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製品
DRAM
はい。マイクロンの1.35V部品はすべて1.5Vのものと互換性があります。
はい。マイクロンは、モードレジスタを使用してDLLを無効化するオプションの機能「DLL無効モード」に対応しています。この機能により、DRAMの動作周波数を125MHz以下にすることが可能です。ただし、タイミングに関しては、リフレッシュインターバルの規定を引き続き厳守する必要があります。また、DLL無効モードで動作させる場合は、特別な条件が適用されます。詳細および制限については、デバイスデータシートを参照してください。
DDR3では、任意のクロック周波数レンジに対し、1つのCWLのみ有効です。- tCKavg = 2.5ns～<3.3ns、CWL = 5 - tCKavg = 1.875ns～<2.5ns、CWL = 6 - tCKavg = 1.5ns～<1.875ns、CWL = 7 - tCKavg = 1.25ns～<1.5ns、CWL = 8
マイクロンでは、1Gb、2Gb、4Gb、8Gbの密度に対応した製品を提供しています。
DDR3では8nプリフェッチアーキテクチャーを使用しているため、本来のバースト長4（BL4）では動作しません。これを解決するために、DDR3ではバーストチョップモードを搭載しています。この機能は次世代SDRAMでも利用可能です。DDR3でバーストチョップを使うことにより、バースト転送の最後の4ビットがマスクされます。したがって、バーストチョップ4（BC4）のタイミングは本来のBL4とは異なります。READ-to-WRITEに関しては、［WRITE-to-READ］を選択し、次に［WRITE-to-PRECHARGE］移行を選択すると、システム上でBC4モードのクロック減速が達成されます。READ-to-READまたはWRITE-to-WRITEの移行を行う場合、タイミングはBL8と同様にします。クロック減速は生じません。DDR3はBC4かBL8のみに対応しています。ただし、これらの間でアドレスピンA12を介してスイッチを行うオンザフライ（OTF）オプションもあります。詳細についてはデバイスデータシートを参照してください。
ダイナミックODT（Rtt_WR）を使用すると、WRITE中に「モードレジスタセット」コマンドを実行せずに、DRAMの終端値を変更することができます。Rtt_WrおよびRtt_Nomを有効にすると、DRAMはWRITEバーストが開始した時点で終端値をRtt_NomからRtt_Wrに変更します。バーストが完了すると、終端値はRtt_Nomに戻ります。Rtt_WrはRtt_Nomとは個別に使用することができますが、終端されるのはWRITEのみとなります。
ZQCLとは、ZQ Calibration Long（ZQキャリブレーションロング）の略です。このコマンドは、処理が完了するのに512クロックを必要とするコマンドで、電源投入・初期化シーケンス中に必ず発行しなければなりません。電源投入と初期化が完了すると、このコマンドはDRAMがアイドル状態であればいつでも発行することができます。後続のコマンドは246クロックのみを必要とします。このコマンドは、ZQCSで対応できるインピーダンスのエラー補正量よりも多くの補正を必要とする場合に使用します。ZQCSとは、ZQ Calibration Short（ZQキャリブレーションショート）の略です。このコマンドはDRAMがアイドル状態であればいつでも実行することができます。1回のZQCSコマンドで最小0.5パーセントのインピーダンスエラーを補正することができ、完了には64クロックを必要とします。
MPRとは、Multi Purpose Register（多用途レジスタ）の略です。このレジスタは、DRAMがあらかじめ定義されたデータを出力できるように特化されたものです。データは1ビット幅で、プライムDQから出力されます。マイクロンのDDR3部品では、プライムDQはx4/x8でDQ0、x16でDQ0/DQ8となっています。MPRでは2つの場所が定義されています。1つの場所では、あらかじめ定義されたデータのバースト（01010101）が出力されます。もう1つの場所は、オンダイ式熱センサーからリフレッシュトリップポイントを出力する場合に使用されます。
DDR3はVdd = VddQ = 1.5V ±0.075Vで動作します。DDR3LはVdd = VddQ = 1.35V（1.283～1.45V）で動作します。
DDR3の出力ドライバーのインピーダンスは、デフォルトで34オームです。このインピーダンスは、外部の240オーム抵抗（RZQ）に対するキャリブレーションに基づいています。
RESET#ピンはDRAMに対するマスターリセットとして使用されます。これはアクティブLOWの非同期入力です。RESET#が有効になると、DRAMの出力は無効化され、ODTはオフ（High-Z）状態になります。DRAMのカウンター、レジスタ、データは不定となります。RESETは電源投入・初期化シーケンスの一環として必ず実行する必要があります。このシーケンス中は、RESET#をLOW（最小200µs）で維持しなくてはなりません。電源投入・初期化が完了した後は、いつでもRESET#を有効にすることができます。有効にする場合、RESET#をLOW（最小100ns）で維持し、すべての初期化を実行する必要があります。
DDR3モジュールでは、シグナリングを向上させるために、Fly−by（フライバイ）テクノロジーをコマンド、アドレス、制御シグナル、クロックに適用しています。このテクノロジーは、シグナルルーティングの特性上、DRAM上のクロックとDQバス間に固有のクロックスキューを生じさせます。ライトレベリングは、システムコントローラがDRAM上でクロックに対するDQストローブ（DQS）のスキューを除去する方法です。コントローラは、DRAMによる簡易フィードバック機能により、スキュー量を検知して補正を行うことが可能になります。
ZQキャリブレーションのコマンドは、専用の抵抗（240オーム±1パーセント）がDRAMのZQピンからグランドに接続されている場合に、プロセス、電圧、温度にわたってDRAMの出力ドライバー（Ron）とODT値（Rtt）を補正するものです。DDR3には、2つの異なるキャリブレーションコマンドがあります。ZQキャリブレーションロング（ZQCL）とZQキャリブレーションショート（ZQCS）です。ZQCLは通常、電源投入、初期化、リセットシーケンス中に使用されますが、システム環境によっては、コントローラによって随時発行されることもあります。ZQCSは、電圧と温度の小さな変動を考慮して周期的なキャリブレーションを実行するために使用され、短時間で完了する必要があります。
DDR3は、120、60、40、30、20オームのRtt_Nom値に対応しています。ダイナミックODT値（RTT_WR）は120オームと60オームです。
はい。マイクロンのDDR3は0～95°CのTCASEに対応しています。
DDR2-1066を2つのスロットで使用するのは現実的ではありません。シミュレーションでは許容可能なマージンが示されていません。
on-dieターミネーション（ODT）の電力はアプリケーションに大きく依存しています。ODTはさらに、DRAMのEMR設定によって変動します。DDR2電力計算機を使用して消費電力の値を判断してください。
2点間システムでは、ODTはWRITEサイクルでのみ有効となります。アイドル状態およびREADサイクルでは電力を消費しません。こうしたインスタンスにおいて、オンボードターミネーションは電力を消費します。ODTの消費電力は、一般的なアプリケーションでは、DDR2 DRAMの合計消費電力の約2～3パーセントとなります。
VREFピンはリーク電流を別として電力を消費しません。その場合のリーク電流も5µA未満となっています。
いいえ、VDDQ/2で維持する必要があります。
技術的には可能ですが、SDRAMで電圧マージンが失われるため、お勧めはしません。
DLLをオフにしてもDRAMが動作する場合がありますが、このような操作はJEDEC規格で規定されておらず、サポートもされていません。したがって、DLLを無効化して実行するという設定にした場合、各DRAM設計によって異なる動作をする可能性があります。マイクロンでは、DLLを無効化したDRAMの動作は一切サポート・保証しておりません。DLLを無効化してDRAMを動作させると、故障やDRAM出力タイミング仕様の違反が生じる可能性があります。
RDQSの唯一の目的は、x4 RDIMMシステム上でx8 RDIMMの使用をサポートすることです。このRDQSピンによって、x8 DDR2 SDRAMは2つのx4をエミュレートすることができます。
最大値は設計の実装によって異なります。データのセットアップ時間とホールド時間には150ps以上のマージンを確保して設計する必要があります。データシートにはシングルエンドDQSスルーレートの定格低減表があり、タイミングを分析する際にはこれを参照する必要があります。シグナルインテグリティのシミュレーションとハードウェア特性評価を用い、計算したタイミングを綿密に分析することをお勧めします。
READを実行する場合、DRAMはストローブとデータをエッジ調整します。コントローラの大半はストローブを感知し、データウィンドウの位置を決定します。こうした緻密なストローブやデータ調整を実現するため、各DRAMは内部DLLを搭載する必要があります。DLLは有限周波数で実行するようになっており、この数値は各DRAMのデータシートに規定されています。DRAMをこの規定値に従わずに実行すると、DLLに予測不可能な動作が生じる可能性があります。DRAMの動作テストはデータシートの規定値に基づいて行われています。マイクロンは、規定値に従わずにDRAMを動作させることをお勧めせず、保証もいたしません。
はい。すべてのスピードグレードで互換性があります。そのため、-5Bは-6Tのタイミングと-6Tの電圧レベル（2.5V）で動作します。DDR400の速度では、マイクロンの部品に（JEDEC規格に準拠した）Vdd = VddQ = 2.6V ±0.1Vが必要となります。より遅いスピードグレード（DDR333からDDR200）で、マイクロンの部品は互換性があり、Vdd = VddQ = 2.5V ±0.2Vのみが必要となります。
マイクロンのDDR SDRAMではVREFの供給にあたって個別のレギュレーターを使用する必要はありません。ただし、VREFはすべてのシングルエンド入力の参照電圧であるため、ひとつの基板上で複数のICとレギュレーターを共有することで生じるノイズか、VDD電力に電圧分離器を使用することで生じるノイズにより、こうした入力ではノイズマージンが直接影響を受ける可能性があります。多くのマルチドロップシステムでは、DDRメモリの電圧レギュレーターを指定しています。その他、ポイントツーポイントメモリを組み入れているシステムでは、VDDとVSS間で単一の電圧分離抵抗ネットワークを使用するのが一般的です。システム設計者は、それぞれのシステムの特徴をふまえたうえで優先事項と妥協点を検討し、そのシステムにとって最適な電力供給方式を採用する必要があります。
マイクロンは今後数年間、引き続きSDRをサポートする予定です。詳細については、マイクロンの営業担当者までお問い合わせください。
マイクロンは今後数年間、引き続きDDRをサポートする予定です。詳細については、マイクロンの営業担当者までお問い合わせください。
はい。セルフリフレッシュ中はVREFが必要です。すべてのDDRコンポーネントのオンチップアドレスカウンターはセルフリフレッシュモード中も稼働しているため、VDDはデータシートの規定制限値に基づき維持する必要があります。繰り返しますが、DDRメモリをセルフリフレッシュモードにした後でVREFを無効化してはいけません。無効化してしまうと、セルフリフレッシュモードが強制終了する可能性があります。VREFはほとんど電力を消費しないことを念頭に置いてください。VREFが消費する電流はVTTやコアVDDに比べてほんのわずかです。DDRコンポーネントは通常、差動ペア共通ソース増幅器をSSTL_2インプットレシーバーとして使用しています。この回路ではVREFピンがインプットとして使用されるため、消費電流は少なくなります。消費電流がきわめて少ないため、このデバイスのインプットリーク電流（最大5µA）がVREFピンの最大消費電流とみなすことができます。通常、VTTの電力は基板上の別の場所から供給されており、その仕組みは、DRAMデバイスに加えて、モジュールやシステムで使用される他のコンポーネントによって異なります。
tWPSTの最大規定値はデバイスの上限値ではありません。デバイスはこのパラメーターを超えた値でも稼働しますが、システムパフォーマンス（バスターンアラウンド）は低下します。
リフレッシュ時間（tREF）内にすべてのROWアドレスがREADまたはWRITEされる場合、リフレッシュを実行する必要はありません （それぞれのROWアドレスは、リフレッシュサイクルの数値を参照した行番号です。たとえば、8,192/64msの場合、行番号は8,192となります）。DRAMでROWアドレスを選択すると、リフレッシュと同じアクションが実行されます。したがって、REFRESHコマンドを実行する必要はありません。
マイクロンでは、未使用のデータピンをHIGHかLOWに固定するよう推奨しています。マイクロンではDRAM製造でCMOSテクノロジーを使用しているため、フローティングになったままのデータピンはノイズの影響を受けやすく、ランダムな内部インプットレベルが生じる可能性があります。未使用ピンは抵抗を介してVDDかグランドに接続することができます。
NC（No Connect）ピンとは、内部で接続されていない、または内部での接続を許可されていないデバイスピンを指します。マイクロンでは、NCピンに外部接続しないことをお勧めしています。ただし、うっかり接続してしまったとしても、デバイスの動作には影響が及びません。NCピンは今後使用するために取り置かれている場合もあります。こうした取り置きについて確認したい場合には、NCピンのデータシートを参照してください。NF（No Function）ピンとは、デバイスに電子的に接続されているが、デバイスの運用でシグナルが全く機能していないデバイスピンを指します。マイクロンでは、NFピンに外部接続しないことを強くお勧めしています。DNU（Do Not Use）ピンとは、内部で接続されているかどうかにかかわらず、外部接続が許可されていないデバイスピンを指します。マイクロンでは、DNUピンに外部接続しないよう規定しています。詳細については、DNUピンのデータシートを参照してください。
マイクロンのテクニカルノート「サーマルアプリケーション」（TN-00-08）の3ページ目を参照してください。機能性や動作以外の質問であれば、DDR SDRAMのデータシートに規定されているストレージ温度の上限値を参照してください。
はい。すべてのスピードグレードで互換性があります。そのため、-5Bは-6Tのタイミングと-6Tの電圧レベル（2.5V）で動作します。DDR400の速度では、マイクロンの部品に（JEDEC規格に準拠した）Vdd = VddQ = 2.6V ±0.1Vが必要となります。より遅いスピードグレード（DDR333からDDR200）で、マイクロンの部品は互換性があり、Vdd = VddQ = 2.5V ±0.2Vのみが必要となります。
マイクロンのSDR SDRAMデータシートでは、アクセスやプリチャージ状態の時はクロック周波数を安定させるように規定しています。ただし、マイクロンではお勧めしていませんが、SDRAMにはDLLがないため、ダイナミックにクロック周波数を変更することは可能です。設計上、周波数の変更が求められている場合には、LMRやCASレイテンシーの変更を行わなくても、SDRAM周波数を低くすることは可能です。周波数を高くする場合には、tCKとCASレイテンシーの仕様に準拠していることを確認してください。どちらの場合でも、データシートで規定しているその他のタイミング規定値を必ず遵守するようにしてください。
SDR SDRAMにはDLLがないため、クロック周波数の最小値はありません。ただし、デバイスが低周波数で動作する場合、セットアップやホールド時間違反のリスクを避けるためには、クロックエッジのスルーレートを適度な速さに維持することが重要です。また、動作周波数が45MHzの場合、tCKS = 3.0nsとなります。詳細については、「SDRAMスルーレート違反のLVTTLディレーティング」（TN-48-09）を参照してください。
はい。CK/CK#とDK/DK#の入力バッファは真の差動入力です。いずれのクロックも、RLDRAMデータシートで定義されている「クロック入力動作条件テーブル」の規定値に準拠していなくてはなりません。
はい。ただし、on-dieターミネーション（ODT）が有効になっている場合、DNUピンはVTTに接続されます。このような状態でDNUピンをGNDに接続すると、VTTの消費電力に大量の負荷がかかることになります。
簡易な4つのコマンドセットと短縮されたサイクルタイム（7ns tRCと同等）を特徴とします。
マルチバンクWRITEとは、SRAMのようなランダムREADアクセスタイムを許可する機能です。この機能を使うことにより、RLDRAM 3の低tRC（<10ns）をREAD中に最大75%まで低減することが可能になります。RLDRAM 3モードレジスタを介して、1つ、2つ、または4つのバンクを並行してWRITEするよう選択することができます。複数のバンクに同一のデータを保存することにより、メモリコントローラはtRC遅延を最小限に抑えるためにどのバンクでデータを読むかを柔軟に決定することができます。
マルチバンクWRITEは、SRAMのようなランダムREADを可能にする機能です。マルチバンクREFRESHは、これまでになく柔軟なリフレッシュオーバーヘッド管理を可能にし、1から4のバンクを並行してリフレッシュすることができる機能です。またRLDRAM 3は、クラムシェル設計のレイアウトを容易にするミラー機能にも対応しています。
はい。RLDRAM 3は新しいアーキテクチャーですが、DDR3とRLDRAM 2にはRLDRAM 3の導入や統合をできるだけ容易にするために活用できる多くの機能を備えています。コマンドプロトコル、アドレス指定、ストローブスキームはRLDRAM 2と同じです。一方、I/O、ACタイミング、READトレーニングレジスタはDDR3のものと非常に似ています。
はい。マイクロンのグリーンエンジニアリングプログラムはRoHS指令を遵守しており、アジアやヨーロッパなど世界で広がる新たな環境保護基準のほとんどに準拠しています。
マイクロンの部品は、JEDEC規格への準拠はもちろん、場合によってはそれ以上の性能を実現できるよう設計されています。規格が改定される都度、新しい仕様に合致するよう必要に応じて部品の設計を変更しています。そのような変更があった場合、お客様には製品変更通知（PCN）を送付してお知らせいたします。
LPDDR4XのI/O電圧（VDDQ）は1.1Vから0.6Vに引き下げられ、LPDDR4に比べてさらに消費電力が節減できています。LPDDR4Xのピン当たり最大データ転送速度はLPDDR4と同じままで、4,266Mbpsです。また、LPDDR4XはシングルエンドCK/DQS機能にも対応しています。
LPDDR5のピン当たり最大データ転送速度は6,400Mbpsと、LPDDR4（4,266Mbps）よりも1.5倍速くなっています。同時に、エネルギー効率性（pJ/ビット）も向上しました。他にも、LPDDR5には省電化を図る多くの機能が導入されています。詳細については、以下のテクニカルノートをご覧ください。
TN-62-02：LPDDR5インターフェース：LPDDR5インターフェースの説明およびLPDDR4Xとの違い
Rev. A – 4/19
TN-62-03：LPDDR5トレーニング：LPDDR5 SDRAMトレーニングの概要
Rev. A – 5/19
TN-62-04：LPDDR5クロッキング：LPDDR5クロッキングの説明（LPDDR4との簡単な比較結果も含む）
Rev. A – 5/19
TN-62-06：LPDDR5アーキテクチャー：LPDDR5アーキテクチャーの概要
Rev. A – 7/19
TN-62-07：LPDDR5 ZQキャリブレーション：LPDDR5 ZQキャリブレーションの概要
Rev. A – 12/19
TN-62-08：LPDDR5 NT on-dieターミネーション：LPDDR5 NT on-dieターミネーションについて
Rev. A – 7/19
ダイに関しては何の違いもありません。マイクロンがLPDRAM製品に「モバイル用」、「自動車用」、「組み込み型」と付加したのは、各市場セグメントに整合させるためです。「モバイル用」は、スマートフォンやタブレットのような携帯デバイスに使用します。「自動車用」は、自動車関連のデバイスに使用します。「組み込み型」は、一般的なコンピューターではなく、1つか2つの特別な機能を備えるために設計されたコンピューターシステムで使用します。組み込み型の場合、デジタルテレビ、カメラ、セットトップボックスなどの完成品のデバイスの一部としてLPDRAMを組み込みます。各市場セグメントには異なる製品要件（動作温度など）があり、部品番号に記載されています。実際の動作温度範囲については、それぞれのデータシートを参照してください。
動作温度
ブランク = 商用温度
IT = 産業用温度
AT = 自動車用温度
WT = ワイヤレス用温度
XT = 広範囲温度
UT = 超高温度
ET = 極端な温度
場合によって異なります。LPDRAMと標準SDR/DDRの価格を比較する場合、密度が決め手となります。また、LPDRAMはx16、x32、x64といった標準的な構成で提供されているため、現在2つのx16コンポーネントを使用したアプリケーションでx32バスに対応している場合などでは、全体的なBOMコストを引き下げることが可能です。2つの標準x16 DRAMの代わりに1つのx32 LPDRAMを使用することができるからです。価格の詳細については、現地の担当者にお問い合わせください。
LPDDR3は、バッテリー寿命と携帯性に最適化されています。一方、DDR3L-RSはDDR3Lダイの低消費電力版で、待機時の電力効率の改善と、優れたコストパフォーマンスを実現しています。
はい。LPDRAM部品は定格スピードグレードと同等の速度か、これよりも遅い速度で実行することができます。
マイクロンのLPDRAMは、消費電力が問題となる製品のために最適化された低電力デバイスで、最先端のテクノロジーとパッケージオプションを組み合わせ、スペース要件の達成とバッテリー寿命の拡張を実現しています。LPDRAMはDDR/SDRインターフェースと併せて提供しています。
マイクロンはこの急成長する市場に多大な関心を寄せており、今後も長期にわたってLPDRAMを製造していく予定です。また、密度の向上を目指して縮小化にも対応していきます。
マイクロンでは、幅広い密度とパッケージオプション（JEDEC準拠のFBGA、xMCP、パッケージ・オン・パッケージなど）による包括的なLPDRAM製品ポートフォリオを提供しています。マイクロンのグローバルなテクニカルサポートチームは、マイクロンでの豊富なLPDRAM経験を活かし、お客様の設計をいちだんと迅速に市販するにあたってのニーズに応じた専門性とサポートを提供しています。
DRAMモジュール
特にありません。1つまたは複数のメモリモジュールを使用する堅固なメモリサブシステムを設計する場合、シミュレーションを行って最適なトレース長やターミネーションを判断する必要があります。なお、マイクロンの設計ガイド（TN-47-01やTN-41-08など）では、典型的なシステム前提条件に基づくベストプラクティスや設計事例を紹介しています。ただし、こうしたガイドでは、お客様のシステムも同じように設計するための唯一の方法について解説しているわけではありません。ガイド内の説明はお客様の設計の取り掛かりとしてとらえていただき、最良のシステムとは何かを判断するにあたっての手順を例示しているとお考えください。
NVDIMMは不揮発性の永続メモリソリューションであり、NANDフラッシュ、DRAM、オプションの電源を組み合わせて、単一のメモリサブシステムを構築します。マイクロンのNVDIMMはNANDの定評のある信頼性との融合によりDRAMの高パフォーマンスレベルを実現しており、メモリ内に格納されたデータを電力損失から保護します。
NVDIMMはサーバーのDRAMメモリスロット内で動作し、DRAMの速度でワークロードを実行します。停電やシステムクラッシュが発生した場合、オンボードコントローラがDRAMに格納されたデータをオンボード不揮発性メモリに安全に転送することにより、データ喪失を防止します。システムの安定性が復旧した時点で、コントローラはデータをNANDからDRAMに戻し、中断したところからアプリケーションを再開できるようにします。
永続メモリとはメモリやストレージ階層に新たに加わったもので、プロセッサーに近い不揮発性の低レイテンシーメモリを提供することにより、いちだんと柔軟なデータ管理を実現しています。基本的に、永続メモリは、標準的なストレージテクノロジーによりアプリケーション上に生じるI/Oボトルネック（パフォーマンスの抑制原因になる）を除去することで、アプリケーションのパフォーマンスを加速します。DRAMバスに不揮発性メモリを配置するこのアーキテクチャーにより、DRAMに保存された変数へのアクセスを高速化し、データ移動を大幅に最適化することが可能になります。
こうした永続メモリの出現によって、システム設計者は、保護すべき重要なデータにアクセスする際はレイテンシーや帯域幅を犠牲にせざるを得ない、ということがなくなりました。重要なデータはプロセッサーの近くに格納することができるため、アクセス時間が大幅に削減されました。永続メモリは、独自の方法でレイテンシー、帯域幅、容量とコストのバランスをとる一方で、重要データへのDRAM並みの超高速アクセスを実現しているため、システム設計者は全体的なコストを容易に管理できます。
NVDIMMが真価を発揮するのは、不揮発性媒体（HDDやSSD）に格納された変数に依存するアプリケーションで、ほとんどのアプリケーションの処理を高速化します。永続変数には、メタデータログ、チェックポイント状態、ホストWRITEキャッシュ、WRITEバッファ、ジャーナルログ、一般ログなどがあります。こうした変数をNVDIMMに格納することでパフォーマンスが加速化されるアプリケーションとして、RAIDカード、SSDマッピング、RAMDisk、SSDのWRITEキャッシングを使用した2ノード構成の高可用性ストレージが挙げられます。
マイクロンは以下の3種類のDDR4 NVDIMM製品を提供する予定です。
- 8GB DDR4 NVDIMM（レガシーファームウェアを使用）
- 8GB DDR4 NVDIMM（JEDECファームウェアを使用）
- 8GB NVDIMM用のPowerGEM®ウルトラコンデンサ
レガシーファームウェアとは、初期のDDR4 NVDIMM設計において、AgigA Tech, Inc.が決定したファームウェア機能とコントローラレジスタの機能ロケーションを指します。ベンダー間のNVDIMM互換性を確保するため、JEDECにより、NVDIMMのファームウェア機能、レジスタロケーション、APIの規格が定められました。マイクロンの新たなNVDIMMソリューションはすべて、JEDECのファームウェアインターフェースを採用する予定です。
現在、マザーボード、サーバー、ストレージアプライアンスの多くがNVDIMMに対応しています。2016年にはさらに市場に参入する予定です。詳細については、お客様のサプライヤーにお問い合わせください。
NVDIMMはブロックモードまたはダイレクトアクセスドライバーのいずれかを利用しています。ブロックモードドライバーを使用しているNVDIMMは、OSやアプリケーションと互換性があり、ソフトウェアの修正はほとんどあるいは全く必要としません。ダイレクトマップ方式のドライバーを使用したNVDIMMを活用することにより追加のパフォーマンス能力が得られますが、OSとアプリケーションソフトウェアは多少修正する必要が生じると思われます。現在、マイクロンでは、大手OEM（相手先商標製造会社）やソフトウェア会社と協働し、NVDIMMハードウェア、ドライバー、ソフトウェアサポートを主力製品に組み入れるべく取り組んでいます。
NANDフラッシュ
eUSBとは、embedded universal serial bus（組み込みユニバーサルシリアルバス）の略で、USB業界基準に準拠したNANDフラッシュベースのメモリソリューションです。USBは複数のプラットフォームやオペレーティングシステムで広く採用されているインターフェースで、現在使用しているアプリケーションなどに向けた低コストかつ効率的なデータ転送ソリューションを実現します。
eUSBはNANDメモリを使用した完全管理ソリューションで、オンボードコントローラを介してすべてのメディア管理およびECC制御を内部で処理します。eUSBはお客様に完全なストレージソリューションを提供し、お客様のシステムに簡単に統合することができるため、市場化の時間を短縮することが可能です。
eUSBはグローバルウェアレベリングやダイナミックデータリフレッシュなどの豊富な管理機能を搭載したネイティブSLC NANDメモリを使用しており、卓越したパフォーマンスと信頼性が融合したソリューションです。
eUSBデバイスは、たいていのマザーボードに使われている業界基準の10ピンコネクターと互換性のある10ピン（2x5）USBメスコネクターを備えています。PCB上の取り付け穴（内部のグランドに直結）により、システムボードへしっかりと固定できる設計になっています。 また、PCボードに追加の取り付け穴（製造工程のデパネリングで使用）を設けており、必要に応じて予備の取り付け位置として機能します。
はい。マイクロンのeUSBは、オペレーティングシステムブートやメインストレージデバイスとして使用することができます。アプリケーションのBIOSはブートモード機能に対応している必要がありますが、過去5年の間に製造され、USB2.0に対応しているシステムならば、特に問題はありません。メインストレージとブートモードのいずれの場合でも、eUSBはシステム上で固定されたハードドライブとして認識されます。
はい。マイクロンが現在提供しているeUSBについては、部品カタログを参照してください。
マイクロンの最新世代であるeU500（eUSB 3.1）製品では、SMARTコマンドを使用して耐用年数データを取得する方法を提供しています。ただし、これより前の世代のeUSB製品は、ランタイムによる耐用年数データの取得に対応していません。
はい。マイクロンの最新世代のeU500（eUSB 3.1）製品には、USB 2.0プロトコルとの互換性があります。eU500シリーズは、前の世代のe230と同じフォームファクタ、電圧、コネクターに対応しています。マイクロンが現在提供しているeUSBについては、部品カタログを参照してください。
プレーナNANDフラッシュメモリは、メモリ業界の課題である微細化の限界に挑んだ製品です。 業界イノベーションでは、高密度かつ低い容量単価のスケーリングを実現する最先端のNANDテクノロジーが必要とされています。3D NANDは、密度の大幅な改善およびNANDフラッシュのコスト削減を達成しつつ、ムーアの法則に引き続き準拠したフラッシュストレージソリューションを実現しています。
Intelとマイクロンが開発した3D NANDテクノロジーは密度とコスト面で飛躍的な改善を遂げ、業界で初めて浮遊ゲートセルに使用される3D NANDとなりました。 この3D NANDによって、フラッシュデバイスは現在生産されている他のプレーナNANDダイよりも3倍の容量を持つことが可能であり、第1世代はプレーナNANDよりも高い費用効果を実現するように設計されています。さらに、レイテンシーや耐久性を向上するためのさまざまな機能が組み込まれており、システム統合も容易に実行できます。
マイクロンでは、パフォーマンスの向上や新規の機能を提供するために、さまざまな機能を統合しています。新規の機能には、システム統合を容易にできるよう、新たなプログラミングアルゴリズムや電力管理モードなどがあります。こうした機能の詳細については、FortisFlashを参照してください。
新たな3D NANDテクノロジーは浮遊ゲートセルを使用し、32レイヤーのフラッシュセルを垂直に重ねることで、標準パッケージに収まる256Gbのマルチレベルセル（MLC）と384Gbのトリプルレベルセル（TLC）ダイを実現しています。
現在、マイクロンでは大型のブロックデバイスのみを取り扱っています。詳細については、テクニカルノート「TN-29-07：小型ブロックと大型ブロックのNANDデバイスの比較」をお読みください。
マイクロンのNANDフラッシュデバイスで最大PROGRAM/READスループットを得るためには、PROGRAMとREAD CACHEのコマンドを使用します。これらのコマンドの使用方法については、NANDデバイスのデータシートと、マイクロンのNANDテクニカルノートに記載されたページを参照してください。
高速NANDは、1秒あたり最高200メガバイト（MB/秒）の速度でデータを読むことができ、最高100MB/秒の速度でデータを書き込むことができます。この速度は、新しいONFI 2.0インターフェース仕様とクロック速度を高めたフォープレーンアーキテクチャーを活用することにより実現しています。これに対し、従来のSLC NANDでは、データを読む速度は40MB/秒、データを書き込む速度は20MB/秒未満となっています。高速NANDのユーザーは、パフォーマンスのメリットを最大限に活かすために、新規のONFI 2.0同期インターフェース規格を採用する必要があります。
NVBは、minimum number of valid blocks（有効ブロックの最小数）の略で、プログラム／消去サイクル終了時点の最小値を指します。
マイクロンでは、512バイトセクションごとにECC要件を定義しています。MLC NANDデバイスは1セル当たりのビット数が多いため、SLC NANDよりも高いECC規定値が設けられています。ECC要件は設計によって異なるため、ECCの必要量については、デバイスデータシートを参照してください。
READ DISTURBエラーは同じデータが繰り返し読み出される際に発生します。NANDテクノロジーの性質上、READ DISTURBエラーの発生率はかなり低いものとなっています。READ DISTURBによるエラーを軽減するために、データのリフレッシュを実行して同一データの読み取り時間を短縮することをお勧めします。
NANDデバイスでPROGRAMまたはERASEコマンドを実行した後、必ずREAD STATUSコマンドを発行するようにしてください。PROGRAMやERASEコマンドを実行した後、結果のメッセージが表示されるので、PROGRAM／ERASEが成功したかどうかを確認してください。PROGRAMの後でREAD STATUSコマンドが失敗を報告した場合、データは他の場所でプログラムされ、プログラムされたブロックは無効になります。ERASEの後でREAD STATUSコマンドが失敗を報告した場合にも、ブロックは無効になります。
はい。
two-die NANDデバイスでは、単一のダイが各CE#にあるため、単一ダイのCE#ごとにデバイスIDが返されます。たとえば、2つのCE#ピンがある8Gb two-die NANDデバイスの場合、各CE#の4GbデバイスIDが返されます。詳細については、NANDデバイスデータシートの「Read ID」セクションをお読みください。
マイクロンのNANDフラッシュに関する詳細な技術情報（パフォーマンス強化コマンドの詳細を含む）は、NANDのテクニカルノートの該当ページに記載しています。
マイクロンでは、NANDデバイス用にVerilog、HSPICE、IBISモデルを掲載しています。お客様のニーズに合わせた適切なモデルを見つけるには、NAND部品カタログでお客様のデバイスを選び、そこに掲載されている利用可能なモデルを参照してください。
NANDデバイスで適切な量のエラー訂正コード（ECC）を使用しているか確認してください。ECCの上限値については、NANDデバイスデータシートの「エラー管理」セクションを参照してください。また、NANDメーカー（マイクロン）がマークした不良ブロックが使われていないことも確認してください。メーカーがマークした不良ブロックの検索方法の詳細については、NANDデバイスデータシートの「エラー管理」セクションを参照してください。
NANDデバイスに電源を入れた後、リセットコマンド（FFh）を発行してください。リセットコマンド（FFh）は、NANDデバイスの有効なチップイネーブル（CE#）ごとに発行しなくてはなりません。そのCE#に対して他のコマンドが発行される前に実行するようにしてください。
グラフィックスメモリ
グラフィックスDRAMは、きわめて広い帯域幅の要件に対応するために設計されたDDR SDRAMの一種です。標準的なDRAMとは異なり、グラフィックスDRAMは通常、SoCとして同一のPCBと結合し、常にメモリコンポーネントごとに32 DQをサポートしています。グラフィックスDRAMは、グラフィックスカードやゲームコンソールに加えて、ネットワーク、自動車、高性能コンピューティングなど、高帯域幅アプリケーションにも使用されています。
前の世代のGDDR5と比べ、GDDR5Xは高い密度と低い外部電圧（1.35V）を実現しています。また、GDDR5の2倍の帯域幅（10～16Gb/秒）があり、従来のディスクリートパッケージテクノロジー（FBGA）を維持しています。
はい、動作します。GDDR5Xには以下の2つの動作モードがあります。
- QDRモード：10Gb/秒以上の速度に対応しています。
- DDRモード：0.2～6Gb/秒の速度に対応し、GDDR5との互換性があります。
はい、GDDR5XにはIEEE 1149.1に準拠したバウンダリスキャンがあります。
マイクロンは業界で初めてGDDR5Xの量産を開始したメモリサプライヤーです。
はい、GDDR5X SGRAM基準は2015年12月に初めてJESD232として公表されました。最新のJEDECリリース版はJESD232Aです。
いいえ、GDDR5Xはパッケージサイズが異なるため、GDDR5から直接交換することはできません。GDDR5は170-ball 0.8mm-pitch BGAパッケージですが、GDDR5Xは190-ball 0.65mm-pitch BGAパッケージとなっています。
グラフィックスDRAMは、きわめて広い帯域幅の要件に対応するために設計されたDDR SDRAMの一種です。標準的なDRAMとは異なり、グラフィックスDRAMは通常、SoCとして同一のPCBと結合し、常にメモリコンポーネントごとに32 DQをサポートしています。グラフィックスDRAMは、グラフィックスカードやゲームコンソールに加えて、ネットワーク、自動車、高性能コンピューティングなど、高帯域幅アプリケーションにも使用されています。
前の世代のグラフィックスメモリに比べ、GDDR6は高い密度を実現しています。その帯域幅はGDDR5の2倍に達し、GDDR5Xの速度をも上回ります。さらに、デュアルチャネルアーキテクチャーを採用しているため、GDDR5メモリアクセスサイズとの互換性を維持しつつ、パフォーマンスが大幅に向上しています。
いいえ。
はい。
はい。GDDR6にはIEEE 1149.1に準拠したバウンダリスキャンがあります。
マイクロンは、2年以上にわたる設計、量産、テスト、アプリケーション学習で培ったGDDR5Xベース高速シグナルのノウハウをGDDR6製品に活用しています。これにより、マイクロンは、従来のメモリコンポーネントによる高速シグナル製品で市場リーダーの地位を維持しています。
はい、GDDR6 SGRAM基準は2017年7月に初めてJESD250として公表されました。
いいえ、GDDR6はパッケージサイズが異なるため、GDDR5やGDDR5Xから直接交換することはできません。GDDR5は170-ball 0.8mm-pitch BGAパッケージ、GDDR5Xは190-ball 0.65mm-pitch BGAパッケージですが、GDDR6は180-ball 0.75mm-pitch BGAパッケージとなっています。
ハイブリッドメモリキューブ
マイクロンでは引き続き高性能アプリケーションのメモリを開発・設計していく予定です。GDDRはロードマップサポートを提供しており、引き続きこの分野で成長し続けます。また、HBM開発プログラムも策定したところです。
該当する営業チームや流通担当者と相談し、最終購入注文の締切日までに最終購入数量をマイクロンまでご連絡ください。
上記をお読みください。
マイクロンはネットワーキング分野におけるメモリの大手サプライヤーであり、今後もこの分野の事業機会を重視し、評価していきます。
HMCCとは、Hybrid Memory Cube Consortium（ハイブリッドメモリキューブコンソーシアム）の略で、ハイブリッドメモリキューブテクノロジーの構築、デザインイン、実現に携わる業界リーダーで構成されるワーキンググループを指します。HMCCの目標は、業界で採用可能なハイブリッドメモリキューブインターフェースを定義し、さまざまなアプリケーションに対するHMCの統合を促進することにより、開発者、メーカー、イネーブラーがこの画期的なテクノロジーを活用できるようにすることです。
HMCCは重要性の高い探索的な研究開発に取り組んでいます。マイクロンは今後もHMCCをサポートし、テクノロジーに関する話し合いを通じて知見をHMCCに提供するとともに、顧客エンゲージメントから得た知識も提供していきます。
マルチチップパッケージ
いいえ。PoP/MCP部品については、ディスクリートコンポーネントと同じ品質テストを行っています。
Beagle BoardはマイクロンのNANDとMobile LPDDR PoPを組み合わせた部品を使用しています。密度は、ご使用のBeagle Boardのバージョンによって異なります。お求めの部品の第2コード（5桁の英数字）をマイクロンのFBGA Decoderに入力すると、該当するマイクロンの部品番号が表示されます。
システムソリューションの観点からみると、PoPは直接プロセッサーにマウントされるため、PCBに転送されるトレースを必要としません。これによって、お客様のコストを節約できるだけでなく、シグナルインテグリティも向上します。
市場は小型PoPフォームファクタの要件を求めるようになっており、すでにこのテクノロジーを導入している委託製造業者もいます。PoPによりルーティングコストを削減し、シグナルインテグリティを向上できます。こうしたコストやパフォーマンス面のメリットを考慮すると、マイクロンとしては、お客様の委託製造業者と協働し、このテクノロジーにスムーズに移行するようお勧めします。
ディスクリート部品からPoPのテストに移行する場合、ディスクリートコンポーネントを含む設計にスタブが残っていないことを確認する必要があります。必要であれば、ゼロオーム抵抗で、ディスクリート部品に使用したトレースからメモリを分離します。
マイクロンでは、x16 NANDとx32 Mobile LPDDRを定番の製品として販売していますが、x8 NANDとx16 Mobile LPDDRも取り扱っています。最新の情報については、マイクロンのカスタマーサポートにお問い合わせください。
MCPとは、Multichip Package（マルチチップパッケージ）の略で、コントローラで使用する複数のダイが含まれています。PoP（Package on Package）は、プロセッサーの上部にパッケージを積層するMCP（マルチチップパッケージ）の実装形態を指します。上部には、PoPのボールアウトに接合するパッドがあります。PoPパッケージはプロセッサーの上部に積層されるため、PCBに転送するトレースを必要とせず、シグナルインテグリティが向上します。PoPパッケージはさまざまなプロセッサーに合わせて設計されています。こうしたPoP／MCPデバイスにより、設計者はZスペースの利点を活かし、単一パッケージに複数のロジック（たとえば、NAND + Mobile LPDDR、e.MMC™ + NAND + Mobile LPDDRなど）を提案する柔軟性を得られます。マイクロンでは、お客様のニーズにお応えするため、幅広く製品を取り揃えております。
ソリッドステートストレージ
ベアダイ
マイクロンのダイ製品はホールウエハーの形態で提供しており、水平式ウエハーシッパー（コインスタック）またはベンダーボックスで発送しています。お客様がマイクロンのウエハー製品を保管・開封する際は、必ずクリーンルーム環境で行ってください。詳細については、「CSN 20：ホールウエハーパッケージ」を参照してください。
標準的な「非接地」ウエハーの厚さは、200mmウエハーで750µm、300mmウエハーで790µmとなっています。また、製品によっては、200mmウエハーの追加オプションとなる厚みのウエハーを複数提供しています。規格外のダイの厚みのオプションについては、ダイデータシートを参照してください。お客様のご要望に応じて、カスタマイズした厚みをご提供することもできます。詳細については、営業担当者までお問い合わせください。
サポート
シリアルプレゼンス検出
マイクロンでは、SPD値を生成する独自のアプリケーションを使用し、エンジニアのインプットとルールデータベースに基づき、各部品番号のSPD値を決定しています。データベースに格納されたルールは、JEDEC SPD仕様書に準拠するよう細心の注意を払いつつ記述されています。このプロセスによって、互換性と一貫性が確保されています。
モジュールのSPD仕様書はJEDECが定めています。マイクロンでは、JEDEC基準番号21-Cにある複数のSPD仕様書を参照して、SDRAM、DDR、DDR2、DDR3、FBDIMMモジュールのSPDデータを決定し、生成しています。これらの仕様書はwww.jedec.orgで公開されています（承認されたものに限ります）。未完了または未承認の仕様書については、JEDECのメンバーのみが閲覧することができます。
Serial Presence Detect（シリアルプレゼンス検出）です。
SPDデータはモジュールの電子的・物理的特徴を表すものです。このデータはモジュール上のEEPROM（電気的に消去・プログラム可能な読み出し専用メモリ）に恒久的に保存されます。基本入出力システム（BIOS）がSMBusを介してSPDデータにアクセスします。BIOSはこのデータを使用して、設置されたメモリの最適化を図るために、システムのコンフィギュレーションを実行します。
SPDテーブルはバイトごとの16進数の値を示すものです。この値は各メモリモジュールのEEPROMに格納されています。
シミュレーションモデル
マイクロンのモジュールは、パリティシステムと非パリティシステムの両方にハードウェアの互換性を持つよう製造されています。Par_in（parity in）と高次アドレスシグナルには、弱いプルダウン抵抗（100K-オーム）があり、スイッチポイント周辺の振動によるインプットを安定化します。Err_out（パリティエラーアウト）はオープンドレインを意味し、パリティシステムで使われない限り、「真に接続なし」のままにしておきます。パリティモジュール上のSPDデータはパリティを反映しています。ごくまれにですが、非パリティシステムのファームウェアやBIOSがSPDのパリティビット上でエラーを起こすことがあります。そのため、システム設計者は、非パリティシステムのファームウェアがこの部分のSPDデータを予測または無視していることを確認する必要があります。
適切なモデルを使用するために、コネクターメーカーからコネクターモデルを入手することをお勧めします。マイクロンでは、シンプルな非連結RLCコネクターモデルを提供できます。お客様はこのモデルをそのままご利用になるか、あるいはこのモデルを参考にしてご自身のコネクターモデルを作成することもできます。このモデルをご要望の場合は、DRAMサポートまでメールでお問い合わせください。
原則として、お客様にGerberファイルとODB++ファイルは提供していません。なぜならば、これらのファイルにはマイクロンの設計に関する機密情報が含まれており、無断で製品の量産に利用される可能性があるからです。通常、お客様がGerberファイルを必要とする理由はないはずです。GerberファイルはPCBを量産するためにPCBメーカーに提供するものです。IBIS、EBD、ボードファイルでも、お客様がモデルを作成してシグナルインテグリティのシミュレーションを実行するのに十分な情報を提供しています。
マイクロンは大方のモジュールについて、お客様のご要望に応じてHyperlynxモデルを提供しています。ご要望の際は、DRAMサポートにメールでお問い合わせください。その時に、ご希望のモジュールの部品番号をお知らせください。なお、お客様のご要望のメールを受け取ってからモデルをお届けするまで、2週間程度かかる場合があることをご了承ください。
モジュール用のVHDLモデルは提供しておりません。マイクロンのモデリングリソースは、業界でより多く活用されているIBIS、Verilog、HSPICEといったモデリング標準に重点を置いております。ただし、VHDLモデルの代替として次のような選択肢をご用意しております：Denali社とSynopsys社は、それぞれの自社ウェブサイトでメモリコンポーネントとモジュールモデルのライブラリを公開しています。両社のEDAパッケージは、VHDLモデルの代わりに行動シミュレーションを作成する代替手段となります。また、ModelSimなどのシミュレーターは二言語オプション（VHDLとVerilog）も提供しています。この方法でシミュレーションを行うには、現在入手可能なVerilogモデルにVHDLラッパーを使用してください。
モデルが対応しているドライブ強度を確認するには、以下を行ってください。
- HSPICEモデル：.spファイルで対応のドライブ強度に関する情報と選択方法を参照してください。
- IBISモデル：［モデルセレクター］セクションでテキスト検索を行ってください。このセクションは、指定のインプット／アウトプットまたはアウトプットバッファで選択できるドライブ強度について説明しています。
HSPICEモデル：readmeファイルでダイリビジョン情報を参照してください。
IBISモデル：ファイルの冒頭でダイリビジョン情報を参照してください。
マイクロンでは、ラボ計測のモデルを検証するにあたって、入力容量、電力・グランドクランプダイオードの特性、出力バッファのドライブ強度、出力バッファのスルーレートなど、複数の項目を比較分析しています。マイクロンの新しいモデルには、モデル特性をラボ計測やデータシート仕様と比較した品質レポートが含まれています。
マイクロンのモデルは、その大半がIBIS 4.0固有のキーワードをほとんど含んでいません。たいていの場合、このモデルは簡単な変更を少し加えるだけでIBIS 3.2規格にすることができます。まず、［IBIS Ver］キーワードを3.2に変更してください。次に、各［Model Spec］キーワードの下にあるVREFセクションの前にコメント文字（"|"）を入力します。最後に、各［Receiver Thresholds］セクションをコメントアウトします。
パフォーマンスと電力の両面において、メモリコントローラに2つのランクがあることが利点になります。たとえば、コントローラが1つ目のランクで64ビットの文字を待機している場合、2つ目の64ビットランクはアクセスすることができます。このインターリービング方式により、モジュールの全体的なパフォーマンスが向上します。使用していないランクの電力が低下するため、モジュール全体の消費電力が低減します。
1.xレベルのモデルはラボ計測との関連性がないことを示しています。通常、1.xレベルのモデルはシリコン前または生産前のデバイスに提供されます。2.xレベルモデルはラボ計測と関連性があります。
Boardファイルとは、PCBの電気的・機械的特性を記述したものです。EBDとODB++ファイルはBoardファイルから生成されます。Boardファイルにはモジュール設計に関する機密情報や専有情報が含まれているため、秘密保持契約に署名したお客様に対してのみBoardファイルを提供しています。
Gerberファイルは、PCBメーカーに製造を依頼する際に送る製設計ファイルです。現在、基板店はPCBの量産にODB++ファイルを求めるようになっているため、Gerberはやや時代遅れの用語になってきました。また、Gerberという用語は広義に使用されています。PCBの電気的・機械的特性を記述したファイルは、EBD、ODB++、Boardファイルを含め、どれもGerberと呼ばれることもあります。したがって、お客様からモジュールのGerberファイルについて尋ねられたときは、どのファイルが必要なのかを判断する必要があります。
ランクとは、一般にシステムのデータバス幅を指します。一般的なバス幅は64ビットまたは72ビットです。たとえば、8ビット幅の8つのコンポーネントをPCBに実装する場合、モジュールのバス幅は64ビットとなり、モジュールから64ビットの文字を読み出すことができます。マイクロンでは、これを「シングルランク」モジュールと呼んでいます。8ビット幅の16のコンポーネントをPCBに実装する場合、64ビット幅の2つのランク、すなわち「デュアルランク」モジュールが生成されます。
ランクとは、一般にシステムのデータバス幅を指します。一般的なバス幅は64ビットまたは72ビットです。たとえば、8ビット幅の8つのコンポーネントをPCBに実装する場合、モジュールのバス幅は64ビットとなり、モジュールから64ビットの文字を読み出すことができます。マイクロンでは、これを「シングルランク」モジュールと呼んでいます。8ビット幅の16のコンポーネントをPCBに実装する場合、64ビット幅の2つのランク、すなわち「デュアルランク」モジュールが生成されます。
IBIS（.ibs）ファイルとは、Cadence® Allegro®やHyperLynx®などのシミュレーションアプリケーションで読み込まれる回路の特性を記述したファイルを指します。IBISはInput/output Buffer Information Specification（入出力バッファ情報仕様）の略で、EIA（米国電子工業会）の規格です。IBISは特定のフォーマットによるテキストファイルで、回路の入出力における電流と電圧、電圧と時間の比較特性を記述しています。IBISモデルにはコンポーネントの内部構成に関する機密情報が含まれていないため、お客様にお渡しできるファイルとなっています。通常、NDAはIBISファイルを必要としません。
メモリのコントローラは、1つのバンクでタスクを開始し、その実行中に別のバンクで個別のタスクを実行することができます。このインターリービング方式により、DRAMの全体的なパフォーマンスが向上します。
バンクは独立したDRAMコンポーネントを指す用語であり、DRAMコンポーネント内のサブアレイを参照します。ランクはメモリモジュールを指す用語であり、複数のDRAMコンポーネントのサブアレイを参照します。
完全なモジュールのIBISモデルは以下のファイルで構成されています。
1. 特定のモジュールで使用されているDRAMのIBISモデル
2. PLL、レジスタ、EEPROMのIBISモデル（適宜）
3. PC上の抵抗並列ターミネーションのIBISモデル
4. PCBのEBD（Electronic Board Description）ファイル このファイルは上記で述べたターミネーションのIBISファイルを参照するものです。
双方のファイルをご活用いただくことで、PCBの全体像を正確に把握することができます。
マイクロンでは、CAD作図やシミュレーションを始めようと考えている基板設計者のお客様から、こうした質問をよくいただきます。しかし、検討を要する変数があまりにも多いので、正確な答えはご提供しにくいと考えられます。クロック速度、タイミング、登録済／非バッファのモジュール、トレースインピーダンスのすべてが重要な要素です。on-dieターミネーションがあるコントローラもありますし、ないものもあります。コマンドとアドレスバスのコピーを複数持つコントローラもあります。これらの要素はすべて、トレース長やターミネーション、許容可能なシグナルインテグリティの達成度に影響を及ぼすことがあります。
マイクロンの各テクノロジー向け設計ガイド（テクニカルノート）は、取り掛かりのご参考にはなりますが、トレース長やターミネーションは、最終的にシミュレーションおよび物理的なテストによって検証する必要があります。シミュレーションモデルは、各テクノロジーの部品カタログから検索してください。
モジュールのモデルに関しては、お客様のご要望を受けた時に作成したほうが、より効率的だと考えています。ご希望のモジュールのIBISモデルが見つからない場合は、DRAMサポートにメールでお問い合わせください。
マイクロンに関する質問
マイクロンのエルピーダ買収
これまでと同じ営業担当者とカスタマーサービス担当者にご連絡ください。もし担当者に変更がありましたら、速やかにお知らせいたします。
エルピーダの製品情報はマイクロンのウェブサイト（www.micron.com）に掲載されています。マイクロンの部品カタログにはエルピーダの部品も含まれています。エルピーダの部品を検索する際は、以下のヒントを参考にしてください。
- エルピーダの部品番号はすべて「E」で始まります。
- 部品は部品番号のアルファベット順に掲載されているので、エルピーダの部品はカタログの始めに表示されます。
- 部品カタログはキーワードで絞り込むことができます。カタログの上部にある部品検索フィールドで、テクノロジー、密度、その他の特徴を選択し、検索対象を絞り込んでください。
注文部品番号は梱包媒体識別子（テープ＆リールまたはトレイ）を含めた番号になります。2013年12月に製品変更通知を発行しています。質問などがある場合には、営業担当者にお問い合わせください。
エルピーダの部品に関するカタログやデータシートなどについては、micron.com/elpidapartsにアクセスしてください。
現時点ではエルピーダブランドの製品に表示するロゴや部品マークを変える予定はありません。変更が生じた場合は、お客様への影響を最小限に抑えるよう努めます。また、変更については適切なチャネルでお客様にお知らせいたします。
アカウントサポートチームからお知らせがない限り、そのまま審査をお続けください。サポートや認定に関して質問がある場合は、マイクロンまたはエルピーダの技術担当者にお問い合わせください。
マイクロンの流通ネットワークは変更されました。マイクロンが認定するディストリビューターについては、「マイクロン認定ディストリビューターリスト」を参照してください。マイクロンの認定ディストリビューターはマイクロン製品とエルピーダ製品の両方を販売しています。製品の注文に関して質問や問題がある場合、distribution@micron.comにメールでご連絡ください。担当者が対応いたします。今後、マイクロンの流通ネットワークにさらに変更が生じる場合、ディストリビューターやお客様と積極的に話し合い、サプライチェーンのニーズに対応してまいります。
- 両社の業務システムはマイクロンのSAP調達システムに移行しました。
- 発注書のレイアウトや番号付けは2014年3月から変更しています。
- エルピーダ／Rexchipによる発注書の未決済分（2014年2月28日から2014年3月7日まで）については、マイクロンの発注書と置き換えられ、以前のエルピーダ／Rexchipの発注書番号を参照することになります。
- マイクロンの発注書に記載される請求先住所は、以前のエルピーダ／Rexchipの住所とは異なる場合があります。2014年2月の第1週目に、新たな法人名と請求先住所を付した手紙をエルピーダ／Rexchipのサプライヤーに送付しています。
- エルピーダの各事業体が締結している現在有効な第三者契約は、マイクロンに譲渡されるか、最終的に解除されることになります。これによって影響を受けるサプライヤーには別途ご連絡いたします。
- マイクロンの中核チームと元のエルピーダチームがこうした契約の処理を行っています。変更はないと考えられるものの、契約内容に影響が及ぶような場合は、マイクロンからご連絡いたします。
マイクロンの取引条件がすべての購入に適用されます。通常、取引条件は発注書に記載されています。マイクロンメモリジャパンに関しては、通常、基本購入契約に取引条件が記載されています。ただし、エルピーダと締結した既存の契約がある場合は、契約内容が修正されるか終了しない限り、その契約条件が引き続き適用されることになります。
マイクロン財団
マイクロン財団は、資金提供の要件を満たす非営利団体、学術機関を幅広く支援しています。資金提供の要件はその都度異なりますが、マイクロンが定める主な重点分野と一致している必要があります。
マイクロン財団は、1999年にマイクロンテクノロジーが創立した民間の企業財団で、寄付基金を保有するものの、ビジネス活動は行いません。米国内国歳入庁（IRS）より、第501条(c)(3)に基づく非課税団体と認められています。
マイクロン財団には物理的なオフィスはありません。米国アイダホ州で創立し、世界中のマイクロンのサイトにチームメンバーを擁しています。
マイクロン財団は、草の根の活動や他のパートナーとのやり取りを通じて、マイクロンのサイト近隣の地域からパートナーを選んでいます。現在は、それ以外の助成金の提案や申込みは受け付けていません。
そうした活動に対しては、マイクロン社員による慈善活動プログラムを通じて支援を行っています。マイクロン財団では、寄付要件を満たしたうえでBenevity Causesポータルに登録済みの非営利団体や学校にチームメンバーが寄付をすると、その寄付金に1対1でマッチングをしています。その暦年内に行った寄付に対してマイクロン財団がマッチングをするためには、チームメンバーがMicron Givesプラットフォームから直接寄付するか、領収書を提出する必要があります。
マイクロン財団は、米国内の団体に加え、寄付要件を満たす米国外の団体も支援しています。
マイクロン財団は主に、マイクロンのチームメンバーが暮らし、働く地域に重点を置いていますが、さらに範囲を広げた地域単位でも、慈善活動戦略に沿いながら社会に変化をもたらせるよう活動を行っています。
いいえ。マイクロン財団が資金提供により支援するのは、寄付要件を満たす非営利団体と学校であり、個人は対象にしていません。
グリーンエンジニアリング
マイクロンの鉛フリーコンポーネント、ダイ、ウエハーレベルの製品には、中国版RoHSで制限されている6物質が一切含まれていません。マイクロンのモジュールには、EU版RoHSで免除されていないアプリケーションと免除されているアプリケーションの両方で、鉛が含まれている場合があります（信頼性の高い鉛フリー代替品が市場で入手不可能な場合）。
ただし、マイクロンの製品は直接コンシューマーに販売されていません。EPUPなどのマーク／ラベル要件は、コンシューマー市場で直接販売している製品のみに適用されます。詳細については、営業／マーケティング担当者までお問い合わせください。
マイクロンは製造プロセスで意図的にこれらの物質を添加しているわけではありませんが、最終製品の製造に使用される原材料に微量が含まれている可能性はあります。
マイクロンは、規則2006/1907/EC「化学物質の登録、評価、認可及び制限に関する規則（REACH）」の製品要件の全般を十分に把握しています。マイクロンはREACHの「候補リスト」に追加事項があるかどうかを常に監視し、製造プロセスで使用されている「高懸念物質」の有無や最終製品への潜在的影響について適時に検証しています。また、必要に応じて、自社製品に含まれている物質に関する情報をお客様に提供するよう努めています。資料をご希望の場合は、営業担当者にお問い合わせください。
マイクロンは、RoHS準拠に加えて、環境への悪影響や重大な信頼性リスクが知られている物質（臭素、塩素、アンチモンを含む物質、無機赤リンなど）を使用していないパッケージを「グリーンパッケージ」と定義しています。パッケージ材料（カプセル材料、ダイアタッチ材料、アンダーフィルエポキシ樹脂、基板など）にこうした物質を意図的に加えることはありません。こうした物質は微量であればグリーンパッケージに使用できますが、その上限値は以下の通りです。
<900ppm 塩素
<900ppm 臭素
<1,500ppm 塩素・臭素
<900ppm アンチモン
<100ppm 赤リン
なお、マイクロンの鉛フリー製品とグリーン製品には意図的に鉛を添加したものは含まれていないものの、鉛フリー部品はハロゲンかアンチモン化合物を含む場合があり、必ずしもグリーン製品とは言えないことにご留意ください。
* マイクロンは製造プロセスで意図的にこれらの物質を添加しているわけではありませんが、最終製品の製造に使用される原材料に微量が含まれている可能性はあります。
はい。マイクロンは鉛フリー製品だけでなく、RoHS 5/6製品にも対応しています。一部のアプリケーションはRoHS指令から免除されています。
RoHS準拠のメモリ製品ラインはすべて、各製品タイプの部品リスト表に記載しています。部品番号ごとに簡単なコンプライアンスチェックを行うには、「部品番号検索」ツールをご使用ください。グリーン製品の情報については、現地のマイクロンの営業担当者にお問い合わせください。
「部品の詳細」ページまたは「主要製品群の検索」にアクセスすることにより、部品ごとのRoHS適合証明書を参照できます。
マイクロンのグリーンエンジニアリングプログラムはRoHS指令を遵守しており、アジアやヨーロッパなど世界で広がる新たな環境保護基準のほとんどに準拠しています。
- ソルダボールには、スズ-鉛合金（Sn36Pb2AgまたはSn37Pb）の代わりにスズ（Sn）、銀（Ag）、銅（Cu）合金を使用しています（SAC105、SAC305、SAC405、LF35など）。
- モジュール用のはんだペーストには、Sn37Pbの代わりにSn3.8Ag0.7Cuを使用しています。
- 有鉛TSOPには、90Sn10Pbの代わりに無光沢スズメッキを使用しています。
マイクロンでは、こうした代替品を使用することにより、RoHSに準拠した鉛フリー部品を生産しています。部品は表面実装温度260°Cで認証を受けています。
現在、お客様のご要望に応じて鉛フリー製品とグリーン製品を提供しています。こうした製品の提供状況は、お客様の需要や非メモリコンポーネントのグリーン製品やグリーン材料の入手状況によって大きく異なります。
詳細については、現地のマイクロンの営業担当者にお問い合わせください（営業担当者については「セールスネットワーク」ページで検索してください）。
ISO 14001規格
ISO 14001の認証を取得するためには、4つの基本要素を満たす必要があります。
- 環境マネジメントシステムの導入
- 適用法規の遵守を維持する手順が確実に存在すること
- 継続的な改善への注力
- 全般的な汚染防止への注力
ISO 14001とは、国際的な環境マネジメント規格で、導入は任意です。組織が効果的な環境保護システムを構築できるよう支援するものです。ISO 9000は品質マネジメント規格であるのに対し、ISO 14001は環境保護に関する規格です。ISO 9000品質マネジメント規格は世界各国の企業によって導入されています。
ISO 14000の認証プロセスにおいて、企業の環境マネジメントシステムは第三者認証機関が審査します。マイクロンはKEMA Registered Quality, Inc.の審査を受けています。KEMAは米国のANSI-RABとRvAによりISO 9000、QS9000、ISO 14001の認定を受けて全面的に業務を行うグローバル第三者認証機関であり、また、欧州連合のCEマーケティング強制製品認証についての複数分野における「公認機関」でもあります。KEMAのクライアントは世界各地で数千にのぼり、さまざまな製品・サービス業界が含まれます。KEMAはエレクトロニクス、情報テクノロジー、ハイテク製造業の分野を専門としています。
マイクロンは環境のコンプライアンスと保護に対してきわめて積極的なアプローチをとっており、マイクロンの従業員、お客様、事業を営む地域社会に貢献しています。私たちは環境保護プログラムと労働者安全プログラムの両方を大切に考えています。マイクロンでは、最低限の規制を遵守することをベースラインとし、常にそうした規制で求められる以上を目標として取り組んでいます。ISO 14001規格はマイクロンの企業文化に合致しています。環境マネジメント基準を策定する際に中心となるのはいつでも、環境保護とアカウンタビリティに対する強い意志です。ISO 14001規格は、単なる法令遵守を超えて、企業が環境保護プログラムを評価し、継続的な改善を図りながら、効果的なプロセスと汚染防止に取り組むためのアプローチを示しています。マイクロンはISO 14001に準拠するために必要な要件の大部分をすでに達成しています。これは、私たちの約束、積み重ねてきた努力、功績が評価される機会であると捉えています。
その他
一般製品
お客様のその基板設計で大きな問題が生じるとは考えられません。ピンはVDDQ電圧に関係なくVDD電圧を制御することができます。
ECCチップは一体のデータとして扱われるため、ほかのデバイスと同じCKEとCS#を共有する必要があります。
バンクとは、メモリアレイ（配列）を指し、複数のアレイまたはバンクはDRAMコンポーネントに含まれています。DRAMコンポーネントは、密度によって、4バンクまたは8バンクで構成されます。たとえば、1つのバンクは4ビット単位、3200万行で構成されています。これは128メガバイトに相当します。1つのDRAMコンポーネントに4バンクがある場合、512MBのコンポーネントとなります。
ドライバーのインピーダンス許容度は±15パーセントです。
ONFI
ONFIにより、主に2つの方法で市場化時間を短縮できます。
1. NANDコンポーネントに対するインターフェース動作の統一性を向上することにより、一連のコンポーネントをサポートするフラッシュコントローラの設計を簡易化します。
2. エンドユーズアプリケーションにおけるフラッシュコンポーネントの設計時間を短縮し、設計やファームウェアを変更することなく新世代NANDコンポーネントを使用できるようにします。
ONFIとは、Open NAND Flash Interface（オープンNANDフラッシュインターフェース）の略です。ONFIは業界ワーキンググループであり、コンシューマー用電子機器やコンピューティングプラットフォームなど、ソリッドステート大量ストレージを必要とするさまざまなアプリケーションへのNANDフラッシュメモリ搭載にあたっての簡易化に携わっています。ONFIワーキンググループは、NANDフラッシュ用に標準化されたコンポーネントレベルのインターフェース仕様を定義しています。また、NANDフラッシュ用のモジュールコネクターやモジュールフォームファクタ仕様（DRAM DIMMに類似）も定義しています。詳細については、www.onfi.orgをご覧ください。
ONFIにより、携帯電話、PDA、MP3プレーヤー、ノートブックなど、フラッシュを使用しているさまざまな製品へのフラッシュコンポーネントの組み込み搭載が向上しています。しかし、ONFI 2.1のメリットを真っ先に感じられるのはPCプラットフォームでしょう。ONFI 2.1は速度の大幅な向上を実現しているため、SSDやキャッシングソリューションにより、PCプラットフォームの負荷に対して大きなメリットがもたらされます。