SODIMM

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SODIMM:ノートブックパソコン、ネットブック、モバイル インターネット デバイス用のメモリ モジュール

最大4GBの集積度と最高1333 MT/sに達するデータ転送速度を持つ当社の小型DIMM(SODIMM)は、ネットブックやモバイル インターネット デバイスなど、スペース制限のあるコンピュータ設計において優れたチョイスです。

memory slots

スペース制約のある設計に適した高性能

フォームファクターの小型化により基板上のスペースを節約
SODIMMは、スリムなノートブックパソコンやモバイル インターネット デバイスに組み込めるよう特別に設計されています。代表的なSODIMMの高さは約30mmで標準モジュールと同じですが、その長さは大幅に短く、お客様の必要に応じて基板スペースを節約します。


SODIMM製品カタログと関連資料

インテルが認証し、マザーボードでのテストを実施したDDR3メモリ
当社はマザーボード メーカーと共同し、当社のSODIMMを検証して、モバイル コンピューティング プラットフォームを幅広くサポートしています。特にインテルは、当社がインテルベースのマザーボードで品質テストを実施することを認定しており、当社はDDR3 SODIMMなどのマイクロンのメモリ ソリューションがお客様の選択したマザーボードで機能することを保証しています。これらのテストは、インテルの完全で基本的な機能テスト手順に沿って行っています。

こうしたテストで判明する内容はシンプルです。当社のDDR3 SODIMMは、高集積度、高速で省電力です。このメモリは、ダイサイズを最低でも20%削減する6F²アレイ アーキテクチャなど、市場をリードする当社のDDR3プロセス技術に基づいています。さらに、実質上あらゆる大手基板メーカーにより、その性能が検証されています。
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設計サイクル全体での設計サポート
当社の設計サポートは競合他社を引き離しています。当社は、サポート開始時に、詳細なデータシートとテクニカルノートを参照します。こうした最新の資料は、Darwin情報タイプ アーキテクチャと最新のXML基準のオーサリング テクノロジを使用して作成しており、半導体ビジネスにおける最新かつ正確な資料の利用が可能です。また当社は、時間の節約につながるシミュレーション モデルと開発ツールを提供しており、さらに業界の中でも特に賢明なフィールド アプリケーション エンジニアを擁しています。これらのリソースは、お客様が容易に設計を行うために役立ちます。
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信頼できる品質
メモリコンポーネントの設計から、製造プロセスの各段階での慎重なテストにいたるまで、当社はメモリ モジュール製造を最初から最後まで一貫して行なっています。当社は基板メーカーと業界組織と共同し、一流のテクノロジを規定、開発しています。当社のメモリの開発と製造のあらゆる段階での関与により、当社のお客様には常に最高品質のモジュールを提供できます。

特徴 メリット
High Density 64MB–4GB provides high density in a small form factor for space-limited designs
Flexible Configuration Available with ECC (on DDR modules) and single- or dual-rank support

タイプ 安全性 題名および説明 ID番号 更新日 サイズ
GBR: Raw Card A 12/2009 386.51 KB
BRD File: Raw Card A 12/2009 348.91 KB
MFG Package Info: Raw Card A 12/2009 483.55 KB
GBR: Raw Card B 12/2009 168.8 KB
MFG Package Info: Raw Card B 12/2009 476.1 KB
GBR: Raw Card C 12/2009 144.39 KB
BRD File: Raw Card A 12/2009 492.09 KB
MFG Package Info: Raw Card C 12/2009 303.39 KB
BRD File: Raw Card C 12/2009 389.19 KB
Thermal Applications: マイクロンのコンポーネントおよびモジュールが最大許容温度を超えないようにするための一般方法や条件を定義します。 TN-00-08 05/2010 252.18 KB
Recommended Soldering Parameters: マイクロン テクノロジー製品に推奨されるはんだ付けテクニックやパラメータを定義します。 TN-00-15 03/2007 69.09 KB
Uprating of Semiconductors for High-Temperature Applications: 温度の改良やコンポーネント使用にかかわるリスク、製造元の環境仕様外のシステムに関連する問題を説明します。 TN-00-18 05/2010 428.33 KB
Understanding Signal Integrity: 新製品のコンセプトから製造中止を通じてメモリーデザインやテスト、確認ツールを最大限に利用する方法を説明します。 TN-00-20 12/2009 1.52 MB
Memory Module Serial Presence-Detect: Describes how SPD is essential in helping to standardize the configuration, timing, and manufacturing information of memory modules TN-04-42 12/2009 505.83 KB
Comparing Module Parameters: Compares module parameters. TN-04-49 03/2003 52.71 KB
High-Speed DRAM Controller Design: Identifies and discusses five key areas of DRAM controller design TN-04-54 04/2008 1 MB
DRAM Module Form Factors: Compares the most common DRAM module form factors TN-04-55 09/2009 435.56 KB
Module Pinout Decoder: Provides sorted pin assignment tables and pin location figures for use in DDR2 DIMM signal identification, tracing, and troubleshooting TN-47-03 12/2004 215.46 KB
DDR2 SODIMM Optimized Address/Command Nets: Provides the system-level designer with an overview of the DDR2 SODIMM family and offers insight into termination techniques utilized on the commands and addresses for these modules TN-47-17 05/2005 592.56 KB
Module Part Numbering Systems: Part numbering guides for Micron DDR4, DDR3, DDR, DDR, and SDRAM modules. 04/2012 50.52 KB
PCN/EOL Systems: マイクロン社製品の変更通知や製造中止システムについて説明します。 CSN-12 04/2012 79.21 KB
Wafer Packaging and Packaging Materials: マイクロン社製品の発送に使用される各材料についての配送およびリサイクルに関する総合情報を提供します。 CSN-20 09/2011 776.24 KB
Bare Die SiPs and MCMs: ベアダイSiPおよびMCMに対するデザインの考えを説明します。 CSN-18 04/2009 151.06 KB
Shipping Quantities: 部品数の表を提供します。 CSN-04 04/2012 472.27 KB
Micron KGD Definitions: マイクロン社製KGD-C1およびKGD-C2 DRAMダイのテスト仕様とパラメータを説明します。 CSN-22 07/2009 65.52 KB
Proper Handling Procedures for Modules: モジュールを正しく扱う方法が含まれます。 CSN-23 12/2007 1.02 MB
Micron Component and Module Packaging: マイクロン社のパッケージラベルと手順について説明します。 CSN-16 02/2012 887.13 KB
ESD Precautions for Die/Wafer Handling and Assembly: 生産コストの削減に繋がる、作業環境においてESDを制御することのメリット(高い生産性や向上した品質と信頼性を含む)を説明します。 CSN-24 08/2010 119.08 KB
Electronic Data Interchange: EDI送信セット、プロトコルおよび問い合わせ先を説明します。 CSN-06 09/2005 53.5 KB
RMA Procedures for Packaged Product and Bare Die Devices: 標準の返品承認(RMA)手順と、ベアダイのRMAに関する違いをまとめています。 CSN-07 10/2010 82.64 KB
ISO System Management Standards: ISOシステム管理基準について説明します。 CSN-08 04/2004 39.18 KB
Competitive DDR Memory Subsystems: DDR milestones and platform design 12/2009 2.64 MB
DDR System Design Considerations: DDR overview 12/2009 3.46 MB
The Future of Memory and Storage: メインメモリとFlashメモリの傾向についての概要 12/2009 1.54 MB
Design Guide for Two DDR3-1066 UDIMM Systems: Rev. B, Design guide to assist board designers implementing products using UDIMM systems TN-41-08 01/2010 1.1 MB
Moisture Absorption in Plastic Packages: Describes shipping procedures for preventing memory devices from absorbing moisture and recommendations for baking devices exposed to excessive moisture TN-00-01 02/2010 87.26 KB
Accelerate Design Cycles with Simulation Models: マイクロンでは、レイアウトの前に新しいデザインを確認するのに必要なツールとガイドラインを提供します。本テクニカルノートではソフトウェア モデルのサポート、シグナル インテグリティの最適化および倫理回路デザインについて説明します。 TN-00-09 02/2010 206.91 KB
Micron Wire-Bonding Techniques: 本テクニカルノートでは、マイクロン社製品のニッケル パラジウム(NiPd)およびアルミニウム(Al)両方に対するワイヤボンディング テクニックのガイダンスを提供します。 TN-00-22 11/2010 66.13 KB
Micron BGA Manufacturer's User Guide: 最新型および旧型両方のマイクロン社ボール グリッド アレイ(BGA)パッケージを製造プロセスに簡単に統合できる情報をお客様に提供します。通常のパッケージ関連および製造行程の実践を説明した高レベルなガイドラインと参照マニュアルがセットになっています。 CSN-33 07/2011 353.32 KB
Proper Handling Procedures for Micron DIMMs 12/2009 396.18 KB
Proper Installation Procedures for Micron DIMMs 12/2009 419.89 KB
Proper Installation Procedures for Micron SODIMMs 12/2009 419.6 KB
Proper Handling of Micron DIMMs - Japanese 12/2009 453.96 KB
Proper Installation of Micron DIMMs - Japanese 12/2009 394.2 KB
Proper Installation of Micron SODIMMs - Japanese 12/2009 483.52 KB
Proper Installation of Micron DIMMs - Simplified Chinese 12/2009 592.58 KB
Proper Installation of Micron SODIMMs - Simplified Chinese 12/2009 604.38 KB
Proper Handling of Micron DIMMs - Spanish 12/2009 461.82 KB
Proper Installation of Micron DIMMs - Spanish 12/2009 546.81 KB
Proper Installation of Micron SODIMMs - Spanish 12/2009 542.23 KB
Proper Handling of Micron DIMMs - Traditional Chinese 12/2009 539.92 KB
Proper Installation of Micron DIMMs - Traditional Chinese 12/2009 758.93 KB
Proper Installation of Micron SODIMMs – Traditional Chinese 12/2009 775.63 KB
DDR Unbuffered SODIMM Design Standard: PC2700 Rev 1.0 12/2009 148.01 KB
Product Marks/Product and Packaging Labels: 製品の部品マーキングと製品およびパッケージラベルについて説明します。 CSN-11 04/2012 724.89 KB
Bypass Capacitor Selection for High-Speed Designs: 高速デザインに対するバイパス コンデンサの選択について説明します。 TN-00-06 03/2011 481.9 KB

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Is there a set of trace lengths and routing rules that are standard for use when designing a system that uses a specific module technology and form factor?
No. A robust memory subsystem design that includes the use of one or more memory modules must be simulated in order to determine the optimum trace lengths and terminations.However, our design guides such as TN-47-01 and TN-41-08 have some best practices and design examples based on some typical system assumptions.This information does not define the only way your system can be designed; it is a starting point and, moreover, an example of steps that can be taken to determine the best design for your system.
Can Vtt and Vref be supplied by the same supply in my system design?
With proper decoupling, this can be an acceptable design.However, Micron recommends separating all supplies.VREF tends to have more noise on it because it supplies signals that are regularly switching.A robust design typically would not connect these supplies due to the possibility of introducing this noise onto the VTT plane, which should be as stable as possible.Additionally, VREF requires much less current than VTT.