ライセンス：MTIはここに、以下の権利を付与します。ソフトウェアを使用およびコピーし、本契約の規約の対象となるサードパーティに再配布することができます。ソフトウェアのすべてのコピーに、すべての著作権通知を維持しなければなりません。MTIは、通知なくソフトウェアを随時変更することがあります。さらに、MTIにはソフトウェアの更新、維持、新バージョンの提供、またはその他のサポートの一切を行う義務はありません。
マテリアルの所有：お客様は、ソフトウェアがMTI固有の財産であり、米国著作権法ならびに国際条約規定により保護されていることを認識し同意します。本文書で明記されている場合を除き、MTIは、いかなる特許、著作権、商標、企業秘密に対する権利を、明示的にも暗示的にも付与することはありません。さらに、ソフトウェアに含まれている、またはソフトウェアに対する全ての権利、所有権、利益は、関連する財産権を含めてMTIに帰属することを認識し同意します。本契約は、ソフトウェアに含まれる、またはソフトウェアに対する利益を付与するものではありませんが、本契約の規約に従って、ソフトウェアの使用、コピー、再配布に限った権利のみを付与します。本ソフトウェアのライセンスのみを与えるものであり、販売したことにはなりません。
保証の免責事項：ソフトウェアは、いかなる種類の保証もなく「現状のまま」提供されます。MTIは、第三者の権利の非侵害、および商品性または特定の目的に対する適合性の暗黙の保証などを含むがこれに限定されない、明示的または暗示的ないかなる保証も明確に否定します。MTIは、ソフトウェアがお客様の要件を満たすこと、またはソフトウェアの操作が妨害されない、もしくはソフトウェアにエラーがないことを保証しません。さらに、MTIはソフトウェアの使用、またはソフトウェアの使用の結果に関する正確性、精度、信頼性などを一切表明しません。お客様のソフトウェアの使用または操作によって発生した全リスクは、お客様が負うものとします。いかなる場合においても、MTI、その系列会社またはそのサプライヤーは、ソフトウェアの使用または使用不能から生じる、いかなる直接的、間接的、偶発的、派生的、特別的な損害（利益の喪失、事業中断、情報喪失による損害を含むがこれらに限定されない）に対して、MTIがかかる損害の可能性を知らされていた場合でも、責任を負わないものとします。国や地域によっては偶発的または派生的な損害の適用除外または制限が認められていません。そのため上記の制限が適用されない場合があります。
本ライセンスの停止：本契約のいかなる規約でも違反した場合は、MTIは随時本ライセンスを停止する可能性があります。停止の際には、お客様はソフトウェアのすべてのコピーを即刻破棄するものとします。
一般条項：本契約は、本書に記載された主題に関するMTIとお客様との間の完全な同意を成立させるものであり、当事者間で過去に交わされた口頭または書面による伝達内容に代わって優先されます。本契約は、抵触法条項に関わらず、アイダホ州法に準拠します。
お問い合わせ窓口：本契約の規約に関してご質問がある場合は、MTI法務部までお問い合わせください（208-368-4300）。
[承諾します]のボタンをクリックすることで、お客様はライセンス契約の規約に同意することになります。ソフトウェアをダウンロードするには、規約に同意しなければなりません。
これらの文書にアクセスするには、まず、マイクロンの電子的秘密保持契約を読み承諾する必要があります。受取人がMicron Technology, Inc.との書面による秘密保持契約を締結している場合は、このページの下部にある[承諾します]のボタンをクリックする必要がありますが、書面による秘密保持契約の規約が適用されます。
オンライン秘密保持契約 本書は、お客様またはお客様が代表する会社（それぞれを「受取人」）とMICRON TECHNOLOGY, INC.（「MTI」）との間の法的契約であり、マイクロンのウェブサイトを通して投稿される、または閲覧できる情報の機密性を管理する規約を示しています。本秘密保持契約（「本契約」）をよく読んだ上で、ページの下にある［承諾します］のボタンをクリックしてください。[承諾します]をクリックすることで、受取人は本契約の規約に拘束されることに同意するものとします。受取人が本契約の規約に同意しない場合は、[拒否します]をクリックしてください。受取人は機密情報にアクセスできなくなります。
1. 書面による秘密保持契約。受取人とMTIとの間で書面による秘密保持契約（「秘密保持契約」）が締結された場合は、受取人が本同意書を締結した日を発効日とし、かかる秘密保持契約がすでに機密情報（以下で定義）に適用し優先されます。そのような機密情報に関する受取人の義務には、本契約の規約ではなく秘密保持契約が適用され優先されるものとします。
2. 機密情報。「機密情報」とは、MTIのセキュアなウェブサイトを通して投稿される、または閲覧できる以下の情報またはデータの一切を指します。(i) 「機密」または「専用」という印またはラベルが付けられている、または、同様の割り当てがなされている情報またはデータ、または、(ii) 本質的に、合理的な人物であれば機密であることが分かる情報またはデータ。以下の情報は機密情報に含まれません。
(i) 適格な証拠により、開示された時点で秘密保持の義務なく、すでに正しく受取人の所有となっていたことが受取人によって証明される情報。
(ii) 受取人側に何ら落度や違反なく公開されている、または公開となる情報。
(iii) 機密情報を使用または言及することなく、受取人が独自で開発した情報。
(iv) 受取人に制限なく移送または開示する権利を持つ第三者から、正しく入手した情報。
3. 開示の目的および使用に関する制限。機密情報は、受取人の社内評価の目的、および／または、受取人がMTIのデバイスまたは製品を市販製品として導入することをサポートする目的（「目的」）に限定して開示されます。受取人は、かかる目的を達成するために、本契約の規約に従ってのみ機密情報を使用し、それ以外では機密情報を全体的にも部分的にも使用しないものとします。
4. 秘密保持。受取人は、自身の機密情報および専有情報を保護する場合と同等以上の注意を払い、ただし、いかなる場合でも合理的な注意を下回らない度合いで機密情報を保護することに同意します。受取人は、目的を達成するために知る必要がある、または、本契約に含まれる制限や保護を下回らない条件で、機密情報を未承認で開示または使用することを禁止する同意書によって拘束されている、従業員、代理員、コントラクター、コンサルタント（集団的に「代表者」）以外は、何者に対しても機密情報を開示、発行、普及しないものとします。担当者による本契約の規約の違反があれば、受取人が責任を担います。受取人は、法により義務付けられている範囲内で機密情報を開示し、そのような開示が義務付けられていることを書面にて直ちにMTIに通知し、機密情報を保護するMTIの取り組みに協力するものとします。本契約に基づいて承認されていない機密情報の開示があった場合は、受取人は直ちに書面でMTIに通知するものとします。
5. フィードバック。本契約のその他の規定にもかかわらず、受取人が機密情報に関する何らかの発案、提案、推奨（「フィードバック」）をMTIに提供した場合は、フィードバックに関する受取人の特許、著作権、商標を侵害しない限り、MTIは受取人にロイヤルティやその他の対価を払うことなく、かかるフィードバックをMTIの製品に使用し組み込むことが可能とします。
6. コピー。受取人は、上記の目的を遂行するとために切に必要である場合を除き、機密情報のコピーを取らないものとします。コピーした場合は原本と全く同じでなければならず、修正しないものとし、MTIの財産とみなされます。
7. 無ライセンス。無保証。本書で明確に定められていない限り本契約に基づき、明示的、黙示的、禁反言的にかかわらず、特許、著作権、マスクワーク、商標の一切に対してライセンスは付与されません。かかるライセンスは、MTIから書面にて明確に表明されなければなりません。すべての機密情報はMTIの財産のまま維持され、本契約では、MTIがかかる機密情報を何らかの形態で使用、開示、普及することを規制する規約はありません。機密情報は本契約に基づいて「現状のまま」、一切の表明または保証なく、制限なく、かかる機密情報の正確性、完全性、実用性に対する表明または保証なく開示されます。
8. 秘密保持義務の停止。本契約は、受取人が[承諾します]をクリックした日付を発効日とします。本契約の停止にかかわらず、本契約の規制は機密情報を開示した日から5年間継続するものとします。MTIは、受取人への書面での通知をもって、独断によりいつでも本契約を停止する場合があります（かかる通知はセキュアなMTIウェブサイトまたは受取人宛の電子メールで通達される）。
9. 機密情報の返却。MTIの書面による要請およびMTIの任意により、受取人は10営業日以内に、機密情報の紙面の文書や電子文書などを含むがそれに限らず、受取人が作成した機密情報を含むマテリアルをすべてMTIに返却するか、破棄したことを証明するものとします。
10. 準拠法および弁護士費用。本契約は、抵触法の原則を除き、米国アイダホ州法に準拠します。受取人は、本契約に関して発生したあらゆる論争に対して、アイダホ州裁判所の人的管轄に同意します。本契約を原因として、あるいは本契約に関連して訴訟または訴訟手続が発生した場合は、勝訴側の当事者が、合理的な弁護士費用および合理的な費用を支払われる権利を有します。
11. 輸出。受取人は、米国輸出管理法およびその他すべての該当する輸出管理法規制を遵守する場合を除き、機密情報またはその一部を、形態を問わず、直接的にも間接的にも輸出、もしくは再輸出しないことに同意します。
12. 差止命令による救済。受取人は、本契約の規約に違反して機密情報を開示すると、MTIに回復不可能な損害が発生し、金銭的な損害賠償では十分な救済ができないことを認識し同意するものとします。そのため受取人は、本契約に対する実際の違反もしくは違反の恐れがある場合に、MTIに対して可能なその他の救済策のほか、MTIには差止命令による救済を得る権利があり、受取人はそれに関連する保証金の支払い要求を放棄することに同意します。
13. 権利の黙示的放棄の否定。MTIが本書に記載された権利の執行を怠った、あるいは遅延したとしても、書面により明確に権利の放棄が示されない以上、かかる権利を放棄したとはみなされません。
14. 一般条項。本契約は、
(i) 受取人ならびにMTIの承認代表者の署名がなされた書面で明示することによってのみ、修正または訂正されるものとします。
(ii) 本書に記載されている当事者の間で、ジョイントベンチャー、パートナーシップ、その他の業務提携を行うものとして解釈されません。
(iii) MTIの同意が書面で明示されていない限り、受取人によって全部または一部が割り当てまたは委任されません。
(iv) 当事者、その後継者、MTIの譲受人、受領者の許可された譲受人の利益に効力を持ち、それらを拘束するものとします。
(v) 英語のみで記載され、すべての点において英語が優先され、その他の言語で記載された本契約のバージョンは当事者を拘束しないものとします。
15. 正規の代理人。[承諾します]をクリックした個人は本契約を締結し、以下のいずれかとして機密情報にアクセスします。(1) 個人として。機密情報が開示された場合、または本契約で認可されていない形で使用された場合は、MTIに対して個人的に賠償責任を負うことに同意します。(2) 雇用主またはその他の事業体に代わって。かかる雇用主または事業体を本契約に拘束する法的権限を完全に備えていること、ならびに、かかる雇用主または事業体は受取人として本契約のすべての規約および条件に法的に拘束されることを、表明し保証します。機密情報が従業員または事業体に対するものであり、かかる従業員または事業体を拘束する法的権限を持たない場合は、いかなる形態でも機密情報をアクセス、閲覧、読解、ダウンロードしてはならず、[承諾します]をクリックしてはなりません。
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DDR4はDDR3と比べて以下の新しい節電機能を備えています：
1. DQピン用の低電力POD（Pseudo Open Drain）ドライバー
2. パワーダウン機能のためのODTインプットバッファー無効化モード（オプショナル）
3. 最大省電力モード（オプショナル）
4. コマンド・アドレス・レイテンシー（CAL）（オプショナル）
DDR4は速度の点でDDR3-1333まで遡る下位互換性を持っています。DDR3-1333やDDR3-1600を上回る速度を必要としないシステムの場合、DDR4はこうした低帯域幅と低電力の要件に対応しています。
DDR4は、米国バージニア州、日本、台湾をはじめとする世界各地のマイクロンのファブで製造されています。
特にありません。ただし、DDR4は外部VREFDQを必要としない代わりに、DRAMコントローラによるキャリブレーションを必要とする内部生成VREFDQを提供しています。
いいえ。DDR4は引き続きデータバス上のVTT中間終端を使用してシグナル品質を確保していますが、POD（Pseudo Open Drain）ドライバーを使用することにより、プッシュプルドライバーよりもスイッチング電流が低く抑えられています。
いいえ。DDR3はVDDとVDDQが1.5V、VREFCAが0.5 x VDD、VREFDQが0.5 x VDDQの必要があります。一方、DDR4はVDDとVDDQが1.2Ｖ、VREFCAが0.5 x VDD、VPPが2.5Ｖとなっています。
VPP電源はDDR3などのDDR SDRAM旧バージョンにあった内部ワードラインチャージポンプと置き換えられたものです。この電圧を外部から供給することで、DDR4は内部チャージポンプを使用するよりも費用効果が高い低電圧で動作することが可能になります。
いいえ。DDR4のボールアウトはDDR3のボールアウトと異なっています。ただし、DDR4はDDR3と同じパッケージサイズとボールピッチを使用しています。
いいえ、DDR4はDDR3で使用されていた8n-bitのプリフェッチを維持しています。したがって、引き続きBL8に対応しています。
DDR4には新たに「接続性テスト（CT）」モードが加えられ、バウンダリスキャン対応コントローラによるテストを簡易化しています。CTモードはバウンダリスキャンデバイスとの併用で設計されており、マイクロンの×4、×8、×16デバイスで使用することができます（ただし、JEDECが必要とするのは×16のみです）。CTモデルは、バウンダリスキャンデバイスがCTモードのDDR4からパターンをロードし、読み取ることを可能にしています。IEEE 1149.1については、DDR4は直接対応していません。
はい。DDR4は125MHzを上限としてDLLオフモード（DDR3のDLL無効モードに相当）に対応しています。
はい。マイクロンの1.35V部品はすべて1.5Vのものと互換性があります。
はい。マイクロンは、モードレジスタを使用してDLLを無効化するオプショナルの機能「DLL無効モード」に対応しています。この機能により、DRAMの動作周波数を125MHz以下にすることが可能です。ただし、タイミングに関しては、リフレッシュインターバルの規定を引き続き厳守する必要があります。また、DLL無効モードで動作させる場合は、特別な条件が適用されます。詳細については、デバイスデータシートを参照してください。
- tCKavg = 2.5ns ～ <3.3ns, CWL = 5 - tCKavg = 1.875ns ～ <2.5ns, CWL = 6 - tCKavg = 1.5ns ～ <1.875ns, CWL = 7 - tCKavg = 1.25ns ～ <1.5ns, CWL = 8
マイクロンでは、1Gb、2Gb、4Gb、8Gbの密度で対応しています。
DDR3では8nプリフェッチアーキテクチャーを使用しているため、本来のバースト長4（BL4）では動作しません。これを解決するために、DDR3ではバーストチョップモードを搭載しています。この機能は次世代SDRAMでも利用可能です。DDR3でバーストチョップを使うことにより、バースト転送の最後の4bitがマスクされます。したがって、バーストチョップ4（BC4）のタイミングは本来のBL4とは異なります。READ-to-WRITEに関しては、［WRITE-to-READ］を選択し、次に［WRITE-to-PRECHARGE］移行を選択すると、システム上でBC4モードのクロック減速が達成されます。READ-to-READまたはWRITE-to-WRITEの移行を行う場合、タイミングはBL8と同様にします。クロック減速は生じません。DDR3はBC4かBL8のみに対応しています。ただし、これらの間でアドレスピンA12を介してスイッチを行うオンザフライ（OTF）オプションもあります。詳細についてはデバイスデータシートを参照してください。
ダイナミックODT（Rtt_WR）を使用すると、WRITE中に「モードレジスタセット」コマンドを実行せずに、DRAMの終端値を変更することができます。Rtt_WrおよびRtt_Nomを有効にすると、DRAMはWRITEバーストが開始した時点で終端値をRtt_NomからRtt_Wrに変更します。バーストが完了すると、終端値はRtt_Nomに戻ります。Rtt_WrはRtt_Nomとは個別に使用することができますが、終端されるのはWRITEのみとなります。
ZQCLとは、ZQ Calibration Long（ZQキャリブレーションロング）の略です。このコマンドは、処理が完了するのに512クロックを必要とするコマンドで、電源投入・初期化シーケンス中に必ず発行しなければなりません。電源投入と初期化が完了すると、このコマンドはDRAMがアイドル状態であればいつでも発行することができます。後続のコマンドは246クロックのみを必要とします。このコマンドは、ZQCSで対応できるインピーダンスのエラー補正量よりも多くの補正を必要とする場合に使用します。ZQCSとは、ZQ Calibration Short（ZQキャリブレーションショート）の略です。このコマンドはDRAMがアイドル状態であればいつでも実行することができます。1回のZQCSコマンドで最小0.5%のインピーダンスエラーを補正することができ、完了するには64クロックを必要とします。
MPRとは、Multi Purpose Register（多用途レジスタ）の略です。この特別なレジスタは、DRAMがあらかじめ定義されたデータを出力できるようにするためのものです。データは1bit幅で、プライムDQから出力されます。マイクロンのDDR3部品では、プライムDQはx4/x8でDQ0、x16でDQ0/DQ8となっています。MPRでは2つの場所が定義されています。1つの場所では、あらかじめ定義されたデータのバースト（01010101）が出力されます。もう1つの場所は、オンダイ式熱センサーからリフレッシュトリップポイントを出力する場合に使用されます。
DDR3 operates at Vdd = VddQ = 1.5V ±0.075V. DDR3L operates at Vdd = VddQ = 1.35V (1.283–1.45V)
デフォルトのインピーダンスは34Ωです。このインピーダンスは、外部の240Ωレジスタ（RZQ）に対するキャリブレーションに基づいています。
RESET#ピンはDRAMに対するマスターリセットとして使用されます。これはアクティブLOWの非同期入力です。RESET#が有効になると、DRAMの出力は無効化され、ODTはオフ（High-Z）状態になります。DRAMのカウンター、レジスタ、データは不定となります。RESETは電源投入・初期化シーケンスの一環として必ず実行する必要があります。このシーケンス中は、RESET#をLOW（最小200µs）で維持しなくてはなりません。電源投入・初期化が完了した後は、いつでもRESET#を有効にすることができます。有効にする場合、RESET#をLOW（最小100ns）で維持し、すべての初期化を実行する必要があります。
DDR3モジュールでは、シグナリングを向上させるために、Fly−by（フライバイ）テクノロジーをコマンド、アドレス、制御シグナル、クロックに適用しています。このテクノロジーは、シグナルルーティングが原因で、DRAM上のクロックとDQバス間に固有のクロックスキューを生じさせます。ライトレベリングは、システムコントローラがDRAM上でクロックに対するDQストローブ（DQS）のスキューを除去する方法です。コントローラは、DRAMが提供する簡易フィードバック機能により、スキュー量を検知して補正を行うことが可能になります。
ZQキャリブレーションのコマンドは、専用のレジスタ（240Ω±1%）がDRAMのZQピンからグランドに接続されている場合に、プロセス、電圧、温度にわたってDRAMの出力ドライバー（Ron）とODT値（Rtt）を補正するものです。DDR3には、ZQキャリブレーションロング（ZQCL）とZQキャリブレーションショート（ZQCS）という2つのキャリブレーションコマンドがあります。ZQCLは通常、電源投入、初期化、リセットシーケンス中に使用されますが、システム環境によっては、コントローラが随時発行することもあります。ZQCSは、電圧と温度の小さな変動を考慮して周期的なキャリブレーションを実行するために使用され、短時間で完了する必要があります。
DDR3は、120、60、40、30、20ΩのRtt_Nom値に対応しています。ダイナミックODT値（RTT_WR）は120Ωと60Ωです。
はい。DDR3は0～95°CのTCASEに対応しています。
DDR2-1066を2つのスロットで使用するのは現実的ではありません。シミュレーションでは許容可能なマージンが示されていません。
on-dieターミネーション（ODT）の電力はアプリケーションに大きく依存しています。ODTはさらに、DRAMのEMR設定によって変動します。DDR2電力計算機を使用して消費電力の値を判断してください。
2点間システムでは、ODTはWRITEサイクルでのみ有効となります。アイドル状態およびREADサイクルでは電力を消費しません。こうしたインスタンスにおいて、オンボードターミネーションは電力を消費します。ODTの消費電力は、一般的なアプリケーションでは、DDR2 DRAMの合計消費電力の約2～3%となります。
VREFピンはリーク電流を別として電力を消費しません。その場合のリーク電流も5µA未満となっています。
いいえ、VDDQ/2で維持される必要があります。
技術的には可能ですが、SDRAMで電圧マージンが失われるため、お勧めはしません。
DLLをオフにしてもDRAMが動作する場合もありますが、このような操作はJEDECによって文書化もサポートもされていません。したがって、DLLを無効化して実行する場合、各DRAMの設計とは異なる動作になる可能性があります。マイクロンでは、DLLを無効化したDRAMの使用に対応しておらず、保証もいたしません。DLLを無効化してDRAMを動作させると、故障やDRAM出力タイミング仕様の違反が生じる可能性があります。
RDQSの唯一の目的は、x4 RDIMMシステム上でx8 RDIMMの使用をサポートすることです。このRDQSピンによって、x8 DDR2 SDRAMは2つのx4をエミュレートすることができます。
最大値は設計の実装によって異なります。データの設定とホールドタイミングは150ps以上のマージンで設計されているはずです。データシートにはテーブルを定格低減するシングルエンドDQSスルーレートがあり、タイミングの分析に使用する必要があります。シグナル・インテグリティのシミュレーションとハードウェア特性評価を用い、計算したタイミングを綿密に分析することをお勧めします。
READを実行する場合、DRAMはストローブとデータをエッジ調整します。大半のコントローラはストローブを感知し、データウィンドウの位置を決定します。こうした緻密なストローブ／データ調整では、各DRAMに内部DLLがあることが必要になります。DLLは有限周波数で実行するようになっており、この数値は各DRAMのデータシートに規定されています。DRAMをこの規定値に従わずに実行すると、DLLに予測不可能な動作が生じる可能性があります。DRAMの動作テストはデータシートの規定値に基づいて行われています。マイクロンは、規定値に従わずにDRAMを動作させることをお勧めせず、保証もいたしません。
Yes, all speed grades are backward-compatible. So, -5B can run at -6T timing and -6T voltage levels (2.5V). At DDR400 speeds, Micron parts require (in compliance with JEDEC standard) Vdd = VddQ = 2.6V ±0.1V. At slower speed grades (DDR333 through DDR200), the Micron parts are backward compatible, only requiring Vdd = VddQ = 2.5V ±0.2V
マイクロンのDDR SDRAMではVREFを供給するために個別のレギュレーターを使用する必要はありません。ただし、VREFはすべてのシングルエンド入力の参照電圧であるため、ひとつの基板上で複数のICとレギュレーターを共有するか、VDD電力に電圧分離器を使用することで生じるノイズにより、ノイズマージンが直接影響を受ける可能性があります。多くのマルチドロップシステムでは、DDRメモリの電圧レギュレーターを指定しています。その他、ポイントツーポイントメモリを組み入れているシステムでは、VDDとVSS間で単一の電圧分離レジスタネットワークを使用するのが一般的です。システム設計者は、それぞれのシステムの特徴を踏まえた上で優先事項と妥協点を検討し、そのシステムにとって最適な電力供給方式を採用する必要があります。
マイクロンは今後数年間、引き続きSDRをサポートする予定です。詳細については、マイクロンの営業担当者までお問い合わせください。
マイクロンは今後数年間、引き続きDDRをサポートする予定です。詳細については、マイクロンの営業担当者までお問い合わせください。
はい。VREFはセルフリフレッシュでも必要です。すべてのDDRコンポーネントのオンチップアドレスカウンターはセルフリフレッシュモード中も稼働しているため、VDDはデータシートの規定値に基づき維持される必要があります。繰り返しますが、DDRメモリをセルフリフレッシュモードにした後でVREFを無効化してはいけません。無効化してしまうと、セルフリフレッシュモードが強制終了する可能性があります。VREFはほとんど電力を消費しないことを念頭に置いてください。VREFが消費する電流はVTTやコアVDDに比べてほんのわずかです。DDRコンポーネントは通常、作動ペア共通ソース増幅器をSSTL_2インプットレシーバーとして使用しています。この回路ではVREFピンがインプットとして使用されるため、消費電流は少ないものとなります。消費電流がきわめて少ないため、このデバイスのインプットリーク電流（最大5µA）がVREFピンの最大消費電流とみなすことができます。通常、VTTの電力は基板上の別の場所から供給されており、その仕組みはDRAMデバイスなどのモジュール／システムで使用される他のコンポーネントによって異なります。
tWPSTの最大規定値はデバイスの上限値ではありません。デバイスはこのパラメーターを超えた値でも稼働しますが、システムパフォーマンス（バスターンアラウンド）は低下します。
リフレッシュ時間（tREF）内にすべてのROWアドレスがREADまたはWRITEされる場合、リフレッシュを実行する必要はありません。（ROWアドレスとは、リフレッシュサイクルの数値を参照した行番号です。例えば、 8,192/64msの場合、行番号は8,192となります）。DRAMでROWアドレスを選択すると、リフレッシュと同じアクションが実行されます。したがって、REFRESHコマンドを実行する必要はありません。
マイクロンでは、未使用のデータピンをHIGHかLOWに固定するよう推奨しています。DRAM製造でCMOSテクノロジーを使用しているため、フローティングになったままのデータピンはノイズの影響を受けやすく、ランダムな内部インプットレベルが生じる可能性があります。未使用ピンはレジスタを介してVDDかグランドに接続することができます。
NC（No Connect）ピンとは、内部で接続されていない、または接続を許可されていないデバイスピンを意味します。マイクロンでは、NCピンに外部接続しないことをお勧めしています。ただし、うっかり接続してしまったとしても、デバイスの動作には影響を及ぼしません。NCピンは将来の使用のために取り置かれている場合もあります。こうした取り置きについて確認したい場合には、NCピンのデータシートを参照してください。NF（No Function）とは、デバイスに電子的に接続されているが、デバイスの運用で全く機能していないデバイスピンを意味します。マイクロンでは、NFピンに外部接続しないことを強くお勧めしています。DNU（Do Not Use）ピンとは、内部で接続されているかどうかにかかわらず、外部接続が許可されていないデバイスピンを意味します。マイクロンでは、DNUピンに外部接続しないよう要求しています。詳細については、DNUピンのデータシートを参照してください。
マイクロンのテクニカルノート「サーマルアプリケーション」（TN-00-08）の3ページ目を参照してください。機能性や動作以外の質問であれば、DDR SDRAMのデータシートに規定されているストレージ温度の上限値を参照してください。
Yes, all speed grades are backward-compatible. So, -5B can run at -6T timing and -6T voltage levels (2.5V). At DDR400 speeds, Micron parts require (in compliance with JEDEC standard) Vdd = VddQ = 2.6V ±0.1V. At slower speed grades (DDR333 through DDR200), the Micron parts are backward compatible, only requiring Vdd = VddQ = 2.5V ±0.2V
マイクロンのSDR SDRAMデータシートでは、アクセスやプリチャージ状態の時はクロック周波数を安定させるように規定しています。ただし、マイクロンではお勧めしていませんが、SDRAMにはDLLがないため、ダイナミックにクロック周波数を変更することは可能です。設計上、周波数の変更が求められている場合には、LMRやCASレイテンシーの変更を行わなくても、SDRAM周波数を低くすることは可能です。周波数を高くする場合には、tCKとCASレイテンシーの仕様に準拠していることを確認してください。どちらの場合でも、データシートで規定しているその他のタイミング規定値を必ず遵守するようにしてください。
SDR SDRAMにはDLLがないため、クロック周波数の最小値はありません。 However, if the device is clocked at lower frequencies, it is still important to maintain a reasonably fast slew rate on the clock edges to avoid risk of setup and/or hold-time violations. Also, for operating frequencies of 45 MHz, tCKS = 3.0ns. 詳細については、「SDRAMスルーレート違反のLVTTLディレーティング」（TN-48-09）を参照してください。
はい。CK/CK#とDK/DK#の入力バッファは真の差動入力です。いずれのクロックも、RLDRAMデータシートで定義されている「クロック入力動作条件テーブル」の規定値に準拠していなくてはなりません。
はい。ただし、on-dieターミネーション（ODT）が有効になっている場合、DNUピンはVTTに接続されます。このような状態でDNUピンをGNDに接続すると、VTTの消費電力に大量の負荷がかかることになります。
簡易な4つのコマンドセットと短縮されたサイクルタイム（7ns tRC）を特徴とします。
マルチバンクWRITEとは、SRAMのようなランダムREADアクセスタイムを許可する機能です。この機能を使うことにより、RLDRAM 3の低tRC（<10ns）をREAD中に最大75%まで低減することが可能になります。RLDRAM 3モードレジスタを介して、１、2、または4つのバンクを並行してWRITEするよう選択することができます。複数のバンクに同一のデータを保存することにより、メモリコントローラはtRC遅延を最小限に抑えるためにどのバンクでデータを読むかを柔軟に決定することができます。
マルチバンクWRITEは、SRAMのようなランダムREADを可能にする機能です。マルチバンクREFRESHは、これまで以上に柔軟なリフレッシュオーバーヘッド管理を可能にし、1から4のバンクを並行してリフレッシュすることができる機能です。また、クラムシェル設計のレイアウトを容易にするミラー機能にも対応しています。
はい。RLDRAM 3は新しいアーキテクチャーですが、DDR3とRLDRAM 2にはRLDRAM 3の導入や統合を容易にするために活用できる多くの機能があります。コマンドプロトコル、アドレス指定、ストローブスキームはRLDRAM 2と同じです。一方、I/O、ACタイミング、READトレーニングレジスタはDDR3のものと非常に似ています。
はい。マイクロンのグリーン・エンジニアリング・プログラムはRoHS指令を遵守しており、アジアやヨーロッパをはじめとする多くの国の環境保護基準に準拠しています。
マイクロンでは、JEDEC規格に準拠した部品またはそれ以上の部品を設計しています。規格が改定される都度、新しい仕様に合致するよう部品の設計を変更しています。そのような変更があった場合、お客様には製品変更通知（PCN）を送付してお知らせいたします。
LPDDR4XのI/O電圧（VDDQ）は1.1Vから0.6Vに引き下げられ、LPDDR4に比べてさらに消費電力が節減できています。LPDDR4Xの最大データレートはLPDDR4と同じままで、4266Mbos/pinです。また、LPDDR4XはシングルエンドCK/DQS機能にも対応しています。
LPDDR5のピン当たり最大データ転送速度は6400Mbpsと、LPDDR4（4266Mbps）よりも1.5倍速くなっています。同時に、エネルギー効率性（pJ/bit）も向上しました。他にも、LPDDR5には省電化を図る多くの機能が導入されています。詳細については、以下のテクニカルノートをご覧ください。
TN-62-02: LPDDR5インターフェース：LPDDR5インターフェースの説明およびLPDDR4Xとの違い
Rev. A – 4/19
TN-62-03: LPDDR5トレーニング：LPDDR5 SDRAMトレーニングの概要
Rev. A – 5/19
TN-62-04: LPDDR5クロッキング：LPDDR5クロッキングの説明（LPDDR4との簡単な比較結果も含む）
Rev. A – 5/19
TN-62-06: LPDDR5アーキテクチャー：LPDDR5アーキテクチャーの概要
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TN-62-07: LPDDR5 ZQキャリブレーション：LPDDR5 ZQキャリブレーションの概要
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TN-62-08: LPDDR5 NT ODT：LPDDR5 NT on-dieターミネーションについて
Rev. A – 7/19
ダイに関しては何の違いもありません。マイクロンがLPDRAM製品に「モバイル用」、「自動車用」、「組み込み型」と接頭辞をつけたのは、各市場セグメントに整合させるためです。「モバイル用」は、スマートフォンやタブレットのような携帯デバイスに使用します。「自動車用」は、自動車関連のデバイスに使用します。「組み込み型」は、一般的なコンピューターではなく、1つか2つの特別な機能のために設計されたコンピューターシステムで使用するものです。組み込み型の場合、デジタルテレビ、カメラ、セットトップボックスなどのデバイスに、LPDRAMを組み込みます。各市場セグメントには異なる製品要件（動作温度など）があり、部品番号に記載されています。実際の動作温度範囲については、それぞれのデータシートを参照してください。
動作温度
Blank = 商用温度
IT = 産業用温度
AT = 自動車用温度
WT = ワイヤレス用温度
XT = 広範囲温度
UT = 超高低温度
ET = 極端な温度
製品仕様によって異なります。LPDRAMと標準SDR/DDRの価格を比較する場合、密度が決め手となります。また、LPDRAMはx16、x32、x64といった標準的な構成で提供されているため、現在2つのx16コンポーネントを使用したアプリケーションでx32バスに対応している場合などでは、全体的なBOMコストを引き下げることが可能です。2つの標準x16 DRAMの代わりに1つのx32 LPDRAMを使用することができるからです。価格の詳細については、現地の担当者にお問い合わせください。
LPDDR3では、バッテリー寿命とポータビリティが最適化されています。DDR3L-RSはDDR3LダイのIDD6（セルフリフレッシュ電流）低バージョンで、待機電力も向上し、価格とパフォーマンスのバランスがとれた価格を提供しています。
はい。LPDRAM部品は定格スピードグレードと同等の速度か、これよりも遅い速度で実行することができます。
マイクロンのLPDRAMは、消費電力が問題となる製品のために最適化された低電力デバイスで、最先端のテクノロジーとパッケージオプションを組み合わせ、スペース要件の達成とバッテリー寿命の拡張を実現しています。LPDRAMはDDR/SDRインターフェースと併せて提供しています。
マイクロンはこの急成長する市場への関心を高めており、今後も長期にわたってLPDRAMを製造していく予定です。また、密度の向上をめざして縮小化にも対応していきます。
マイクロンでは、幅広い密度とパッケージオプション（JEDEC準拠のFBGA、xMCP、パッケージ・オン・パッケージなど）による包括的なLPDRAM製品ポートフォリオを提供しています。マイクロンのグローバルなテクニカルサポートチームは、マイクロンの豊富なLPDRAM経験を活かし、お客様の迅速な設計市販のニーズに応じた専門性とサポートを提供しています。
適切なデカップリングを用いれば可能です。ただし、全ての給電が分離されていることを確認するようお勧めします。VREFは定期的にスイッチングするシグナルを供給するため、ノイズが発生しやすい傾向にあります。こうしたノイズが安定性を必要とするVtt面に侵入する可能性があるため、厳格な設計の場合、こうした電力を接続していません。また、VREFが必要とする消費電流はVttに比べてかなり少ないものとなっています。
NVDIMMは不揮発性の永続メモリソリューションであり、NANDフラッシュ、DRAM、オプションの電源を組み合わせて、単一のメモリサブシステムを構築するものです。マイクロンのNVDIMMはNANDの永続的な信頼性と組み合わせてDRAMのパフォーマンスレベルを実現しており、メモリ内に格納されたデータを電力損失から保護します。
NVDIMMはサーバーのDRAMメモリスロット内で動作し、DRAMの速度でワークロードを実行します。停電やシステムクラッシュが発生した場合、オンボードコントローラがDRAMに格納されたデータをオンボード不揮発性メモリに安全に転送することにより、データ喪失を防止します。システムの安定性が復旧した時点で、コントローラはデータをNANDからDRAMに戻し、中断したところから再開できるようにします。
永続メモリとはメモリ／ストレージ階層に新たに加わったもので、プロセッサーに近い不揮発性の低レイテンシーメモリを提供することにより柔軟なデータ管理を実現しています。基本的に、永続メモリは、標準的なストレージテクノロジーによりアプリケーション上に生じるI/Oボトルネック（パフォーマンスの抑制原因になる）を除去することで、アプリケーションのパフォーマンスを加速化します。このアーキテクチャーはDRAMバスに不揮発性メモリを配置しており、お客様がデータ移動を最適化してDRAMに格納された変数に速やかにアクセスできるようにします。
こうした永続メモリの出現によって、システム設計者は、保護すべき重要なデータにアクセスする際にレイテンシーや帯域幅を犠牲にする必要がなくなりました。重要なデータはプロセッサーの近くに格納することができるため、アクセス時間が大幅に削減されました。永続メモリは、レイテンシー、帯域幅、容量とコストの独特なバランスをとる一方で、重要データへのDRAM並みの超高速アクセスを実現しているため、システム設計者にとって全体的なコスト管理が容易になっています。
不揮発性媒体（HDDやSSD）に格納されている変数によってパフォーマンスが異なるアプリケーションは、NVDIMM（たいていのアプリケーションを加速化）によって恩恵を受けることができます。永続変数には、メタデータログ、チェックポイント状態、ホストWRITEキャッシュ、WRITEバッファ、ジャーナルログ、一般ログなどがあります。こうした変数をNVDIMMに格納することでパフォーマンスが加速化されるアプリケーションとして、RAIDカード、SSDマッピング、RAMDisk、SSDのWRITEキャッシングを使用した2ノード構成の高可用性ストレージが挙げられます。
マイクロンは3種類のDDR4 NVDIMM製品を提供する予定です：
レガシーファームウェアとは、初期のDDR4 NVDIMM設計において、AgigA Tech, Inc.が決定したファームウェア機能とコントローラレジスタの機能ロケーションを意味します。現在、ベンダー間のNVDIMM互換性を確保するため、JEDECがNVDIMMのファームウェア機能、レジスタロケーション、APIの規格を定めています。マイクロンの新たなNVDIMMソリューションはすべて、JEDECのファームウェアインターフェースを採用する予定です。
現在、多くのマザーボード、サーバー、ストレージアプライアンスがNVDIMMに対応しています。2016年には市場に参入するものがさらに増える予定です。詳細については、お客様のサプライヤーにお問い合わせください。
NVDIMMはブロックモードまたはダイレクトアクセスドライバーを利用しています。ブロックモードドライバーを使用しているNVDIMMは、OSやアプリケーションと互換性があり、ソフトウェアの修正はほとんどあるいは全く必要としません。ダイレクトマップ方式のドライバーを使用したNVDIMMを活用することにより追加のパフォーマンス能力が得られますが、OSとアプリケーションソフトウェアは多少修正する必要が生じます。現在、マイクロンでは、大手OEMやソフトウェア会社と協働し、NVDIMMハードウェア、ドライバー、ソフトウェアサポートを主力製品に組み入れるべく取り組んでいます。
e.MMCとは、小型のBGAパッケージに収められているEmbedded MultiMediaCard（組み込みマルチメディアカード）の略で、JEDECが定義するNANDフラッシュベースのメモリソリューションです。JEDECは、顧客デザインインの簡易化とマルチソース能力を確保するため、e.MMCのハードウェアとソフトウェアの両方を定義しています。
e.MMCは完全管理ソリューション（全てのメディア管理とECCを内部で処理）で、ホストに対するNAND技術移行の不可視化を実現し、顧客に市場化の時間短縮および製品寿命の延長と簡易化を提供しています。
マイクロンのe.MMC製品組み込み市場は大きく2つに分かれています。すなわち、「自動車市場」と「広範な市場」です。2つに分かれているのは自動車市場には固有の要件があるためです。したがって、マイクロンの自動車チームは個別に製品ラインを支援しています。広範な市場は、コンシューマー、ゲーミング、サーバー、ネットワーク、工業、医療、軍隊など、あらゆる市場セグメントを対象としています。広範な市場におけるe.MMCはさらに2つのグループに分かれています。すなわち、商用温度グレードのWTと拡張温度範囲のITです。
マイクロンサンプルセンターからサンプルを取り寄せることができます。
はい。JEDECの仕様書はデータシートと併せて読む必要があります。マイクロンのe.MMCはJEDEC規格に準拠しているため、マイクロンのデータシートに記載されている情報はマイクロンのe.MMCデバイスに限定された情報です。
はい。WT製品とIT製品（JEDEC 153-/169-ballおよび100-ball）にはIBISモデルを提供しています。
マイクロンは産業界のお客様用に、5段階の密度、JEDEC規格のBGA 153-/169-ball、カスタム100-ballパッケージなど、数多くのソリューションを提供しています。これらの製品はすべて、拡張温度範囲（-40°C～85°C）で動作します。
マイクロンの100-ball e.MMC BGAパッケージは、基板ルーティングの簡易化（PCBコストの節減）を目的とした1.0mmのボールピッチと、基板レベルの信頼性（温度サイクル）の強化を特徴としています。このソリューションは特に自動車市場、工業市場、ネットワーク市場で人気が高まっています。詳しいメリットについては、以下の表を参照してください。
100-ball e.MMCの特徴 |
メリット |
1.0mmの広いボールピッチ |
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0.45mmのボール呼び径 |
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ボールカウントの縮小（153-ball e.MMC JEDEC規格と比較した場合） |
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12のメカニカルサポートボールを含む100-ballパターン（各コーナーに3ボール） |
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柔軟なボールアウト設計 |
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マイクロンはe.MMC 4.4の提供を終了しました。お客様のアプリケーションエンジニアにお問い合わせください。マイグレーションについては、テクニカルノート「TN-FC-08: Micron e.MMC v.4.4からe.MMC 4.41へのマイグレーション」をご覧ください。
はい、e.MMCは2つのブートパーティションを提供しています。ブートコードへのアクセスが速く、システムブート時間が向上しています。ユーザー領域からブートすると数百ミリ秒かかるところ、ブートパーティションからブートすると遅くても50ミリ秒で格納データにアクセスできます。ただし、ブートパーティションを活用するためには、ブートパーティションからのブートをサポートするチップセットが必要です。お客様のチップセットがe.MMCブートパーティションからのブートに対応しているか確認したい場合、お客様のベンダーにお問い合わせください。
はい、ESG e.MMCデバイスは静的データ保護に対応しています。このデバイスは、WRITEパフォーマンスを最適化したコンフィギュレーションのCOMBOとしてマイクロンの製造工場から出荷されます。お客様は、WRITE実行時の電力損失に備え、静的（WRITE済）データを保護するために再設定することができます。
はい、ESG e.MMCデバイスは静的データ保護に対応しています。このデバイスは、WRITEパフォーマンスを最適化したコンフィギュレーションのCOMBOとしてマイクロンの製造工場から出荷されます。お客様は、WRITE実行時の電力損失に備え、静的（WRITE済）データを保護するために再設定することができます。
e.MMCの仕様書では、お客様がユーザーデータ領域に最大4つのパーティションをMLC（デフォルト）または拡張モード（pSLC）で設定できることが述べられています。拡張モードはMLCに比べて2倍のスペースを要しますが、信頼性は向上します。
詳細については、「TN-FC-40：組み込みe.MMCのコンフィギュレーション」をお読みください。
e.MMCは業界基準の製品であるため、e.MMCのドライバーは一般に市場で入手することができます。
eUSBとは、embedded universal serial bus（組み込みユニバーサルシリアルバス）の略で、USB業界基準に準拠したNANDフラッシュベースのメモリソリューションです。USBは複数のプラットフォームやオペレーティングシステムで広く採用されているインターフェースで、現在使用しているアプリケーション等のための低コストかつ効率的なデータ転送ソリューションを提供しています。
eUSBはNANDメモリを使用した完全管理ソリューションで、オンボードコントローラを介してすべてのメディア管理およびECC制御を内部で処理します。eUSBはお客様に完全なストレージソリューションを提供し、お客様のシステムに簡単に統合することができるため、市場化の時間を短縮することが可能です。
eUSBはグローバルウェアレベリングやダイナミックデータリフレッシュなどの豊富な管理機能を搭載したネイティブSLC NANDメモリを使用しており、卓説したパフォーマンスと信頼性の組み合わせを提供しています。
eUSBデバイスには、たいていのマザーボードに使われている業界基準の10ピンコネクターと互換性のある10ピン（2x5）USBメスコネクターがあります。PCB上に取り付け穴（内部のグランドに直結）があるので、システムボードへの安定した接続が可能です。 また、PCボードに追加の取り付け穴（製造工程のデパネリングで使用）があるため、必要に応じて予備の取り付け場所として活用することができます。
はい。マイクロンのeUSBは、オペレーティングシステムブートやメインストレージデバイスとして使用することができます。アプリケーションのBIOSはブートモード機能に対応している必要がありますが、過去5年の間に製造され、USB2.0に対応しているシステムならば、ほぼ問題はないでしょう。メインストレージとブートモードのいずれの場合でも、eUSBはシステム上で固定されたハードドライブとして認識されます。
はい。マイクロンが現在提供しているeUSBについては、部品カタログを参照してください。
マイクロンの最新世代であるeU500（eUSB 3.1）製品は、SMARTコマンドを使用して耐用年数データを取得する方法を提供しています。ただし、これより前の世代のeUSB製品は、ランタイムによる耐用年数データの取得に対応していません。
はい。マイクロンの最新世代であるeU500（eUSB 3.1）製品はUSB 2.0プロトコルとの互換性を持っています。eU500シリーズは、前の世代のe230と同じフォームファクター、電圧、コネクターに対応しています。マイクロンが現在提供しているeUSBについては、部品カタログを参照してください。
プレーナNANDフラッシュメモリは、メモリ業界の課題である微細化の限界に挑んだ製品です。 業界イノベーションは、高密度かつ低い容量単価のスケーリングを実現する最先端のNANDテクノロジーを必要とします。3D NANDは、密度の大幅な改善およびNANDフラッシュのコスト削減を達成しつつ、ムーアの法則に準拠したフラッシュストレージソリューションを可能にしています。
Intelとマイクロンが開発した3D NANDテクノロジーは密度とコスト面で飛躍的な改善を達成し、業界で初めて浮遊ゲートセルに使用される3D NANDとなりました。 この3D NANDによって、フラッシュデバイスは現在生産されている他のプレーナNANDダイよりも3倍の容量を持つことが可能になっています。また、第1世代はプレーナNANDよりも高い費用効果を実現しています。さらに、レイテンシーや耐久性を向上させるさまざまな機能があり、システムインテグレーションの容易化を促進しています。
マイクロンでは、パフォーマンスの向上や新規の機能を提供するために、さまざまな機能を統合しています。新規の機能には、新たなプログラミングアルゴリズムや電力管理モードなど、システムインテグレーションを容易にするものが含まれています。こうした機能の詳細については、FortisFlashを参照してください。
新しい3D NANDテクノロジーは浮遊ゲートセルを使用し、32レイヤーのフラッシュセルを垂直に重ねることで、標準パッケージに収まる256Gbのマルチレベルセル（MLC）と384Gbのトリプルレベルセル（TLC）ダイを実現しています。
現在、大型のブロックデバイスのみを取り扱っています。詳細については、テクニカルノート「TN-29-07：小型ブロックと大型ブロックのNANDデバイスの比較」をお読みください。
マイクロンのNANDフラッシュデバイスで最大PROGRAM/READスループットを得るためには、PROGRAMとREAD CACHEのコマンドを使用します。これらのコマンドの使用方法については、NANDデバイスのデータシートとマイクロンのNANDテクニカルノートを参照してください。
高速NANDは、最高200MB／秒（MB/s）の速度でデータを読むことができ、最高100MB/sの速度でデータを書き込むことができます。この高速性は、新しいONFI 2.0インターフェース仕様とクロック速度を高めたフォープレーン・アーキテクチャーを活用して実現しています。これに対し、従来のSLC NANDでは、データを読む速度は40 MB/s、データを書き込む速度は20 MB/s未満となっています。高速NANDのユーザーは、パフォーマンスのメリットを最大限に生かすために、新規のONFI 2.0同期インターフェース規格を採用する必要があります。
NVBとは、minimum number of valid blocks（有効ブロックの最少数）の略で、プログラム／消去サイクル終了時点の最小値を意味します。
マイクロンでは、512バイトセクションごとにECC要件を定義しています。MLC NANDデバイスは1セル当たりのビット数が多いため、SLC NANDよりも高いECC規定値が設けられています。ECC要件は設計によって異なるため、ECCの必要量については、デバイスデータシートを参照してください。
READ DISTURBエラーは同じデータが繰り返し読まれた場合に発生します。NANDテクノロジーの性質上、READ DISTURBエラーの発生率はかなり低いものとなっています。READ DISTURBによるエラーを軽減するために、データのリフレッシュを実行して同一データの読みとり時間を縮小することをお勧めします。
NANDデバイスでPROGRAMまたはERASEコマンドを実行した後、必ずREAD STATUSコマンドを発行するようにしてください。PROGRAMやERASEコマンドを実行した後、結果のメッセージが表示されるので、PROGRAM／ERASEが成功したかどうかを確認してください。PROGRAMの後でREAD STATUSコマンドが失敗を報告した場合、データはどこかほかの場所でプログラムされ、プログラムされたブロックは無効になることを意味します。ERASEの後でREAD STATUSコマンドが失敗を報告した場合にも、ブロックは無効になることを意味します。
NANDではECCを使用してビットエラー率（BER）を取得することができます。これはブートデバイスとして一般に使用されているNORに相当します。NANDを使用するアプリケーションは通常、ブートコードをDRAMにコピーし、DRAMから実行します。詳細については、テクニカルノート29-16を参照してください。これは特定のプロセッサーに関するものですが、その概念自体は広く一般に適用することができます。また、NANDの一般的な概念に関しては、テクニカルノートTN-29-19をお読みください。
はい。
two-die NANDデバイスでは、単一のダイが各CE#にあるため、単一ダイのCE#ごとにデバイスIDが返されます。例えば、2つのCE#ピンがある8Gb two-die NANDデバイスの場合、各CE#の4GbデバイスIDが返されます。詳細については、NANDデバイスデータシートの「Read ID」セクションをお読みください。
マイクロンのNANDフラッシュに関する詳細な技術情報（パフォーマンス強化コマンドを含む）は、NANDのテクニカルノートに記載しています。
マイクロンでは、NANDデバイス用にVerilog、HSPICE、IBISモデルを掲載しています。お客様のニーズに合わせた適切なモデルを見つけるには、NAND部品カタログでお客様のデバイスを選び、そこに掲載されている利用可能なモデルを参照してください。
NANDデバイスで適切な量のエラー訂正コード（ECC）を使用しているか確認してください。ECCの上限値については、NANDデバイスデータシートの「エラー管理」セクションを参照してください。また、NANDメーカー（マイクロン）がマークした不良ブロックが使われていないことも確認してください。メーカーがマークした不良ブロックの検索方法については、NANDデバイスデータシートの「エラー管理」セクションを参照してください。
NANDデバイスに電源を入れた後、リセットコマンド（FFh）を発行してください。リセットコマンド（FFh）は、NANDデバイスの有効なチップイネーブル（CE#）ごとに発行しなくてはなりません。そのCE#に対して他のコマンドが発行される前に実行するようにしてください。
グラフィックスDRAMは、極めて広い帯域幅の要件に対応するために設計されたDDR SDRAMの一種です。標準的なDRAMとは異なり、グラフィックスDRAMは通常、SoCとして同一のPCBと結合し、常にメモリコンポーネントごとに32 DQをサポートしています。グラフィックスDRAMは、グラフィックスカードやゲームコンソールを別として、ネットワーク、自動車、高性能コンピューティングなど、高帯域幅アプリケーションに使用されています。
GDDR5は、前の世代のGDDR3と比べ、高い密度、低い外部電圧、2倍以上のメモリ帯域幅を実現しています。GDDR5のデータ転送速度とＣKクロックの比較差は4倍と、DDR3やGDDR3の比較差が2倍であることに比べ、高いものとなっています。
いいえ、GDDR5はパッケージサイズが異なるため、GDDR3から直接交換することはできません。GDDR3は136-ball BGAパッケージですが、GDDR5は170-ball BGAパッケージとなっています。
グラフィックスDRAMは、極めて広い帯域幅の要件に対応するために設計されたDDR SDRAMの一種です。標準的なDRAMとは異なり、グラフィックスDRAMは通常、SoCとして同一のPCBと結合し、常にメモリコンポーネントごとに32 DQをサポートしています。グラフィックスDRAMは、グラフィックスカードやゲームコンソールを別として、ネットワーク、自動車、高性能コンピューティングなど、高帯域幅アプリケーションに使用されています。
前の世代のGDDR5と比べ、GDDR5Xは高い密度と低い外部電圧（1.35V）を実現しています。また、GDDR5に比べて2倍の帯域幅（10–16 Gb/s）を持ち、従来のディスクリートパッケージテクノロジー（FBGA）を維持しています。
はい、GDDR5Xには2つの動作モードがあります：
はい、GDDR5XにはIEEE 1149.1に準拠したバウンダリスキャンがあります。
マイクロンは業界で初めてGDDR5Xの量産を開始したメモリサプライヤーです。
はい、GDDR5X SGRAM基準は2015年12月に初めてJESD232として公表されました。最新のJEDECリリース版はJESD232Aです。
いいえ、GDDR5Xはパッケージサイズが異なるため、GDDR5から直接交換することはできません。GDDR5は170-ball 0.8mm-pitch BGAパッケージですが、GDDR5Xは190-ball 0.65mm-pitch BGAパッケージとなっています。
グラフィックスDRAMは、極めて広い帯域幅の要件に対応するために設計されたDDR SDRAMの一種です。標準的なDRAMとは異なり、グラフィックスDRAMは通常、SoCとして同一のPCBと結合し、常にメモリコンポーネントごとに32 DQをサポートしています。グラフィックスDRAMは、グラフィックスカードやゲームコンソールを別として、ネットワーク、自動車、高性能コンピューティングなど、高帯域幅アプリケーションに使用されています。
前の世代のグラフィックスメモリに比べ、GDDR6は高い密度を実現しています。また、GDDR5と比べて2倍の帯域幅を持ち、GDDR5Xの速度を拡張しています。さらに、デュアルチャネルアーキテクチャーを採用しているため、GDDR5メモリアクセスサイズとの互換性を維持しつつ、パフォーマンスが大幅に向上しています。
いいえ。
はい。
はい、GDDR6にはIEEE 1149.1に準拠したバウンダリスキャンがあります。
マイクロンは、2年以上の設計、量産、テスト、アプリケーション学習で培ったGDDR5Xベース高速シグナルのノウハウをGDDR6製品に活用しています。そのため、マイクロンは、従来のメモリコンポーネントによる高速シグナル製品において、市場リーダーの地位を維持することができています。
はい、GDDR6 SGRAM基準は2017年7月に初めてJESD250として公表されました。
いいえ、GDDR6はパッケージサイズが異なるため、GDDR5やGDDR5Xから直接交換することはできません。GDDR5は170-ball 0.8mm-pitch BGAパッケージ、GDDR5Xは190-ball 0.65mm-pitch BGAパッケージですが、GDDR6は180-ball 0.75mm-pitch BGAパッケージとなっています。
マイクロンでは、現行の製品ポートフォリオが現在および将来の市場ニーズに対応しているかどうかを見極めるために、継続的に製品ロードマップのレビューを行っています。HMCを早期に導入して以来成功を収めてきましたが、新たな高パフォーマンスメモリが市場に次々と参入していることから、HMC市場は成熟期に入ったと判断しました。
マイクロンでは引き続き高パフォーマンスアプリケーションのメモリを開発・設計していく予定です。GDDRはロードマップサポートを提供しており、引き続きこの分野で成長し続けます。また、HBM開発プログラムも策定したところです。
営業チームや流通担当者と相談し、最終購入注文の締切日までに最終購入数量をマイクロンに伝えてください。
上記をお読みください。
マイクロンはネットワーキングスペースにおけるメモリの大手サプライヤーであり、今後もこの分野の事業機会に焦点を当て、評価していく予定です。
HMCCとは、Hybrid Memory Cube Consortium（ハイブリッドメモリキューブ・コンソーシアム）の略で、HMCテクノロジーの構築、デザインイン、有効化を行う業界リーダーで構成されるワーキンググループを意味します。HMCCの目標は、業界で採用可能なHMCインターフェースを定義し、さまざまなアプリケーションに対するHMCのインテグレーションを促進することにより、開発者、メーカー、イネーブラーがこの画期的なテクノロジーを活用できるようにすることです。
HMCCは重要性の高い探索的な研究開発に取り組んでいます。マイクロンは今後もHMCCに対し、テクノロジーディスカッションのサポートや意見、顧客エンゲージメントから得た知識を提供していく予定です。
はい。PoPに関する信頼性データの詳細については、「お問い合わせ窓口」ページにアクセスしてください。
いいえ。PoP/MCP部品にはディスクリートコンポーネントと同じ品質テストを行っています。
Beagle BoardはマイクロンのNAND + Mobile LPDDR PoPを組み合わせた部品を使用しています。密度は、ご使用のBeagle Boardのバージョンによって異なります。マイクロンのFBGA Decoderでお求めの部品の第2コード（5桁の英数字）を入力すると、これに相当するマイクロンの部品番号が表示されます。
システムソリューションの観点からみると、PoPは直接プロセッサーにマウントされるため、PCBに転送されるトレースを必要としません。これによって、お客様のコストを節約するだけでなく、シグナル・インテグリティも向上します。
市場は小型PoPフォームファクターの要件を求めるようになっており、すでにこのテクノロジーを導入している委託製造業者もいます。PoPはルーティングコストを削減し、シグナル・インテグリティを向上させます。こうしたコストやパフォーマンス面のメリットを考慮すると、お客様の委託製造業者と密接に協力しあい、このテクノロジーのスムーズな移行を図ることをお勧めします。
ディスクリート部品からPoPのテストに移行する場合、ディスクリートコンポーネントを含む設計にスタブが残っていないことを確認する必要があります。必要であれば、ゼロオームレジスタで、ディスクリート部品に使用したトレースからメモリを分離します。
マイクロンでは、x16 NANDとx32 Mobile LPDDRを定番の製品として販売していますが、x8 NANDとx16 Mobile LPDDRも取り扱っています。最新の情報については、マイクロンのカスタマーサポートにお問い合わせください。
MCPとは、Multi Chip Package（マルチチップパッケージ）の略で、コントローラで使用する複数のダイが含まれています。PoPとは、Package on Packageの略で、プロセッサーの上部にパッケージを積層するMCPの実装形態を意味します。プロセッサーの上部にはPoPのボールアウトに接合するパッドがあります。PoPパッケージはプロセッサーの上部に積層されるため、PCBに転送するトレースを必要とせず、シグナル・インテグリティが向上します。PoPパッケージはさまざまなプロセッサーに合わせて設計されています。こうしたPoP／MCPデバイスにより、設計者はZスペースの利点を活かし、単一パッケージに複数のロジックを提案する柔軟性を得ることができます（例えば、NAND + Mobile LPDDR、e.MMC™ + NAND + Mobile LPDDRなど）。マイクロンでは、お客様のニーズにお応えするため、幅広く製品を取り揃えております。
マイクロンでは、CrucialブランドのSSD（とメモリ）をコンシューマーのお客様に直販しています。Crucial SSDはMicron SSDと同等の高品質、信頼性、パフォーマンスを備え、コンシューマー用にパッケージされたものです。Crucial SSDの購入をご希望の場合は、こちらのサイト（crucial.com/ssd）にアクセスしてください。
現在、マイクロンのメモリダイは、ほぼ全てがホールウエハーで販売されていますが、個片化されたダイではありません（現地の営業担当者にお問い合わせください）。ウエハーの出荷ごとにウエハーマップを添付しています。ウエハーマップの詳細については、「TN-00-21」を参照してください。（Aptinaイメージセンサのダイの注文に関しては、aptina.comをご覧ください）
マイクロンのダイ製品はホールウエハーの形態で提供しており、水平式ウエハーシッパー（コインスタック）またはベンダーボックスで発送しています。お客様がマイクロンのウエハー製品を保管・開封する際には、必ずクリーンルーム環境で行ってください。詳細については、「CSN 20：ホールウエハーパッケージ」を参照してください。
標準的な「非接地」ウエハーの厚さは、200mmウエハーで750µm、300mmウエハーで790µmとなっています。また、製品によっては、200mmウエハー用の厚みのウエハーを提供しています。規格外のダイの厚みについては、ダイ・データシートを参照してください。お客様のご要望があれば、カスタマイズした厚みをご提供する場合があります。詳細については、営業担当者までお問い合わせください。
16進数の値をバイナリに転換し、JEDEC SPD仕様書に記載されているSPDバイトと照合することにより、バイトの理由と設定方法を理解することができます。
マイクロンでは、SPD値を生成する独自のアプリケーションを使用し、エンジニアのインプットとルールデータベースに基づき、各部品番号のSPD値を決定しています。データベースに格納されたルールは、JEDEC SPD仕様書に準拠するよう注意深く記述されています。このプロセスによって、互換性と一貫性が確保されています。
モジュールのSPD仕様書はJEDECが決定しています。マイクロンでは、JEDEC基準番号21-Cにある複数のSPD仕様書を参照して、SDRAM、DDR、DDR2、DDR3、FBDIMMモジュールのSPDデータを決定し、生成しています。これらの仕様書はJEDECのウェブサイト（www.jedec.org）で公開されています（批准されたものに限ります）。未完了または未批准の仕様書については、JEDECのメンバーのみが閲覧することができます。
Serial Presence Detect（シリアルプレゼンス検出）です。
SPDデータはモジュールの電子的・物理的特徴を表すものです。このデータはモジュール上のEEPROM（電気的に消去・プログラム可能な読み出し専用メモリ）に恒久的に保存されます。基本入出力システム（BIOS）がSMBusを介してSPDデータにアクセスします。BIOSはこのデータを使用して、設置されたメモリの最適化を図るために、システムのコンフィギュレーションを実行します。
SPDテーブルはバイトごとの16進数の値を示すものです。この値は各メモリモジュールのEEPROMに格納されています。
Verilogモデルは、マイクロンが提供するラッパーと、現在お客様が使用しているモジュールのDRAMコンポーネント用のVerilogモデルを使用して、DDR、DDR2、DDR3モジュールで実行することができます。設定可能なDIMMモデルファイル（ddr_dimm.v、ddr2_module.v、またはddr3_dimm.v）は、DDR、DDR2、DDR3コンポーネント用にダウンロードしたDRAM Verilog model .zipファイルに含まれています。このzipファイルにはreadme.txtファイルも含まれており、DIMMモデルのコンフィギュレーションに関するインストラクションが記載されています。
マイクロンのモジュールは、パリティシステムと非パリティシステムの両方にハードウェアの互換性を持つよう製造されています。Par_in（parity in）と高次アドレスシグナルには、弱いプルダウン抵抗（100K-ohm）があり、スイッチポイント周辺の振動によるインプットを安定化させます。Err_out（パリティエラーアウト）はオープンドレインを意味し、パリティシステムで使われない限り、「真に接続なし」のままにしておきます。パリティモジュール上のSPDデータはパリティを反映していません。ごくまれにですが、非パリティシステムのファームウェアやBIOSがSPDのパリティビット上でエラーを起こすことがあります。そのため、システム設計者は、非パリティシステムのファームウェアがこの部分のSPDデータを予測または無視していることを確認する必要があります。
適切なモデルを使用するために、コネクターメーカーからコネクターモデルを入手することをお勧めします。マイクロンでは、シンプルな非連結RLCコネクターモデルを提供することができます。お客様はこのモデルをそのままご利用になるか、あるいはこのモデルを参考にしてご自身のコネクターモデルを作成することもできます。このモデルをご要望の場合は、DRAMサポートまでメールでお問い合わせください。
原則として、お客様にGerberファイルとODB++ファイルは提供していません。なぜならば、これらのファイルにはマイクロンの設計に関する機密情報が含まれており、無断で製品の量産に利用される可能性があるからです。通常、お客様がGerberファイルを必要とする理由はないはずです。GerberファイルはPCBを量産するためにPCBメーカーに提供するものです。IBIS、EBD、ボードファイルでも、お客様がモデルを作成してシグナル・インテグリティのシミュレーションを実行するのに十分な情報を提供しています。
マイクロンは大方のモジュールについて、お客様のご要望があれば、Hyperlynxモデルを提供しています。ご要望の場合、DRAMサポートにメールでお問い合わせください。その時に、ご希望のモジュールの部品番号をお知らせください。なお、お客様のリクエストメールを受け取ってからモデルをお届けするまで、2週間程度かかる場合があることをご了承ください。
モジュールのVHDLモデルは提供しておりません。マイクロンでは、モデルのリソースとして、高度な規格水準のIBIS、Verilog、HSPICEなどのモデルを重視しています。ただし、VHDLモデルの代替として以下のモデルが入手可能です：Denali社とSynopsys社は、それぞれの自社ウェブサイトでメモリコンポーネントとモジュールモデルのライブラリを公開しています。両社のEDAパッケージは、VHDLモデルの代わりに行動シミュレーションを作成する代替手段となります。また、ModelSimなどのシミュレーターは二言語オプション（VHDLとVerilog）も提供しています。この方法でシミュレーションを行うには、現在入手可能なVerilogモデルにVHDLラッパーを使用してください。
モデルが対応しているドライブ強度を確認するには、以下を行ってください：
- HSPICEモデル：.spファイルで対応のドライブ強度に関する情報と選択方法を見つけてください。
- IBISモデル：[モデルセレクター]セクションでテキスト検索を行ってください。このセクションは、指定のインプット／アウトプットまたはアウトプットバッファで選択すべきドライブ強度について説明しています。
HSPICEモデル：readmeファイルでダイリビジョン情報を参照してください。
IBISモデル：ファイルの冒頭でダイリビジョン情報を参照してください。
マイクロンでは、ラボ計測のモデルを検証するために、入力容量、電力・グランドクランプダイオードの特性、出力バッファのドライブ強度、出力バッファのスルーレートなど、複数の項目を比較分析しています。マイクロンの新しいモデルには、ラボ計測のモデル特性やデータシート仕様を比較した品質レポートが含まれています。
マイクロンのモデルは、その大半がIBIS 4.0固有のキーワードをほとんど含んでいません。たいていの場合、このモデルは簡単な変更を少し加えるだけでIBIS 3.2規格にすることができます。まず、 [IBIS Ver]キーワードを3.2に変更してください。次に、各[Model Spec]キーワードの下にあるVREFセクションの前にコメント文字（"|"）を入力します。最後に、各[Receiver Thresholds]セクションをコメントアウトします。
パフォーマンスと電力の観点から、メモリコントローラに2つのランクがあることが利点になります。例えば、コントローラが1つ目のランクで64 bitの文字を待機している場合、2つ目の64-bitランクはアクセスすることができます。このインターリービング方式により、モジュールの全体的なパフォーマンスが向上します。使用していないランクの電力が低下するため、モジュール全体の消費電力が低減します。
1.xレベルのモデルは、ラボ計測との関連性がないことを示しています。通常、1.xレベルのモデルはシリコン前または生産前のデバイスに提供されます。2.xレベルモデルはラボ計測と関連性があります。
Boardファイルとは、PCBの電気的・機械的特性を記述したものです。EBDとODB++ファイルはBoardファイルから生成されます。Boardファイルにはモジュール設計に関する機密情報や専有情報が含まれているため、秘密保持契約に署名したお客様に対してのみBoardファイルを提供しています。
Gerberファイルは、PCBを生成するためにPCBメーカーに渡すファイルです。現在、基板店はPCBの量産にODB++ファイルを要求するようになっているため、Gerberはやや時代遅れの用語になってきました。また、Gerberという用語は広義に使用されています。ときには、PCBの電気的・機械的特性を記述したファイルは、EBD、ODB++、Boardファイルを含め、すべてGerberと呼ばれることもあります。したがって、お客様からモジュールのGerberファイルについて尋ねられたとき、どのファイルが必要なのかを判断する必要があります。
ランクとは、一般にシステムのデータバス幅を意味します。一般的なバス幅は64bitまたは72bitです。たとえば、8bit幅の8つのコンポーネントをPCBに実装する場合、モジュールのバス幅は64bitとなり、モジュールから64bitの文字を読み出すことができます。マイクロンでは、これを「シングルランク」モジュールと呼んでいます。8bit幅の16のコンポーネントをPCBに実装する場合、64bit幅の2つのランク、すなわち「デュアルランク」モジュールが生成されます。
ランクとは、一般にシステムのデータバス幅を意味します。一般的なバス幅は64bitまたは72bitです。たとえば、8bit幅の8つのコンポーネントをPCBに実装する場合、モジュールのバス幅は64bitとなり、モジュールから64bitの文字を読み出すことができます。マイクロンでは、これを「シングルランク」モジュールと呼んでいます。8bit幅の16のコンポーネントをPCBに実装する場合、64bit幅の2つのランク、すなわち「デュアルランク」モジュールが生成されます。
IBIS（.ibs）ファイルとは、Cadence® Allegro®やHyperLynx®などのシミュレーションアプリケーションで読み込まれる回路の特性を記述したファイルを意味します。IBISはInput/output Buffer Information Specification（入出力バッファ情報仕様）の略で、EIA（米国電子工業会）の規格です。IBISは特定のフォーマットによるテキストファイルで、回路の入出力における電流と電圧、電圧と時間の比較特性を記述しています。IBISモデルにはコンポーネントの内部構成に関する機密情報が含まれていないため、お客様にお渡しできるファイルとなっています。通常、NDAはIBISファイルを必要としません。
メモリのコントローラは、1つのバンクでタスクを開始し、別のバンクで個別のタスクを実行することができます。このインターリービング方式により、DRAMの全体的なパフォーマンスが向上します。
バンクは独立したDRAMコンポーネントに固有の用語であり、DRAMコンポーネント内のサブアレイを参照します。ランクはメモリモジュールに固有の用語であり、複数のDRAMコンポーネントのサブアレイを参照します。
完全なモジュールのIBISモデルは以下のファイルで構成されています：
1. 特定のモジュールで使用されているDRAMのIBISモデル
2. PLL、レジスタ、EEPROMのIBISモデル（適宜）
3. PC上の抵抗並列ターミネーションのIBISモデル
4. PCBのEBD（Electrical Board Description）ファイル。このファイルは上記で述べたターミネーションのIBISファイルを参照するもので、
これらのファイルを併せ、PCBの完全な記述を提供しています。
マイクロンでは、CAD作図やシミュレーションを始める基板設計者のお客様から、こうした質問をよくいただきます。しかし、検討すべき変数があまりにも多いので、正確な答えをご提供することは困難です。クロック速度、1T/2Tタイミング、登録済／非バッファのモジュール、トレースインピーダンスなど、すべてが重要な要因です。on-dieターミネーションがあるコントローラもありますし、ないものもあります。コマンドとアドレスバスのコピーを2つ持つコントローラもあります。これらの要因はすべて、トレース長やターミネーション、許容可能なシグナル・インテグリティの達成度に影響を及ぼします。
まずは、マイクロンのテクニカルノートTN-47-01、TN-47-20、TN-46-14をご一読いただくことをお勧めします。ただし、トレース長とターミネーションは最終的にシミュレーションや物理的テストで検証する必要があります。また、マイクロンでは、シミュレーションを実行する専門知識やリソースを持たないお客様のために、オンラインシミュレーターを提供しています。オンラインシミュレーターはマイクロンのウェブサイト（Micron.com）のセキュアなセクションに掲載しています。ご利用になる場合は、こちらのURL（www.micron.com/simulators）にアクセスしてください。
モジュールのモデルに関しては、お客様のリクエストを受けた時に作成したほうが、より効率的だと考えています。ご希望のモジュールのIBISモデルが見つからない場合、DRAMサポートにメールでお問い合わせください。
お客様はこれまでと同じ電話番号とオフィスの住所で、担当者と連絡をとることができます。担当者は今後使用する新しいマイクロンのメールアドレスをお渡しすると思います。
2014年2月28日をもって、エルピーダの社名は「マイクロンメモリジャパン株式会社」、秋田エルピーダメモリは「マイクロン秋田株式会社」に変わりました。
現在、エルピーダをマイクロンに統合するプロセスを進めており、営業所の一部は変更される予定です。今後の詳細については、現地の営業担当者にお問い合わせください。
ご質問があればお客様の営業担当者にお尋ねください。何か問題があれば、営業担当者がお客様と十分に話し合い、できる限り解決できるよう尽力いたします。
求人情報については、www.micron.com/careersをご覧ください。
これまでと同じ営業担当者とカスタマーサービス担当者にご連絡ください。もし担当者に変更がありましたら、速やかにお知らせいたします。
エルピーダの製品情報はマイクロンのウェブサイト（www.micron.com）に掲載されています。マイクロンの部品カタログでエルピーダの部品を見つけやすいように、以下のヒントを参考にしてください：
注文部品番号は梱包媒体識別子（テープ＆リールまたはトレイ）を含めた番号になります。2013年12月に製品変更通知を発行しています。何か質問等がある場合には、営業担当者にお問い合わせください。
エルピーダの部品情報、部品カタログ、データシートに関しては、micron.com/elpidapartsにアクセスしてください。
現時点ではエルピーダブランドの製品に表示するロゴや部品マークを変える予定はありません。何か変更があるとしても、お客様への影響を最小限に抑えるよう尽力いたします。また、変更があり次第、適切なチャネルでお客様にお知らせいたします。
アカウントサポートチームから何かお知らせがない限り、そのまま審査をお続けください。サポートや認定に関して質問がある場合、マイクロンまたはエルピーダの技術担当者にお問い合わせください。
マイクロンの流通ネットワークには変更を行っています。マイクロンが認定するディストリビューターについては、「マイクロン認定ディストリビューターリスト」を参照してください。マイクロンの認定ディストリビューターはマイクロン製品とエルピーダ製品の両方を販売します。製品の注文に関して質問や問題がある場合、distribution@micron.comにメールでご連絡ください。担当者がすぐに対応いたします。今後、マイクロンの流通ネットワークに変更が生じる場合、お客様やディストリビューターと積極的に話し合い、サプライチェーンのニーズに対応してまいります。
マイクロンの取引条件がすべての購入に適用されます。通常、取引条件は発注書に記載されています。マイクロンメモリジャパンに関しては、通常、基本購入契約に取引条件が記載されています。ただし、エルピーダと締結した契約が存在するならば、契約内容が修正されるか終了しない限り、その契約条件が引き続き適用されるはずです。
現時点では、マイクロンにはメモリを寄付する体制がありません。半導体機器に関しては、時折、大学パートナーに寄付する場合があります。
「コミュニティ助成プログラム」ページにアクセスし、応募要項と申込書をダウンロードしてください。
指示に従い、必要なフォームと情報をすべてマイクロン財団に提出してください。
マイクロンの主要な出資分野に該当しない不完全な提案やプログラム／プロジェクトは審査対象とはなりません。
高等教育助成プログラムは招待を受けた者のみが応募できます。詳細については、ジャニーン・ラッシュ＝バイヤーズ（電話：(208) 363-3675）にお問い合わせください。
製造サイトのコミュニティに所在している必要があります：米国団体の場合はアイダホ州ボイシ、バージニア州マナサス、国際団体の場合はシンガポールまたはイタリアのアヴェッツァーノに所在している必要があります。
応募資格について不明点がある場合、マイクロン財団にお問い合わせください。
非営利ステータスの証明書を提示する必要があります。応募用紙に記入し、提出してください。詳細については、下記のセクションをご覧ください。科学、数学、テクノロジーの振興を目的としたプログラムは優先的に審査対象となります。
学校はこうしたプログラムに個人的なプロジェクトから戦略的パートナーシップまで、さまざまな形態と関与度で参加することができます。学校の参加は、各学校の関係部門とマイクロンとの間で適合する相互の利益が基盤となっています。
大学の部門レベルでの参加についての詳細は、マイクロンの大学広報担当マネージャー（university_relations@micron.com）にお問い合わせください。
現地のコミュニティ／K-12助成プログラムについては、カミ・フェイラー（電話：(208) 363-3675）にお問い合わせください。
高等教育助成プログラムについては、ジャニーン・ラッシュ＝バイヤーズ（電話：(208) 363-3675）にお問い合わせください。
はい。指令2011/65/EU（指令2002/95/ECとの置き換え）は「電気・電子機器における特定有害物質の使用制限」（RoHS）を定めるもので、マイクロンの半導体製品に影響を及ぼすものです。この指令の目的は、電気・電子機器における特定の有害物質の使用を制限し、人間の健康と環境を保護することです。マイクロンの製品は常に5/6 RoHSに準拠しています。つまり、鉛はんだは含まれていますが、そうでなければRoHS規制に準拠しているということです（制限対象6物質のうち、5物質は遵守）。そして、マイクロンの鉛フリー製品は完全にRoHSに準拠しています。
マイクロンのRoHS準拠モジュールレベルの製品には鉛を使用しているかもしれない電気部品が含まれていますが、この使用は指令2011/65/EUで免除されています（アネックス3第4条を参照）。詳細については、営業／マーケティング担当者までお問い合わせください。
環境総局長が公布する欧州委員会のFAQシートは正式な評価基準（ただし、法的拘束力はありません）となるものです。
マイクロンの鉛フリーコンポーネント、ダイ、ウエハーレベル製品には、中国版RoHSで制限されている6物質が一切含まれていません。マイクロンのモジュールには、EU版RoHSで免除されていないアプリケーションと免除されているアプリケーションの両方で、鉛が含まれている場合があります（信頼性の高い鉛フリー代替品が市場で入手不可能な場合）。
ただし、マイクロンの製品は直接コンシューマーに販売されていません。EPUPなどのマーク／ラベル要件は、コンシューマー市場で直接販売している製品のみに適用されます。詳細については、営業／マーケティング担当者までお問い合わせください。
マイクロンは製造プロセスで意図的にこれらの物質を添加しているわけではありませんが、最終製品の製造に使用される原材料に微量が含まれている可能性があることは否めません。
マイクロンは、規則2006/1907/EC「化学物質の登録、評価、認可及び制限に関する規則（REACH）」の製品要件を強く認識しています。マイクロンはREACHの「候補リスト」の動向を常に監視し、製造プロセスで使用されている「高懸念物質」の有無や最終製品への潜在的影響について適時に検証しています。また、必要に応じて、自社製品に含まれている物質に関する情報をお客様に提供するよう努めています。資料をご希望の場合は、営業担当者にお問い合わせください。
マイクロンのグリーンパッケージは、RoHSに準拠していることに加え、環境に有害であると特定されている物質や信頼性を深刻に損ねかねない物質（臭素、塩素、アンチモンを含む物質、無機赤リンなど）を含んでいません。パッケージ材料（カプセル材料、ダイアタッチ材料、アンダーフィルエポキシ樹脂、基板など）にこうした物質を意図的に加えることはありません。こうした物質がグリーンパッケージに使用できる微量の上限値は以下の通りです。
<900 ppm 塩素
<900 ppm 臭素
<1500 ppm 塩素・臭素
<900 ppm アンチモン
<100 ppm 赤リン
なお、マイクロンの鉛フリー製品とグリーン製品には意図的に鉛を添加していないものの、鉛フリー部品はハロゲンかアンチモン化合物を含む場合があり、必ずしもグリーン製品とは言えないことにご留意ください。
* マイクロンは製造プロセスで意図的にこれらの物質を添加しているわけではありませんが、最終製品の製造に使用される原材料に微量が含まれている可能性があることは否めません。
はい。マイクロンは鉛フリー製品だけでなく、RoHS 5/6製品にも対応しています。一部のアプリケーションはRoHS指令から免除されています。
RoHS準拠のメモリ製品ラインは各製品タイプの部品リストに記載しています。部品番号ごとに簡単なコンプライアンスチェックを行うには、部品番号検索ツールをご使用ください。グリーン製品の情報については、マイクロンの営業担当者にお問い合わせください。
「部品の詳細」ページまたは「主要製品群の検索」にアクセスすることにより、部品ごとのRoHS適合証明書を見つけることができます。
マイクロンのグリーン・エンジニアリング・プログラムはRoHS指令を遵守しており、アジアやヨーロッパをはじめとする多くの国の環境保護基準に準拠しています。
マイクロンでは、こうした代替品を使用することにより、RoHSに準拠した鉛フリー部品を生産しています。部品は表面実装温度260°Cで認証を受けています。
現在、お客様のご要望に応じて鉛フリー製品とグリーン製品を提供しています。こうした製品の提供は、お客様の需要や非メモリコンポーネントのグリーン製品やグリーン材料の入手可能性によって大きく異なります。
詳細については、マイクロンの営業担当者にお問い合わせください（「セールスネットワーク」ページで現地の営業担当者をお探しください）。
Micron Technology, Inc.は1997年2月に新ISO 14001「環境マネジメントシステム」規格の認証を取得し、この認証を米国で初めて取得した企業の1社となりました。マイクロンはANSI-RAB米国認定プログラムのパイロット参加者としてKEMA Registered Quality, Inc.から指名を受けています。このプログラムに参加しているのはマイクロンを含めて米国企業5社です。
ISO 14001の認証を取得するためには、4つの基本的要素を満たす必要があります。
ISO 14001とは国際的な環境マネジメント規格であり、組織が自主的に効果的な環境保護システムに取り組むことを支援するものです。ISO 14001はISO 9000品質マネジメント規格の環境保護バージョンです。ISO 9000品質マネジメント規格は世界各国の企業によって導入されています。
ISO 14000の認証プロセスにおいて、企業の環境マネジメントシステムは第三者認証機関によって審査されます。マイクロンはKEMA Registered Quality, Inc.の審査を受けています。KEMAは米国のANSI-RABとRvAによりISO 9000、QS9000、ISO 14001の認定を受けたグローバル第三者認証機関であり、また、欧州連合のCEマーク表示強制製品認証で複数分野における「公認機関」でもあります。KEMAのクライアントは世界各地で数千にのぼり、これには多岐にわたる製品・サービス業界も含まれています。KEMAはエレクトロニクス、情報テクノロジー、ハイテク製造業の分野を専門としています。
マイクロンは環境のコンプライアンスと保護には極めて積極的なアプローチをとっており、マイクロンの従業員、お客様、事業を営むコミュニティに貢献しています。私たちは環境保護プログラムと労働者安全プログラムの両方に誇りを持っており、最低限の規制を遵守することをベースラインとし、規制で求められる以上の目標に取り組んでいます。ISO 14001規格はマイクロンの企業文化に合致するものです。環境マネジメント基準を策定する主な原動力は、環境保護とアカウンタビリティに対する情熱です。ISO 14001規格は、規制コンプライアンスを超えて企業が環境保護プログラムを評価し、継続的に改善し、効果的なプロセスと汚染防止に取り組む課題を提起するアプローチを組み入れています。マイクロンはISO 14001に準拠するために必要な要件の大部分をすでに達成しており、ISO 14001の認証を受けることは、私たちのコミットメント、費やした努力、功績を世に認めてもらう機会と捉えています。
熱情報には、温度限界値と熱インピーダンス値があります。IT部品の温度限界値（TC、TJ、およびTA）は変化しますが、熱インピーダンス値（θJA、θJB、およびθJC）は変化しません。熱インピーダンスは主にパッケージによって異なります。
お客様のその基板設計で大きな問題が生じるとは考えられません。ピンはVDDQ電圧に関係なくVDD電圧を制御することができます。
ECCチップはほかのデバイスと同じCKEとCS#を共有する必要があります。なぜならば、それらは同じデータピースとしてアクセスされるからです。
バンクとは、メモリアレイ（配列）を意味し、複数のアレイまたはバンクはDRAMコンポーネントに含まれています。DRAMコンポーネントは、密度によって、4バンクまたは8バンクで構成されます。例えば、1つのバンクは4bit単位、3,200万行で構成されています。これは128MBに相当します。1つのDRAMコンポーネントに4バンクある場合、512MBのコンポーネントとなります。
ドライバーのインピーダンス許容度は±15パーセントです。
50-series NANDデバイスなどすべてONFIに準拠しています。
ONFIは主に2つの方法で市場化時間を向上させます：
1. NANDコンポーネントに対するインターフェース動作の統一性を向上させることにより、一連のコンポーネントをサポートするフラッシュコントローラの設計を簡易化します。
2. エンドユーズアプリケーションにおけるフラッシュコンポーネントの設計時間を短縮し、設計やファームウェアを変更することなく新世代NANDコンポーネントの使用を可能にします。
ONFIとは、Open NAND Flash Interface（オープンNANDフラッシュインターフェース）の略で、コンシューマー用電子機器やコンピューティングプラットフォーム、ソリッドステート大量ストレージを必要とするさまざまなアプリケーションへのNANDフラッシュメモリ搭載の簡易化に務める業界ワーキンググループを意味します。ONFIワーキンググループは、NANDフラッシュ用に標準化されたコンポーネントレベルのインターフェース仕様を定義しています。また、NANDフラッシュ用のモジュールコネクターやモジュールフォームファクター仕様（DRAM DIMMに類似）も定義しています。詳細については、www.onfi.orgをご覧ください。
ONFIは、携帯電話、PDA、MP3プレーヤー、ノートブックなど、フラッシュを使用している多くの製品へのフラッシュコンポーネントの組み込み搭載を向上させています。しかし、ONFI 2.1のメリットを一番に認識するのはPCプラットフォームになると思われます。ONFI 2.1は大幅に向上した速度を提供するため、SSDやキャッシングソリューションは、PCプラットフォームの負荷に大きなメリットを提供することができます。
