PSRAM/CellularRAM

PSRAM

モバイルの性能と価値を高める

当社のCellularRAM®メモリは、モバイル設計用に、低消費電力と高速性を兼ね備えています。

合流サインDRAMとSRAMの最良性能の融合

CellularRAM®メモリは、SRAMに類似したアーキテクチャ、hidden refresh、およびSRAMピン互換性を特徴とした疑似スタティックDRAM（PSRAM）デバイスです。このハイブリッド メモリは、SRAMとDRAM双方の最良性能を兼ね備えており、低消費電力で、かつ高速の読み取り/書き込み機能を備えています。また、CellularRAMメモリは同期オペレーション、高速アクセス、および可変レイテンシ イニシャル バースト アクセスを可能にするため、高いスループットと優れた性能が得られます。これは、MCPなどの低消費電力でスペースが限られている設計だけでなく、モバイルや産業用のアプリケーションに最適なソリューションです。

CellularRAM製品カタログと関連資料


互換性と設計の容易さ
当社のCellularRAMメモリは、標準のワイヤレス フラッシュ インターフェースとの互換性があります。また、バースト フラッシュ メモリにより、MCPにて利用しやすくなっています。また、標準のSRAMと同じ電圧範囲、パッケージのオプション、およびボール アサインメントを使用しているCellularRAMメモリは、採用しやすく、またより簡単な移行が可能で、設計時間を節約します。

省電力機能
CellularRAMメモリにより、現在SRAMを使用しているあらゆるモバイルや消費電力が重要となるアプリケーションで、電池寿命を伸ばすことができます。いくつかの省力モードを利用することで、標準のDRAMよりも、消費電力が低減されています。温度補償リフレッシュ（TCR）は、周囲温度に応じてリフレッシュ レートを調整します。パーシャル アレイ リフレッシュ（PAR）は、必要な時と場所でのみ電力を使用します。また、ディープ パワー ダウン（DPD）は、デバイスが使用中でない場合に電力を浪費しません。

他の主要なメリット

小さなダイによる高い集積度
DRAMアーキテクチャは、品質や性能の面で妥協することなく、比較的小さなダイで高集積度を実現します。

設計の互換性
デバッグ時間の低減と設計の再利用により、より迅速に市場で販売することができます。

可変レイテンシ
アクセスタイムを半分に短縮し、最小35nsの時間で最初のデータを利用することができます。

固定レイテンシ
旧システムとの互換性を可能にします。

調整可能な出力ドライブ
システム インピーダンスにマッチングするように出力を調整し、ノイズと消費電力を最小限に抑えることができます。

特徴 メリット
密度 16–128Mb 密度範囲、多くのデザインに柔軟性を提供します。
コンフィギュレーション x16 選択可能なバイト数とバースト長付きのx16ワード サイズ
供給電圧 1.7–1.95Vコア
1.7–3.3V I/O
1.7–3.6V I/O
 拡張されたVccq範囲で動作できる単一デバイス
消費電力 ISB = 30µA (TYP)
ICC1 = 15mA (TYP) 		スタンバイおよびアクティブモードで極めて低いワット損を提供します。スタンバイモードのPARはさらに多くの節電が可能です。
温度範囲 -30C～+85C
-40C～+95C
-40C～+105C 		幅広い温度範囲は起伏の激しいモバイル環境や産業環境に最適です。
パッケージ 48-、 54-ボール VFBGA スペースが限られるモバイル アプリケーションに最適

CellularRAM®メモリとは？

当社のCellularRAMメモリは非同期/ページおよびバースト インターフェース、非表示更新動作、SRAM ピン互換性がある疑似DRAMで、モバイルアプリケーション用に特別にデザインされた便利で効果的なソリューションです。

DRAMとは構造的にシンプル（通常は1ビットに対し1つか2つのトランジスタとコンデンサがある）な特殊なランダム アクセス メモリで、一定間隔でメモリセルの充電を更新します。DRAM同様にCellularRAMメモリでは何百万もあるメモリセルの1つ1つに1ビットの情報を保存し、こうしたメモリセルを一定間隔で更新します。しかしSRAM同様にCellularRAMデバイスには外部の更新サポートを必要とせず、標準DRAMよりも少ない電力しか必要としません。

SRAMからCellularRAMメモリに移行する際の、電源やボール割り当て、コントローラ インターフェース、コンフィギュレーションを含む詳細情報をご希望の方は次のテクニカルノートを参照してください。
TN-45-17:シングルもしくはデュアルCE# SRAMからCellularRAM®デバイスに変更する


コストに敏感なモバイル市場のためのバーストA/D MUX CellularRAM®

当社のバーストA/D MUX CellularRAM 疑似DRAMはCellularRAMメモリのコントローラピン数の 30%削減やコントローラデザインの簡易化、システムデザイン費用の削減、デザインサイクル時間の短縮を除く主な性能メリットのすべてを利用します。バーストA/D MUX製品は新興市場や低電力消費が重大な考慮事項であるその他の電池式アプリケーションをターゲットにしたハンドセットにとって最適なメモリ ソリューションになります。NOR Flashにとって最高のコンパニオン デバイスとなり、MCPに最適であることから、当社ではバーストA/D MUX製品をダイ形式で提供します。

また、お客様が今後のデザインにバーストA/D MUXデバイスを統合する際に良い決断ができるよにテクニカルノートをいくつか用意しました。

タイプ 安全性 題名および説明 ID番号 更新日 サイズ
Functional Differences Between CellularRAM 1.0 and CellularRAM 1.5 : CellularRAM 1.0およびCellularRAM 1.5メモリ デバイスにおける機能の違いについて説明します。 TN-45-01 08/2005 141.07 KB
CellularRAM Asynchronous and Mixed-Mode Slow-Clock WRITE Concerns: マイクロンCellularRAMベースのデバイスをミックスモード動作およびスロークロック速度で使用することについて説明します。 TN-45-02 05/2005 100.22 KB
CellularRAM Multiplexed Async/Burst Operation: マルチプレックスされていないCellularRAM デバイスを回路基板レベルでマルチプレックス化することについて説明します。 TN-45-04 01/2009 687.75 KB
Density Migration for x16 Burst Multiplexed PSRAM Introduction: バースト マルチプレックス デバイスを16Mbから64Mbに移行する際に計上するデザインの違いについて説明します。 TN-45-06 01/2006 65.9 KB
Implementing CellularRAM 2.0, x32 with Two CellularRAM 1.5 x16 Devices: 2つのx16 CR 1.5デバイスのダイスタックを使ってx32 CR2.0 メモリ インターフェースをエミュレートする方法について説明します。 TN-45-07 12/2006 107.52 KB
64Mb Async/Page CellularRAM P25A to P25Z Transition Guide: 非同期/ページMT45W4MW16P (P25A)を基にMT45W4MW16PC (P25Z)へのデザインの移行について説明します。 TN-45-08 10/2005 52.89 KB
64Mb Burst CellularRAM P25A to P25Z Transition Guide: 非同期/ページ/バーストMT45W4MW16B (P25A)を基にMT45W4MW16BC (P25Z)へのデザインの移行について説明します。 TN-45-09 10/2005 64.45 KB
Designing Applications with the x16 Burst A/D Multiplexed Interface: バースト非A/D MUXおよびバーストA/D MUX デバイスの違いについて説明します。 TN-45-10 11/2005 83.73 KB
Using CellularRAM Memory to Replace UtRAM : 128Mb UtRAMデザイン (K1B2816B6M) からマイクロン128Mb CellularRAMメモリ (MT45W8MW16B) への移行をアシストします。ハードウェアとソフトウェア両方の変更を説明します。 TN-45-13 01/2006 195.88 KB
Using CellularRAM Memory to Replace Fujitsu 3V FCRAM: マイクロンCellularRAMメモリを使ったFujitsu 3V FCRAMの交換について説明します。 TN-45-14 02/2006 195.22 KB
Row Boundary Crossing Functionality in CellularRAMâ„¢ Memory: マイクロンCellularRAMメモリデバイスにおけるRBC機能について説明します。 TN-45-15 11/2009 524.87 KB
Using CellularRAM Memory to Replace Fujitsu 1.8V FCRAM: マイクロンCellularRAMメモリを使ったFujitsu 1.8V FCRAMの交換について説明します。 TN-45-16 03/2006 208.91 KB
Using CellularRAM Memory to Replace Single- and Dual-Chip Select SRAM: シングルもしくはデュアル チップ セレクトSRAMデザインのマイクロンCellularRAMメモリへの移行について説明します。ハードウェアとソフトウェア両方の変更を説明します。 TN-45-17 01/2007 179.87 KB
Using CellularRAM Memory to Replace NEC Mobile Specified RAM (PD46128512): 128Mb NECモバイルRAMデザイン (PD46128512)のマイクロン128Mb CellularRAMメモリ (MT45W8MW16B) への移行について説明します。ハードウェアとソフトウェア両方の変更を説明します。 TN-45-18 03/2006 228.87 KB
Low-Power Options for Async/Page CellularRAM: 非同期/ページCellularRAMメモリ デバイスでお客様が利用できる低電力オプションについて説明します。 TN-45-20 05/2006 197.19 KB
Variable vs. Fixed Latency CellularRAM Operation: 本テクニカルノートでは、デザイナーがCellularRAM変数および固定レイテンシ動作の違いを理解できるようにアシストします。 TN-45-22 07/2006 122.39 KB
Using CellularRAM Memory on a NOR FLASH Bus: NOR FlashバスでCellularRAMメモリ デバイスを交換する場合におけるデザインについての考慮を説明します。 TN-45-23 07/2006 391.96 KB
Fixed-Latency Operation in CellularRAM 1.0 Devices: マイクロン社がCellularRAM CR1.0の機能をどのように強化したかの詳細を説明します。 TN-45-24 08/2006 187.66 KB
Using Micron Asynchronous PSRAM with ADI ADSP-BF53x Blackfin Processors: アナログ デバイスBlackfinプロセッサおよびマイクロン70ns、8Mb非同期PSRAMデバイス間のシームレスなメモリ接続に必要なデザイン条件を説明します。 TN-45-27 06/2007 265.86 KB
Using a Micron CellularRAM Device with the AMCC PPC405EZ Embedded Processor: PPC405EZおよびマイクロンCellularRAMデバイス間のシームレスなメモリ接続に必要なデザイン条件を説明します。 TN-45-28 02/2006 288.01 KB
Using Micron Asynchronous PSRAM with the NXP LPC2292 and LPC2294 Microcontrollers: NXP LPC2292およびLPC2294系列のマイクロコントローラとマイクロン非同期PSRAMデバイス間のシームレスなメモリ接続に必要なデザイン条件を説明します。 TN-45-29 06/2007 255 KB
PSRAM 101:An Introduction to Micron CellularRAM and PSRAM: モバイル ハンドセットでの使用においてその他のメモリオプションと比較した場合のPSRAMおよびCellularRAMメモリのメリットを実演し、利用できるコンフィギュレーションを提供します。 TN-45-30 05/2008 351.24 KB
Connecting Micron CellularRAM Devices with the Atmel Microcontroller: マイクロンCellularRAMデバイスをAmtelマイクロコントローラに接続する最適な方法を説明します。 TN-45-33 06/2008 525.62 KB
IBIS Behavioral Models: マイクロンは長年IBISオープンフォーラムのメンバーであり、IBIS仕様を完全にサポートします。ほとんどのマイクロン社製品のIBISモデルはマイクロン社ウェブサイトからダウンロードできます。 TN-00-07 11/2009 163.98 KB
Thermal Applications: マイクロンのコンポーネントおよびモジュールが最大許容温度を超えないようにするための一般方法や条件を定義します。 TN-00-08 05/2010 252.18 KB
Understanding Quality and Reliability Requirements for Bare Die Applications: ベアダイ アプリケーションに必要とされる品質や信頼性を定義します。 TN-00-14 10/2009 152.83 KB
Recommended Soldering Parameters: マイクロン テクノロジー製品に推奨されるはんだ付けテクニックやパラメータを定義します。 TN-00-15 03/2007 69.09 KB
Uprating of Semiconductors for High-Temperature Applications: 温度の改良やコンポーネント使用にかかわるリスク、製造元の環境仕様外のシステムに関連する問題を説明します。 TN-00-18 05/2010 428.33 KB
Understanding Signal Integrity: 新製品のコンセプトから製造中止を通じてメモリーデザインやテスト、確認ツールを最大限に利用する方法を説明します。 TN-00-20 12/2009 1.52 MB
SEMI Wafer Map Format: マイクロン社では半導体製造装置材料協会 (SEMI) によって認証されたウェハマップ ファイル形式を採用しています。マイクロン社のお客様はSEMI形式によって一貫して互換性が高く、信頼できるマップファイルを常に受け取ることができます。 TN-00-21 02/2009 110 KB
Thinning Considerations for Wafer Products: お客様の特定要件を満たす最適なウェハ細線化プロセスに関する情報です。 TN-00-19 10/2009 73.58 KB
Hands-On Electronics Education: マイクロン社がDigilent社と提携し、低価格でありながパワフルなデジタルシステム デザイン ボードを開発したいきさつをお読みください。 12/2009 1.05 MB
PSRAM and CellularRAM Part Numbering System: マイクロンPSRAMおよびCellularRAM製品の部品番号ガイド。 12/2008 28.52 KB
PCN/EOL Systems: マイクロン社製品の変更通知や製造中止システムについて説明します。 CSN-12 04/2012 79.21 KB
Wafer Packaging and Packaging Materials: マイクロン社製品の発送に使用される各材料についての配送およびリサイクルに関する総合情報を提供します。 CSN-20 09/2011 776.24 KB
Bare Die SiPs and MCMs: ベアダイSiPおよびMCMに対するデザインの考えを説明します。 CSN-18 04/2009 151.06 KB
Shipping Quantities: 部品数の表を提供します。 CSN-04 04/2012 472.27 KB
Micron KGD Definitions: マイクロン社製KGD-C1およびKGD-C2 DRAMダイのテスト仕様とパラメータを説明します。 CSN-22 07/2009 65.52 KB
Micron Component and Module Packaging: マイクロン社のパッケージラベルと手順について説明します。 CSN-16 02/2012 887.13 KB
ESD Precautions for Die/Wafer Handling and Assembly: 生産コストの削減に繋がる、作業環境においてESDを制御することのメリット（高い生産性や向上した品質と信頼性を含む）を説明します。 CSN-24 08/2010 119.08 KB
Electronic Data Interchange: EDI送信セット、プロトコルおよび問い合わせ先を説明します。 CSN-06 09/2005 53.5 KB
RMA Procedures for Packaged Product and Bare Die Devices: 標準の返品承認（RMA）手順と、ベアダイのRMAに関する違いをまとめています。 CSN-07 10/2010 82.64 KB
ISO System Management Standards: ISOシステム管理基準について説明します。 CSN-08 04/2004 39.18 KB
The Future of Memory and Storage: メインメモリとFlashメモリの傾向についての概要 12/2009 1.54 MB
DRAM Component Part Numbering System: DDR3/DDR2/DDR/SDR SDRAM、 モバイルLPDRAMおよびRLDRAMコンポーネントの部品番号ガイド 04/2012 36.89 KB
FBGA Date Codes: FBGA梱包済みコンポーネントの日付コード 08/2005 22.36 KB
Moisture Absorption in Plastic Packages: Describes shipping procedures for preventing memory devices from absorbing moisture and recommendations for baking devices exposed to excessive moisture TN-00-01 02/2010 87.26 KB
Accelerate Design Cycles with Simulation Models: マイクロンでは、レイアウトの前に新しいデザインを確認するのに必要なツールとガイドラインを提供します。本テクニカルノートではソフトウェア モデルのサポート、シグナル インテグリティの最適化および倫理回路デザインについて説明します。 TN-00-09 02/2010 206.91 KB
Micron Wire-Bonding Techniques: 本テクニカルノートでは、マイクロン社製品のニッケル パラジウム（NiPd）およびアルミニウム（Al）両方に対するワイヤボンディング テクニックのガイダンスを提供します。 TN-00-22 11/2010 66.13 KB
Micron BGA Manufacturer's User Guide: 最新型および旧型両方のマイクロン社ボール グリッド アレイ（BGA）パッケージを製造プロセスに簡単に統合できる情報をお客様に提供します。通常のパッケージ関連および製造行程の実践を説明した高レベルなガイドラインと参照マニュアルがセットになっています。 CSN-33 07/2011 353.32 KB
Burst A/D MUX CellularRAM Memory Flyer: 低減されたピンカウントCellularRAMâ„¢メモリでデザイン時間を節約し、コストを削減する方法を説明します。 08/2009 141.19 KB
Product Marks/Product and Packaging Labels: 製品の部品マーキングと製品およびパッケージラベルについて説明します。 CSN-11 04/2012 724.89 KB
Industrial and Multi-Market Applications Flyer: 自動車、産業、医療、製造およびその他の多数市場セグメントにおいて技術開発に拍車をかける当社の幅広く、安定したIMM集中型メモリソリューションのポートフォリオです。 製品広告チラシ 08/2011 593.95 KB
CellularRAM PSRAM Flyer: CellularRAM PSRAMがSRAMの理想的なドロップイン交換であることを説明します。 08/2009 200.76 KB
Bypass Capacitor Selection for High-Speed Designs: 高速デザインに対するバイパス コンデンサの選択について説明します。 TN-00-06 03/2011 481.9 KB

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マイクロン社が提供するCellularRAMの密度とコンフィギュレーションはなんですか？
マイクロン社では非同期/ページおよび非同期/ページ/バースト コンフィギュレーションで16Mb、 32Mb、 64Mbおよび128Mbの密度を提供します。KGD (Known Good Die) としてウェハ形式でCellularRAMのすべての密度を提供します。また同じくウェハ形式でバーストA/Dマルチプレックス コンフィギュレーションも提供します。
CellularRAMメモリとはなんですか？
CellularRAMメモリは疑似SRAM (PSRAM) 製品の系列で 6T（6トランジスタ）SRAMおよび初期世代の非同期またはページPSRAMとの後方互換性があります。CellularRAMでは、革新的な機能バーストがついた新しいデバイスの完全セットで、疑似SRAMに発展経路を提供します。
CellularRAMデバイスの目標市場と用途はなんですか？
CellularRAM製品はハンドセットを目標としていますが、キャッシュメモリやバッファメモリが必要とされるところで使用することができます。
CellularRAM技術の利点はなんですか？
多数あるCellularRAM技術の利点には次が含まれます。
  • 標準の非同期SRAMデバイスとの後方互換性
  • SRAMインターフェースとDRAM技術
  • より高い密度と性能
  • 現行のSRAMデバイスよりもビットごとのコストが低い
既存のSRAMアーキテクチャからCellularRAM系列を区別する特別な機能はなんですか？
6T-SRAMは携帯電話のデザインにおいて2/4/8Mbの密度で最も頻繁に使用されています。x16コンフィギュレーションで~30 MB/秒の帯域幅がある70ns/85nsランダムサイクル時間が特長です。1.8Vでの動作時消費電力は25mAになります。CellularRAMデバイスは、密度や帯域幅における現在の低電力6T-SRAMをはるかに上回りつつも、動作時の消費電力も同じくらいに低く抑えます。CellularRAM製品は1.8Vで70nsのランダムサイクル時を実現し、バーストモードで208 MB/秒のピーク帯域幅を可能にします。

PSRAM/CellularRAM

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