プロセス開発職

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プロセス開発職 / Process Development

DRAMなどの半導体デバイスのウェハ処理工程は、リソグラフィ、エッチング、各種成膜など、多数の要素プロセスの工程(ステップ)で構成されています。これらのプロセスステップを重ねることで、DRAMの構造が形成されます。最新鋭の装置の技術を駆使し、最先端の要素プロセスを開発し、次世代製品の実現を推進する仕事です。

WorkStyle:  要素プロセス開発

DRAMのウェハ処理工程には、リソグラフィ、成膜、エッチング、研磨など500以上に及ぶステップがあります。 要素プロセス開発は、DRAMなどの当社製品を最適に製造するため、各ステップにある要素プロセスの技術開発を 担います。半導体製品の製造を担う要素プロセスには、たとえば、「リソグラフィ」や「ドライエッチング」、「成膜」といった分野があり、最先端の装置やプロセス材料を評価・選定して導入します。装置メーカーや材料メーカーとの共同開発を行う場合もあり、最新技術の開発を通じて、微細加工技術の発展を促進します。 日々の開発活動では、デバイス開発グループ(インテグレーション)や他の要素プロセスの開発グループと協働体制を組み、設計されたデバイス構造を実現するための最適プロセスを開発・実現していきます。 高性能の新製品を最適なタイミングで市場に送りだすため、常に、完成時期や性能の明確な目標を達成するという 高い目的意識を持ち、関係グループとの緊密な協力体制の下、日々、活発な開発活動を行っています。

主な要素プロセスの分野

リソグラフィ
世界最先端の露光装置を使い、微細加工の基本となるパターン転写を行います。 世界最高レベルの微細パターン露光技術を開発しています。

ドライエッチング
リソグラフィで形成された微細な表面パターンを、絶縁膜や導電膜に刻み込みます。 平面内、深さ方向ともに高精度の制御性ある加工技術を開発しています。

成膜
絶縁膜、金属膜、高誘電率膜などの膜を成膜します。プラズマ反応、熱化学反応、 分子のウェハ表面反応などを駆使し、高い制御性により高性能の膜を形成する技術を 開発しています。

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