Mobile LPDRAM

Mobile LPDRAM

低消費電力のアプリケーションで性能を最適化

高度で機能が豊富なデザインに必要となる、低消費電力と高性能を提供

Mobile ComputingモバイルLPDRAMに関して知っておくべきこと 

消費者の皆さんはより多くの特徴と機能をモバイル機器に求めています。このため、消費電力や時間、スペースを抑えつつ、すべてを備えた設計を実現する必要があります。当社は、こうした設計上の課題を理解しており、お客様がこの課題を解決するために役立つ、さまざまな低消費電力のモバイルDRAM製品を提供しています。当社のモバイルLPDRAMは低消費電力、高性能、および幅広い動作温度範囲となっており、お客様の顧客に対し、より優れた携帯性とバッテリの長寿命化を提供することができます。

モバイルLPDRAM製品カタログと関連資料

大幅な省電力化
当社のモバイルLPDRAMは、性能を維持しつつ、消費電力を抑えるよう設計されています。電源には、JEDEC標準の1.8V I/O電源（LPDDR2では1.2V）を使用し、低いスタンバイ電流とセルフリフレッシュを実現して、電池寿命を伸ばします。さらに、消費電力を削減するため、モバイルLPDRAMはより低いIdd電圧を利用しています。当社は、温度補償セルフ リフレッシュ（TCSR）とパーシャルアレイ セルフ リフレッシュ（PASR）モードの双方をチップ上に採用しており、必要ない時にバッテリーを使い切ることがないようにしています。

最高速モバイルLPDRAMの設計
当社のモバイルLPDDRは、200 MHzの最大クロック速度を達成した最初のメモリであり、400 Mb/sの超高速の転送速度を実現しました。 現在、当社のLPDDR2-1066製品は、ベンチマークをさらに533 MHzに押し上げています。さらにLPDDRには、低消費電力の1.2V I/Oが付属しており、お客様は、性能面で行き詰ることや、貴重なバッテリーを無駄にすることはありません。

特徴 メリット
密度 64Mb to 512Mb (LPSDR)
128Mb to 8Gb (LPDDR)
1Gb to 8Gb (LPDDR2)		 Provides flexibility for a variety of application designs
コンフィギュレーション x16, x32 (LPSDR/LPDDR)
x16, x32, x64 (LPDDR2)  		Enables the use of fewer components to support wide-bus architectures
Voltage 1.8V (LPSDR/LPDDR)
1.2V (LPDDR2) 		Helps reduce power consumption—a key advantage over standard DRAM
クロック周波数 Up to 167 MHz (LPSDR)
Up to 200 MHz (LPDDR)
Up to 533 MHz (LPDDR2) 		Provides performance comparable to SDR and DDR SDRAM, with the added advantage of power savings
消費電力 Refer to data sheet Delivers low power dissipation in standby and active modes, plus special mobile features to reduce power consumption for a more efficient design
Special Features Temperature-compensated self refresh (TCSR) Adjusts refresh timing to minimize power consumption at lower, ambient temperatures
Partial-array self refresh (PASR) Eliminates unnecessary row activations; refreshes 1/1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16 array
Deep-power down (DPD) Provides a low power state when data retention is not required
Programmable drive strength (DS) Enables drive currents to be reduced in point-to-point applications; easily adjusts to full, half, quarter, or eighth, based on memory bus loading
温度範囲 0˚C to +70˚C
0˚C to +85˚C
-40˚C to +85˚C
-40˚C to +95˚C
-40˚C to +105˚C 		Enables high performance in extreme environments
パッケージ  VFBGA Reduces footprint by up to 40% relative to standard SDR and DDR SDRAM for a smaller, more compact design; supports JEDEC-standard VFBGA pinout
Known good die Supports bare die with edge bond pads for easy stacking in SIP and MCP solutions
POP Saves board space by allowing a Mobile LPDRAM to be stacked on top of a processor so that the two components require only one footprint on the board; contact factory for availability

SoC, SiP, PoP, MCP?Choose the Right Die-Stacking Solution

No one die-stacking technology suits every application.Each offers different benefits in terms of four key design elements:board space, height, performance, and cost.In the 20-minute online presentation titled "Multi-Die Stacking:Choosing the Right Solution," learn the advantages and disadvantages of four popular stacking solutions—SoC, SiP, PoP, and MCP.Let Micron’s experts help you pick the best technology for your application.Click View Now to begin the presentation.

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タイプ 安全性 題名および説明 ID番号 更新日 サイズ
IBIS Behavioral Models: マイクロンは長年IBISオープンフォーラムのメンバーであり、IBIS仕様を完全にサポートします。ほとんどのマイクロン社製品のIBISモデルはマイクロン社ウェブサイトからダウンロードできます。 TN-00-07 11/2009 163.98 KB
Thermal Applications: マイクロンのコンポーネントおよびモジュールが最大許容温度を超えないようにするための一般方法や条件を定義します。 TN-00-08 05/2010 252.18 KB
Understanding Quality and Reliability Requirements for Bare Die Applications: ベアダイ アプリケーションに必要とされる品質や信頼性を定義します。 TN-00-14 10/2009 152.83 KB
Recommended Soldering Parameters: マイクロン テクノロジー製品に推奨されるはんだ付けテクニックやパラメータを定義します。 TN-00-15 03/2007 69.09 KB
Uprating of Semiconductors for High-Temperature Applications: 温度の改良やコンポーネント使用にかかわるリスク、製造元の環境仕様外のシステムに関連する問題を説明します。 TN-00-18 05/2010 428.33 KB
Understanding Signal Integrity: 新製品のコンセプトから製造中止を通じてメモリーデザインやテスト、確認ツールを最大限に利用する方法を説明します。 TN-00-20 12/2009 1.52 MB
SEMI Wafer Map Format: マイクロン社では半導体製造装置材料協会 (SEMI) によって認証されたウェハマップ ファイル形式を採用しています。マイクロン社のお客様はSEMI形式によって一貫して互換性が高く、信頼できるマップファイルを常に受け取ることができます。 TN-00-21 02/2009 110 KB
Thinning Considerations for Wafer Products: お客様の特定要件を満たす最適なウェハ細線化プロセスに関する情報です。 TN-00-19 10/2009 73.58 KB
Power-Saving Features of Mobile LPDRAM: Addresses the power-saving features and power calculations of low-power Mobile LPDRAM memory TN-46-12 05/2009 255.93 KB
Mobile LPDDR Versus Standard DDR SDRAM: An overview of the functional and mechanical differences between low-power and standard DDR and a description of exclusive features of LPDDR TN-46-15 12/2007 432.44 KB
Interface Design Guide for STMicroelectronics Cartesio Microprocessor: Guidelines for interconnecting the STA2062 dynamic bus controller to two Micron 512Mb Mobile LPDDR devices TN-46-18 08/2008 2.67 MB
Mobile LPDRAM Unterminated Point-to-Point System Design:Layout and Routing Tips: Provides guidance for the development of multilayer board designs TN-46-19 11/2008 552.55 KB
PCN/EOL Systems: マイクロン社製品の変更通知や製造中止システムについて説明します。 CSN-12 04/2012 79.21 KB
Wafer Packaging and Packaging Materials: マイクロン社製品の発送に使用される各材料についての配送およびリサイクルに関する総合情報を提供します。 CSN-20 09/2011 776.24 KB
Bare Die SiPs and MCMs: ベアダイSiPおよびMCMに対するデザインの考えを説明します。 CSN-18 04/2009 151.06 KB
Shipping Quantities: 部品数の表を提供します。 CSN-04 04/2012 472.27 KB
Micron KGD Definitions: マイクロン社製KGD-C1およびKGD-C2 DRAMダイのテスト仕様とパラメータを説明します。 CSN-22 07/2009 65.52 KB
Micron Component and Module Packaging: マイクロン社のパッケージラベルと手順について説明します。 CSN-16 02/2012 887.13 KB
ESD Precautions for Die/Wafer Handling and Assembly: 生産コストの削減に繋がる、作業環境においてESDを制御することのメリット（高い生産性や向上した品質と信頼性を含む）を説明します。 CSN-24 08/2010 119.08 KB
Electronic Data Interchange: EDI送信セット、プロトコルおよび問い合わせ先を説明します。 CSN-06 09/2005 53.5 KB
RMA Procedures for Packaged Product and Bare Die Devices: 標準の返品承認（RMA）手順と、ベアダイのRMAに関する違いをまとめています。 CSN-07 10/2010 82.64 KB
ISO System Management Standards: ISOシステム管理基準について説明します。 CSN-08 04/2004 39.18 KB
The Future of Memory and Storage: メインメモリとFlashメモリの傾向についての概要 12/2009 1.54 MB
DRAM Component Part Numbering System: DDR3/DDR2/DDR/SDR SDRAM、 モバイルLPDRAMおよびRLDRAMコンポーネントの部品番号ガイド 04/2012 36.89 KB
FBGA Date Codes: FBGA梱包済みコンポーネントの日付コード 08/2005 22.36 KB
Moisture Absorption in Plastic Packages: Describes shipping procedures for preventing memory devices from absorbing moisture and recommendations for baking devices exposed to excessive moisture TN-00-01 02/2010 87.26 KB
Accelerate Design Cycles with Simulation Models: マイクロンでは、レイアウトの前に新しいデザインを確認するのに必要なツールとガイドラインを提供します。本テクニカルノートではソフトウェア モデルのサポート、シグナル インテグリティの最適化および倫理回路デザインについて説明します。 TN-00-09 02/2010 206.91 KB
Micron Wire-Bonding Techniques: 本テクニカルノートでは、マイクロン社製品のニッケル パラジウム（NiPd）およびアルミニウム（Al）両方に対するワイヤボンディング テクニックのガイダンスを提供します。 TN-00-22 11/2010 66.13 KB
TN_4622_t69m_t79m_trans_guide: Transition guide for migration from T69M to T79M 06/2011 147.18 KB
Micron BGA Manufacturer's User Guide: 最新型および旧型両方のマイクロン社ボール グリッド アレイ（BGA）パッケージを製造プロセスに簡単に統合できる情報をお客様に提供します。通常のパッケージ関連および製造行程の実践を説明した高レベルなガイドラインと参照マニュアルがセットになっています。 CSN-33 07/2011 353.32 KB
Product Marks/Product and Packaging Labels: 製品の部品マーキングと製品およびパッケージラベルについて説明します。 CSN-11 04/2012 724.89 KB
Industrial and Multi-Market Applications Flyer: 自動車、産業、医療、製造およびその他の多数市場セグメントにおいて技術開発に拍車をかける当社の幅広く、安定したIMM集中型メモリソリューションのポートフォリオです。 製品広告チラシ 08/2011 593.95 KB
Mobile LPDRAM Product Flyer: Discusses six key advantages of designing with Micron’s mobile LPDRAM. 製品広告チラシ 03/2012 510.17 KB
Bypass Capacitor Selection for High-Speed Designs: 高速デザインに対するバイパス コンデンサの選択について説明します。 TN-00-06 03/2011 481.9 KB

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What makes Micron's Mobile LPDRAM unique?
We offer a comprehensive Mobile LPDRAM product portfolio, with a wide range of densities and package options (including JEDEC-standard VFBGA, Known Good Die, and package-on-package).With nearly a decade of Mobile LPDRAM experience, our worldwide technical support team can provide the expertise and assistance you need to get your designs to market faster.
What is the life expectancy of Micron's Mobile LPDRAM products?
We're excited about this fast-growing market.We plan to manufacture Mobile LPDRAM for many years to come and plan to continue to shrink our designs to achieve higher densities.
What is Mobile LPDRAM?
Optimized for products where power consumption is a concern, our low-power Mobile LPDRAM devices combine leading-edge technologies and packaging options to meet space requirements and extend battery life.Mobile LPDRAM is available with DDR/SDR interface.
Where are Micron's Mobile LPDRAM products used today?
Our Mobile LPDRAM products are used in a wide variety of applications.The most popular are consumer electronic devices like digital still cameras and MP3 players, as well as mobile phones and PDAs.Automotive, medical, and military companies, which are very stringent on quality and reliability, use Mobile LPDRAM to take advantage of the wide industrial temperature range of –40°C to +105°C, which other memory vendors don’t support.It’s also designed in to a variety of networking applications.
What’s the difference between Mobile DRAM and Mobile LPDRAM?
There is no difference; Mobile DRAM and Mobile LPDRAM are the same product.We opted to add the "LP" prefix to our Mobile DRAM product line to align with the common terminology used throughout the industry and to ensure our customers know at a glance that our Mobile DRAM is a low-power memory device.In addition to the family name change, Mobile DDR SDRAM and Mobile SDR SDRAM are now called Mobile LPDDR and Mobile LPSDR, respectively.Our Web site has been wholly converted to the Mobile LPDRAM naming convention, but because we’re updating our PDFs as they come up for review you may see a few older technical documents that still use the old Mobile DRAM terminology.
What Mobile LPDRAM parts have been validated on the OMAP35x?
Micron works closely with Texas Instruments (TI) to validate and optimize our parts for the OMAP35x processors.As we work with the OMAP35x team, the list of validated memory devices expands frequently.For the most current information, contact your local Micron support, or contact Micron Product Sales Support.
Do you recommend a x8, x16, or x32 configuration for mobile applications?
Mobile LPDRAM is offered in x16, x32, and x64.To make the best Mobile LPDRAM choice, consider the application, bandwidth/throughput, physical space on the PCB, and power consumption.
Are your Mobile LPDRAM parts JEDEC-compliant?
We design our parts to meet or exceed the JEDEC specification.As standards change, we will make the necessary changes to ensure our parts meet new specifications.Any changes made will be noted in a product change notice (PCN) and sent to our customers.
Are Micron's Mobile LPDRAM products green/RoHS compliant?
Yes. Micron’s green engineering program is RoHS-compliant and conforms with most of the world’s emerging environmental standards, including those in Asia and Europe.
The part I was using is obsolete and the replacement is a faster speed grade.Can I run the Mobile LPDRAM parts at a lower speed?
Yes. A Mobile LPDRAM part can be run at any speed equal to or slower than its rated speed grade.
Is Mobile LPDRAM a growing market?
Absolutely.iSuppli estimates that the market for Mobile LPDRAM is growing rapidly, with a CAGR of 21.2% from 2006 to 2011.We’re continuing to develop advanced Mobile LPDRAM solutions to meet this growing market.
Does Micron's Mobile LPDRAM cost more than standard DRAM?
It depends.Density plays a major role in price comparisons between Mobile LPDRAM and standard SDR/DDR.Also, since Mobile LPDRAM is offered in standard configurations of x16, x32 and x64, you may be able to reduce your overall BOM cost if your application currently uses two x16 components to support a x32 bus.You could use one x32 Mobile LPDRAM instead of two x16 standard DRAM.Contact your local rep for cost information.

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