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マイクロンの先進的な1ベータLPDDR5Xは次世代のモバイルイノベーションと
高度なエンド ユーザーエクスペリエンスをもたらします。
マイクロンテクノロジーは世界における情報の活用方法を変革し、メモリおよびストレージソリューションに革新をもたらす世界的リーダーです。私たちはDRAM、NAND、NORメモリを製造している唯一の企業であり、業界で最も広範な製品ポートフォリオを提供しています。 マイクロンのメモリソリューションは、コンピューティング、ネットワーキング、サーバ、データセンターから、モバイル機器、組み込み製品、コンシューマ、自動車および産業向けなど多岐にわたり、世界の人々の豊かな暮らしの実現と社会の発展に貢献しています。
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マイクロンは社員４名の半導体製品の設計会社として、アイダホ州ボイシの歯科医院の地下室で創業しました。最初の契約は、Mostek社の64Kメモリチップの設計でした。
世界最小の64K DRAM設計と賞賛されたその革新的なデザインは、1981年に初の64K製品を量産に導きました。
64K DRAMはアイダホ州ボイシの工場で最初に製造された製品で、Commodore 64ホームコンピュータを含む、初期に大量生産された多くのパーソナルコンピュータに搭載されました。
このチップは世界最小の256K DRAMダイとして発売されただけでなく、DRAM容量における業界のマイルストーンとなりました。256K DRAMは、より大きく読みやすいメモリセルを使うことで、創業まもないメモリのスタートアップ企業を大きく成長させるきっかけとなりました。
容量におけるマイルストーンとなった1Mb DRAMは、1980年代後半から1990年代におけるPCやグラフィックスカード用メインメモリの定番となりました。また、マイクロソフトのWindows OSを備えたPCに対応する、高容量SIMMモジュールを可能にしました。
256KビデオRAMおよび高速スタティックRAMの発売は、マイクロンの製品ポートフォリオを拡充、多様なメモリを提供するメモリメーカーとなりました。
容量におけるマイルストーンとなった16Mb DRAM は、4MbのDRAMラインナップに代わる主力となり、マイクロソフトのWindows 3.1の発売と同時に、PCのRAM要件が1Mbに変わるきっかけを作りました。
サムライダブルデータレート（DDR）チップセットのデモンストレーションは、DDRメモリより低いコストで、競合するダイレクトRDRAMソリューションに相当する性能を提供できることを証明しました。最終的にこのDDRは、高性能DRAMのための業界標準のインターフェイスとしての地位を確立することになります。
マイクロンの革新的なクアッドデータレート (QDR) アーキテクチャは、スイッチやルーターなどの通信用途のSRAM帯域幅を効率的に2倍にしました。この独特なデザインは2つのポートを使用し、ダブルデータレートで独立して実行され、クロックサイクルごとに4つのデータアイテムが生じます。
最先端の生産技術で製造された1Gb DDR（110nm）は、半導体大手のインテルやAMDの130nmを追い越し、容量やインターフェイス性能におけるメモリ業界の先駆者としての地位を確立しました。
イメージセンサーへの参入は、電荷結合素子（CCD）センサーに匹敵する画質を持つCMOS技術を作ることができるイノベーターとしての地位を確立しました。今日、CMOSセンサーは、スマートフォンからハイエンドのプロフェッショナルギアまで、すべてのタイプのデジタルカメラにおけるスタンダードとなっています。
擬似スタティックRAM（PSRAM）は、モバイル端末のSRAMに取って代わるために必要な高周波、高性能、低消費電力実現したものです。PSRAMにおけるマイクロンの主導的地位は、現在、モバイル端末で使用されている低電力DRAM製品への道を開くものとなりました。
業界の8F2セル基準に取って代わる、全く新しい6F2セルアーキテクチャを開発しました。ウェハあたり約25%のビット増加を実現したこの大容量設計によって、最もコスト競争力の高いメモリメーカーとしての地位を取り戻すことができました。
微小33mm2ダイの上に作られた16Mb DRAMは、小さいフットプリントにおけるさらなる高容量と低電力を実現しました。携帯電話のマルチメディア化にしたがい、LPDRAM要件は劇的に増加し続け、その傾向は今日のスマートフォンでも続いています。
DRAMテストスループットや正確性の向上を目的に、独自にテスターを開発しました。このテスターのプラットフォームを継続的に進化させ、新しい将来のメモリスタンダードに対応させています。
マイクロンの16Gb DDR2モジュールは、2000年代のサーバーメモリフットプリントの急激な成長を推進しました。この時代、仮想化技術により複数のアプリケーションがひとつのサーバー上に搭載されました。これらの高容量サーバーモジュールは、今日もトレンドとして続いています。
ダブルピッチはリソグラフィ変更なしにビット容量を増やすため、リソグラフィ技術として導入されました。この方法は、第1および第2の金属層へのビットラインの分離にかかわり、これにより既存の50nm技術の上で16Gb MLCデバイスを提供できるようになりました。
従来ネットワーキングのために設計されたこの高性能 DRAMは、すぐに予想外のアプリケーション、DLPベースのTVおよびプロジェクターに選択されました。容量が増加する一方で、低レイテンシ DRAMは現在のネットワーキングアプリケーションにおいて必需品となっています。
このマルチレベルセル (MLC) NANDフラッシュデバイスは、デジタルカメラ、パーソナルミュージックプレイヤーおよびデジタルカムコーダーを含む非常に小さいファクタデバイスで高容量ソリッドステートストレージが使用できる、業界初のモノリシック32Gb NANDでした。
立ち上げ時、C300はノートブックおよびデスクトップのための業界最速のSSDでした。SATA IIIインターフェースのおかげで、このSSDは6Gb/sの速度を可能にし、データ転送、アプリケーションロードおよびブート時間の処理速度を著しく向上させました。
この128Gb MLCメモリは、1Tbの データを、新しいストレージベンチマークを設定するたった8つのダイの単一で手軽なサイズのパッケージに保存することができます。さらに、初めてスタンダードフローティング・ゲート NANDのスケーリング制約を乗り越えた、革新的なプラーナセル構造を使用したものでした。
ハイブリッドメモリキューブ (HMC) はシリコン貫通電極 (TSV)技術を使用し、メモリダイのスタックと高速ロジックを結びつける画期的なDRAM アーキテクチャです。HMCから得た知識は将来の新世代のメモリ技術へ応用されます。
このソリューションは、ホットスワイプ 2.5-インチ フォームファクタおよびカスタムマイクロンコントローラと高性能 PCI Eエクスプレスインターフェースを一つにし、企業パフォーマンスのスケーラビリティおよび有用性に新しい選択肢を提供しました。
DDR3L-RS メモリは「低消費電力」DRAMソリューションの新しいカテゴリを生み出し、ラップトップ、タブレットおよびUltrabookシステムなどの新世代の高性能、超薄型デバイスに対応した、より長いバッテリ寿命を可能にしました。
*Ultrabookはインテル社または米国および/またはその他の国におけるインテル社子会社の商標です。
マイクロンの16nmプロセス技術により、シングルダイ、最大容量プレーナ NANDフラッシュメモリの16Gbのストレージを立ち上げました。このプロセスでは、単一300mmウェハで6Tb近くもの容量ストレージを作ることが可能です。
この単一のコンポーネントにより、シングルチップで1ギガバイトまでの容量が著しく増大しました。大規模、データ重視のワークロードのサポートを最適化する、コスト効率の高い高容量ソリューションを可能にします。
3D NANDは、未来の半導体において重要な転機となります。データストレージセルを垂直に積層することによって、プレーナ NAND技術より3倍高い容量を実現しました。
3D XPointは、メモリプロセス技術および過去数十年のメモリカテゴリにおける、画期的な成果を示す技術です。この不揮発性メモリは、NANDと比較して1,000倍高速で、最大1,000倍の耐久性を有します。
このメモリの史上最高のピンあたりのデータレートは、最強のグラフィックスパフォーマンスおよびGPGPU計算能力を可能にしました。14Gb/s までのデータレートを可能にし、それまでのGDDR5メモリと比較して帯域幅を2倍にしました。
Xcella™業界コンソーシアムの設立は、揮発性および不揮発性メモリの両方に対応する新しいタイプの高性能のデジタル相互接続のXccelaバスインターフェースの適用を促進しました。
この技術により、フラッシュメモリの強力な暗号IoTデバイス識別および健全性管理が可能になりました。最下層のIoTデバイスソフトウェアに独自レベルの保護を提供し、ブートプロセスで起動します。
DDR4 NVDIMMの容量を、従来のソリューションの2倍の32Gbに向上しました。また、永続メモリとしても知られ、電力喪失後もDRAMに永久的にデータを保存することができます。マイクロン 32Gb NVDIMM-Nモジュールは、高容量および非常に高速な処理能力を提供します。
画期的なクワッドレベルセル (QLC) NAND技術を搭載した、業界初 SSDの出荷を開始しました。The Micron® 5210 ION SSDは以前、ハードディスクドライブ (HDD)が使用されていたセグメントでのトリプルレベルセル(TLC) NANDより、33パーセント高いビット容量を提供します。