろんのこと、例外扱いとなるアプリケーションを対象とする業界向けに5/6に準拠した製品一式も用意しており、お客様が必要なときに必要なソリューションを提供しています。

シミュレーション モデルとその他オンラインデザインサポート
マイクロンのお客様は業界の中でも経験豊かなフィールド アプリケーション エンジニアを利用できますが、当社はさらに以下も含めた、時間の節約につながるオンライン サポート ツールを無料で提供しています。
  • 使いやすいデータシート
  • 詳細なテクニカルノート
  • シミュレーション モデル
  • オンライン開発ツール（たとえばSPDデータテーブル）
当社の熱および電気のシミュレーション モデルにより、お客様はご自身のデザインに最適なモジュールオプションはどれか検証できます。当社のデータ シートは最新のXML基準のオーサリング テクノロジを使って作成されていますので、半導体業界の中でもタイムリーで的確な資料を提供できます。それぞれの資料とツールについては、個別のモジュール製品のページをご覧ください。


信頼できる品質
メモリコンポーネントの設計から、製造プロセスの各段階での慎重なテストにいたるまで、当社はメモリ モジュール製造を最初から最後まで一貫して行なっています。当社は基板メーカーと業界組織と共同し、一流のテクノロジを規定、開発しています。当社のメモリの開発と製造のあらゆる段階での関与により、当社のお客様には常に最高品質のモジュールを提供できます。

特徴 メリット
Wide Density Range 128MB–16GB
Flexible Configuration Available single- or dual-rank support
PLL Provides better signal integrity to each component on the module
シミュレーション モデル Our convenient thermal and electrical simulation models are available online for easy download

タイプ 安全性 題名および説明 ID番号 更新日 サイズ
Thermal Applications: マイクロンのコンポーネントおよびモジュールが最大許容温度を超えないようにするための一般方法や条件を定義します。 TN-00-08 05/2010 252.18 KB
Recommended Soldering Parameters: マイクロン テクノロジー製品に推奨されるはんだ付けテクニックやパラメータを定義します。 TN-00-15 03/2007 69.09 KB
Uprating of Semiconductors for High-Temperature Applications: 温度の改良やコンポーネント使用にかかわるリスク、製造元の環境仕様外のシステムに関連する問題を説明します。 TN-00-18 05/2010 428.33 KB
Understanding Signal Integrity: 新製品のコンセプトから製造中止を通じてメモリーデザインやテスト、確認ツールを最大限に利用する方法を説明します。 TN-00-20 12/2009 1.52 MB
Memory Module Serial Presence-Detect: Describes how SPD is essential in helping to standardize the configuration, timing, and manufacturing information of memory modules TN-04-42 12/2009 505.83 KB
Comparing Module Parameters: Compares module parameters. TN-04-49 03/2003 52.71 KB
High-Speed DRAM Controller Design: Identifies and discusses five key areas of DRAM controller design TN-04-54 04/2008 1 MB
DRAM Module Form Factors: Compares the most common DRAM module form factors TN-04-55 09/2009 435.56 KB
DDR3 RDIMMs Channel: Basics, topology, simulations, and timing 12/2009 1.15 MB
Module Pinout Decoder: Provides sorted pin assignment tables and pin location figures for use in DDR2 DIMM signal identification, tracing, and troubleshooting TN-47-03 12/2004 215.46 KB
Module Part Numbering Systems: Part numbering guides for Micron DDR4, DDR3, DDR, DDR, and SDRAM modules. 04/2012 50.52 KB
PCN/EOL Systems: マイクロン社製品の変更通知や製造中止システムについて説明します。 CSN-12 04/2012 79.21 KB
Wafer Packaging and Packaging Materials: マイクロン社製品の発送に使用される各材料についての配送およびリサイクルに関する総合情報を提供します。 CSN-20 09/2011 776.24 KB
Bare Die SiPs and MCMs: ベアダイSiPおよびMCMに対するデザインの考えを説明します。 CSN-18 04/2009 151.06 KB
Shipping Quantities: 部品数の表を提供します。 CSN-04 04/2012 472.27 KB
Micron KGD Definitions: マイクロン社製KGD-C1およびKGD-C2 DRAMダイのテスト仕様とパラメータを説明します。 CSN-22 07/2009 65.52 KB
Proper Handling Procedures for Modules: モジュールを正しく扱う方法が含まれます。 CSN-23 12/2007 1.02 MB
Micron Component and Module Packaging: マイクロン社のパッケージラベルと手順について説明します。 CSN-16 02/2012 887.13 KB
ESD Precautions for Die/Wafer Handling and Assembly: 生産コストの削減に繋がる、作業環境においてESDを制御することのメリット（高い生産性や向上した品質と信頼性を含む）を説明します。 CSN-24 08/2010 119.08 KB
Electronic Data Interchange: EDI送信セット、プロトコルおよび問い合わせ先を説明します。 CSN-06 09/2005 53.5 KB
RMA Procedures for Packaged Product and Bare Die Devices: 標準の返品承認（RMA）手順と、ベアダイのRMAに関する違いをまとめています。 CSN-07 10/2010 82.64 KB
ISO System Management Standards: ISOシステム管理基準について説明します。 CSN-08 04/2004 39.18 KB
Competitive DDR Memory Subsystems: DDR milestones and platform design 12/2009 2.64 MB
DDR System Design Considerations: DDR overview 12/2009 3.46 MB
The Future of Memory and Storage: メインメモリとFlashメモリの傾向についての概要 12/2009 1.54 MB
Design Guide for Two DDR3-1066 UDIMM Systems: Rev. B, Design guide to assist board designers implementing products using UDIMM systems TN-41-08 01/2010 1.1 MB
Moisture Absorption in Plastic Packages: Describes shipping procedures for preventing memory devices from absorbing moisture and recommendations for baking devices exposed to excessive moisture TN-00-01 02/2010 87.26 KB
Accelerate Design Cycles with Simulation Models: マイクロンでは、レイアウトの前に新しいデザインを確認するのに必要なツールとガイドラインを提供します。本テクニカルノートではソフトウェア モデルのサポート、シグナル インテグリティの最適化および倫理回路デザインについて説明します。 TN-00-09 02/2010 206.91 KB
Micron Wire-Bonding Techniques: 本テクニカルノートでは、マイクロン社製品のニッケル パラジウム（NiPd）およびアルミニウム（Al）両方に対するワイヤボンディング テクニックのガイダンスを提供します。 TN-00-22 11/2010 66.13 KB
Micron BGA Manufacturer's User Guide: 最新型および旧型両方のマイクロン社ボール グリッド アレイ（BGA）パッケージを製造プロセスに簡単に統合できる情報をお客様に提供します。通常のパッケージ関連および製造行程の実践を説明した高レベルなガイドラインと参照マニュアルがセットになっています。 CSN-33 07/2011 353.32 KB
Proper Handling Procedures for Micron DIMMs:  12/2009 396.18 KB
Proper Installation Procedures for Micron DIMMs:  12/2009 419.89 KB
Proper Handling of Micron DIMMs - Japanese:  12/2009 453.96 KB
Proper Installation of Micron DIMMs - Japanese:  12/2009 394.2 KB
Proper Handling of Micron DIMMs - Simplified Chinese:  12/2009 482.47 KB
Proper Installation of Micron DIMMs - Simplified Chinese:  12/2009 592.58 KB
Proper Handling of Micron DIMMs - Spanish:  12/2009 461.82 KB
Proper Installation of Micron DIMMs - Spanish:  12/2009 546.81 KB
Proper Handling of Micron DIMMs - Traditional Chinese:  12/2009 539.92 KB
Proper Installation of Micron DIMMs - Traditional Chinese:  12/2009 758.93 KB
DDR Registered DIMM Design Standard: PC1600/2100 Rev 1.2 12/2009 537.31 KB
JEDEC Mechanical Dimensions: 184-Pin DIMM 08/1998 301.7 KB
Product Marks/Product and Packaging Labels: 製品の部品マーキングと製品およびパッケージラベルについて説明します。 CSN-11 04/2012 724.89 KB
Bypass Capacitor Selection for High-Speed Designs: 高速デザインに対するバイパス コンデンサの選択について説明します。 TN-00-06 03/2011 481.9 KB

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Is there a set of trace lengths and routing rules that are standard for use when designing a system that uses a specific module technology and form factor?
No. A robust memory subsystem design that includes the use of one or more memory modules must be simulated in order to determine the optimum trace lengths and terminations.However, our design guides such as TN-47-01 and TN-41-08 have some best practices and design examples based on some typical system assumptions.This information does not define the only way your system can be designed; it is a starting point and, moreover, an example of steps that can be taken to determine the best design for your system.
Can Vtt and Vref be supplied by the same supply in my system design?
With proper decoupling, this can be an acceptable design.However, Micron recommends separating all supplies.VREF tends to have more noise on it because it supplies signals that are regularly switching.A robust design typically would not connect these supplies due to the possibility of introducing this noise onto the VTT plane, which should be as stable as possible.Additionally, VREF requires much less current than VTT.

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