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マイクロンはお客様のイノベーションパートナーです

マイクロングループ会社概要

マイクロンテクノロジーは半導体業界の世界的リーダーです。
マイクロンは40年にわたり、その尽力によりイノベーションを実現し、「可能なこと」を変革してきました。

企業理念

マイクロンはお客様のイノベーションパートナーです




私たちは、世界の人々が人
生を豊かにする情報活用
のあり方を改革します。




私たちは、メモリおよび
ストレージソリューションにおける
グローバルリーダーとなります。




人 | イノベーション | 粘り強さ |
コラボレーション | 顧客第一

CEOメッセージ

Japan jobs

メモリおよびストレージ技術の革新は、新製品の実現、顧客体験の向上、さまざまな市場における成長を可能にします。

マイクロンはこれらの革新を推進する最前線に立っています。私はこのような才能にあふれるグローバルチームを率いる機会を持つことに心を躍らせています。

Sanjay Mehrotra 

(サンジェイ・メロートラ)

プレジデント兼チーフエグゼクティブオフィサー(CEO)

マイクロンの歩み

1978
1979
1981
1984
1987
1988
1992
1999
2000
2002
2003
2004
2005
2006
2007
2009
2011
2012
2013
2014
2015
2016
2017
2018
1978: Micron Technology is Founded

Micron Technology, Inc.,創立

マイクロンは社員4名の半導体製品の設計会社として、アイダホ州ボイシの歯科医院の地下室で創業しました。最初の契約は、Mostek社の64Kメモリチップの設計でした。

1979: Engineers Finalize Design for a 64K DRAM

64K DRAM設計の完成

世界最小の64K DRAM設計と賞賛されたその革新的なデザインは、1981年に初の64K製品を量産に導きました。

1981: Micron Ships its First 64K DRAM Product

最初の64K DRAM製品を出荷

64K DRAMはアイダホ州ボイシの工場で最初に製造された製品で、Commodore 64ホームコンピュータを含む、初期に大量生産された多くのパーソナルコンピュータに搭載されました。

1984: Micron Introduces World’s Smallest 256K DRAM Chip

世界最小の256K DRAMチップを発表

このチップは世界最小の256K DRAMダイとして発売されただけでなく、DRAM容量における業界のマイルストーンとなりました。256K DRAMは、より大きく読みやすいメモリセルを使うことで、創業まもないメモリのスタートアップ企業を大きく成長させるきっかけとなりました。

1988: Micron Reaches 1-Megabit DRAM Milestone

1Mb DRAMをマーケットに展開

容量におけるマイルストーンとなった1Mb DRAMは、1980年代後半から1990年代におけるPCやグラフィックスカード用メインメモリの定番となりました。また、マイクロソフトのWindows OSを備えたPCに対応する、高容量SIMMモジュールを可能にしました。

1988: Micron Introduces First Video RAM and Fast Static RAM Products

ビデオRAMおよび高速スタティックRAM製品を発売

256KビデオRAMおよび高速スタティックRAMの発売は、マイクロンの製品ポートフォリオを拡充、多様なメモリを提供するメモリメーカーとなりました。

1999: Micron 16-megabit DRAM Enables PCs with New Windows 3.1

16Mb DRAMでWindows3.1のPCを実現

容量におけるマイルストーンとなった16Mb DRAM は、4MbのDRAMラインナップに代わる主力となり、マイクロソフトのWindows 3.1の発売と同時に、PCのRAM要件が1Mbに変わるきっかけを作りました。

1999: Micron Produces Industry’s First Double-Data-Rate (DDR) DRAM

業界初のDDR DRAMを発表

サムライダブルデータレート(DDR)チップセットのデモンストレーションは、DDRメモリより低いコストで、競合するダイレクトRDRAMソリューションに相当する性能を提供できることを証明しました。最終的にこのDDRは、高性能DRAMのための業界標準のインターフェイスとしての地位を確立することになります。

2000: Micron Invents QDR SRAM, Doubling Memory Bandwidth

クアッドデータレートSRAMがメモリ帯域幅を2倍に

マイクロンの革新的なクアッドデータレート (QDR) アーキテクチャは、スイッチやルーターなどの通信用途のSRAM帯域幅を効率的に2倍にしました。この独特なデザインは2つのポートを使用し、ダブルデータレートで独立して実行され、クロックサイクルごとに4つのデータアイテムが生じます。

2002: Micron Demonstrates Industry's First 1-Gigabit DDR on 110nm Process

110nmプロセスにおける業界最初の1Gb DDRを発表

最先端の生産技術で製造された1Gb DDR(110nm)は、半導体大手のインテルやAMDの130nmを追い越し、容量やインターフェイス性能におけるメモリ業界の先駆者としての地位を確立しました。

2003: Micron Develops 1.3-megapixel CMOS Image Sensor

1.3メガピクセルCMOSイメージセンサーを開発

イメージセンサーへの参入は、電荷結合素子(CCD)センサーに匹敵する画質を持つCMOS技術を作ることができるイノベーターとしての地位を確立しました。今日、CMOSセンサーは、スマートフォンからハイエンドのプロフェッショナルギアまで、すべてのタイプのデジタルカメラにおけるスタンダードとなっています。

2004: Micron Unveils Pseudo-Static RAM (PSRAM) for Cell Phones

携帯電話用の擬似スタティックRAMを発表

擬似スタティックRAM(PSRAM)は、モバイル端末のSRAMに取って代わるために必要な高周波、高性能、低消費電力実現したものです。PSRAMにおけるマイクロンの主導的地位は、現在、モバイル端末で使用されている低電力DRAM製品への道を開くものとなりました。

2004: Micron Develops the Industry’s First 6F2 DRAM Cell

業界初の6F2 DRAMセルを開発

業界の8F2セル基準に取って代わる、全く新しい6F2セルアーキテクチャを開発しました。ウェハあたり約25%のビット増加を実現したこの大容量設計によって、最もコスト競争力の高いメモリメーカーとしての地位を取り戻すことができました。

2005: Micron Introduces High-Capacity, Low-Power Mobile LPDRAM

大容量、低電力のモバイルLPDRAMを発売

微小33mm2ダイの上に作られた16Mb DRAMは、小さいフットプリントにおけるさらなる高容量と低電力を実現しました。携帯電話のマルチメディア化にしたがい、LPDRAM要件は劇的に増加し続け、その傾向は今日のスマートフォンでも続いています。

2006: Micron Develops Mongoose Tester for Improved Accuracy, Lower Costs

正確性向上とコスト低下を目的にMongooseテスターを開発

DRAMテストスループットや正確性の向上を目的に、独自にテスターを開発しました。このテスターのプラットフォームを継続的に進化させ、新しい将来のメモリスタンダードに対応させています。

2006: Micron unveils the world's highest-density server memory module

世界最大容量のサーバーメモリモジュールを発表

マイクロンの16Gb DDR2モジュールは、2000年代のサーバーメモリフットプリントの急激な成長を推進しました。この時代、仮想化技術により複数のアプリケーションがひとつのサーバー上に搭載されました。これらの高容量サーバーモジュールは、今日もトレンドとして続いています。

2007: Micron Develops Industry’s First Pitch-Doubled NAND

業界初のダブルピッチNANDを開発

ダブルピッチはリソグラフィ変更なしにビット容量を増やすため、リソグラフィ技術として導入されました。この方法は、第1および第2の金属層へのビットラインの分離にかかわり、これにより既存の50nm技術の上で16Gb MLCデバイスを提供できるようになりました。

2007: Micron Introduces Low-Latency, Low-Power RLDRAM-2 Memory

低レイテンシソリューション、低電力 RLDRAM 2メモリを改良

従来ネットワーキングのために設計されたこの高性能 DRAMは、すぐに予想外のアプリケーション、DLPベースのTVおよびプロジェクターに選択されました。容量が増加する一方で、低レイテンシ DRAMは現在のネットワーキングアプリケーションにおいて必需品となっています。

2007: Micron and Intel First to Deliver Sub-40nm NAND Flash Memory

インテルと初のSub-40nm NANDフラッシュメモリを発売

このマルチレベルセル (MLC) NANDフラッシュデバイスは、デジタルカメラ、パーソナルミュージックプレイヤーおよびデジタルカムコーダーを含む非常に小さいファクタデバイスで高容量ソリッドステートストレージが使用できる、業界初のモノリシック32Gb NANDでした。

2009: Micron Ships RealSSD™ C300, Industry’s Fastest Client SSD

業界最速のクライアントSSD、RealSSD™ C300を出荷

立ち上げ時、C300はノートブックおよびデスクトップのための業界最速のSSDでした。SATA IIIインターフェースのおかげで、このSSDは6Gb/sの速度を可能にし、データ転送、アプリケーションロードおよびブート時間の処理速度を著しく向上させました。

2011: Micron and Intel Announce World’s First 20nm MLC NAND

インテルと世界初20nm MLC NANDを発表

この128Gb MLCメモリは、1Tbの データを、新しいストレージベンチマークを設定するたった8つのダイの単一で手軽なサイズのパッケージに保存することができます。さらに、初めてスタンダードフローティング・ゲート NANDのスケーリング制約を乗り越えた、革新的なプラーナセル構造を使用したものでした。

2011: Micron Debuts Hybrid Memory Cube (HMC) Architecture

ハイブリッドメモリキューブ (HMC) アーキテクチャの登場

ハイブリッドメモリキューブ (HMC) はシリコン貫通電極 (TSV)技術を使用し、メモリダイのスタックと高速ロジックを結びつける画期的なDRAM アーキテクチャです。HMCから得た知識は将来の新世代のメモリ技術へ応用されます。

2012: Micron Announces Industry’s First 2.5-inch PCIe Enterprise SSD

業界初 2.5-インチ PCIeエンタープライズSSDを製造

このソリューションは、ホットスワイプ 2.5-インチ フォームファクタおよびカスタムマイクロンコントローラと高性能 PCI Eエクスプレスインターフェースを一つにし、企業パフォーマンスのスケーラビリティおよび有用性に新しい選択肢を提供しました。

2012: Micron Creates New Low Power DRAM Category for Ultrabooks™

Ultrabook™ デバイスのための低電力 DRAMカテゴリを創造

DDR3L-RS メモリは「低消費電力」DRAMソリューションの新しいカテゴリを生み出し、ラップトップ、タブレットおよびUltrabookシステムなどの新世代の高性能、超薄型デバイスに対応した、より長いバッテリ寿命を可能にしました。
*Ultrabookはインテル社または米国および/またはその他の国におけるインテル社子会社の商標です。

2013: Micron Delivers World’s Smallest 16nm NAND Flash Device

世界最小の16nm NAND フラッシュデバイスを発売

マイクロンの16nmプロセス技術により、シングルダイ、最大容量プレーナ NANDフラッシュメモリの16Gbのストレージを立ち上げました。このプロセスでは、単一300mmウェハで6Tb近くもの容量ストレージを作ることが可能です。

2014: Micron Announces Industry's 1st Monolithic 8Gb DDR3 SDRAM

業界初モノリシック8Gb DDR3 SDRAMをリード

この単一のコンポーネントにより、シングルチップで1ギガバイトまでの容量が著しく増大しました。大規模、データ重視のワークロードのサポートを最適化する、コスト効率の高い高容量ソリューションを可能にします。

2015: Micron and Intel Unveil 3D NAND, the Highest-Density Flash Ever Developed

インテルと3D NAND、最大容量のフラッシュを発表

3D NANDは、未来の半導体において重要な転機となります。データストレージセルを垂直に積層することによって、プレーナ NAND技術より3倍高い容量を実現しました。

2015: Micron and Intel Announce Breakthrough Memory 3D XPoint™ Technology

インテルと画期的な3D XPoint™技術を発表

3D XPointは、メモリプロセス技術および過去数十年のメモリカテゴリにおける、画期的な成果を示す技術です。この不揮発性メモリは、NANDと比較して1,000倍高速で、最大1,000倍の耐久性を有します。

2016: Micron Introduces GDDR5X, the World’s Fastest Graphics DRAM

世界最速のグラフィックスDRAM、GDDR5Xを発売

このメモリの史上最高のピンあたりのデータレートは、最強のグラフィックスパフォーマンスおよびGPGPU計算能力を可能にしました。14Gb/s までのデータレートを可能にし、それまでのGDDR5メモリと比較して帯域幅を2倍にしました。

Micron Xccela Flash 

新しいタイプのインターフェースバスを促進するためのXccela™コンソーシアムを設立

Xcella™業界コンソーシアムの設立は、揮発性および不揮発性メモリの両方に対応する新しいタイプの高性能のデジタル相互接続のXccelaバスインターフェースの適用を促進しました。

Micron® Authenta™ Technology 

IoTデバイスのためのAuthenta™ セキュリティ技術を発表

この技術により、フラッシュメモリの強力な暗号IoTデバイス識別および健全性管理が可能になりました。最下層のIoTデバイスソフトウェアに独自レベルの保護を提供し、ブートプロセスで起動します。

Micron NVDIMM-N module 

NVDIMMの容量を2倍にし、32Gbまでに拡大

DDR4 NVDIMMの容量を、従来のソリューションの2倍の32Gbに向上しました。また、永続メモリとしても知られ、電力喪失後もDRAMに永久的にデータを保存することができます。マイクロン 32Gb NVDIMM-Nモジュールは、高容量および非常に高速な処理能力を提供します。

Micron® 5210 ION SSD 

業界初のクワッドレベルセルNAND採用SSDを出荷

画期的なクワッドレベルセル (QLC) NAND技術を搭載した、業界初 SSDの出荷を開始しました。The Micron® 5210 ION SSDは以前、ハードディスクドライブ (HDD)が使用されていたセグメントでのトリプルレベルセル(TLC) NANDより、33パーセント高いビット容量を提供します。

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