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会社概要

マイクロンの歴史 マイクロン沿革

イノベーションを追求してきた、長き道のり

マイクロンは、1978年にアイダホ州ボイシの歯科医院の地下で、社員4人の半導体設計会社として始まりました。1980年には最初の製造工場に着工し、わずか数年後に世界最小の256K DRAMを発売しました。1994年、フォーチュン500企業にランクインし、技術イノベーション、重要なパートナーシップ提携、世界各地での戦略的買収を通じて、着実に業界のリーダーに成長しました。今日の私たちを築き上げた、数々の業績をご覧ください。

hbm4 front black
  • 1γベース(1ガンマ)の第6世代DRAMノードをベースとしたメモリを初めて出荷
  • SOCAMMモジュールを初めて出荷
  • HBMを主要な顧客に向けて出荷
製品G9 2yy NANDタワー
  • 業界最速のG9 TLC NANDを出荷
  • 本番環境に対応した12層積層HBM3Eを初めて出荷
  • LPCAMM2を、他社に先駆けいち早く市場に投入
  • MRDIMM Gen 1を導入

業界初のHBM3E 8層積層24GBメモリをサンプル出荷

マイクロンは、自社の最先端技術である1β(1ベータ)プロセスノードを採用することで、1.2TB/秒を超える帯域幅と極めて高い電力効率を実現した、HBM3E 8層積層24GBのサンプルを業界で初めて世に送り出しました。

2023年のハイライト
 
  • マイクロン設立45周年
  • 業界初のHBM3E 8層積層24GBメモリをサンプル出荷
  • インドで半導体のアセンブリおよびテスト用の施設を新設
  • メモリ拡張モジュールポートフォリオを発表、CXL 2.0の普及を加速
  • ボイシで最先端のメモリ製造ファブの建設を開始
HBM3E
232層NAND

232層NAND

世界初の232層NANDを出荷開始し、テクノロジーにおけるリーダーシップを拡大

業界をリードするマイクロンの232層3D NANDは、エンドツーエンド技術革新の新たな波の基礎となります。業界初となる232層の進歩により、業界最高のストレージ密度、パフォーマンスの向上、業界をリードするI/O速度が実現します。これによりクライアント、モバイル、データセンター市場におけるデジタル化、最適化、自動化の新たな機会が生まれます。


5万件以上の特許

5万件以上の特許

マイクロンの特許件数が5万件に到達

メモリ、ストレージ、半導体テクノロジーなどの分野での絶え間ないイノベーションを通じて、マイクロンテクノロジーは業界を牽引しています。特許取得件数5万件という偉業は、マイクロンのグローバルチームメンバーの数十年にわたる創造とイノベーション推進への献身を物語っています。
 

2022年のハイライト
  • 1ベータノードによる世界最先端のDRAM技術を出荷
  • 最大1000億ドルを投資してニューヨーク州クレイにメガファブを建設
  • アイダホの新しいファブに150億ドルを投資
  • 世界初の232層NANDを出荷
  • マイクロンベンチャーズファンドIIがディープテックスタートアップ企業に2億ドルを出資
  • マイクロンの特許件数が5万件に到達
業界初、1α DRAMプロセス技術を使った製品を出荷

世界最先端のDRAMプロセステクノロジーにより誕生した1α(1アルファ)ノードDRAM製品は、ビット密度、パワー、パフォーマンスを大幅に改善します。この新しいDRAMテクノロジーの応用範囲は広範で、モバイルデバイスからスマートカーまで、あらゆる製品のパフォーマンスを向上させます。

2021年のハイライト
  • アトランタにデザインセンターを開設
  • 10億ドルの第1回グリーンボンドを発行
  • 最先端メモリと研究開発に1500億ドル以上を投資
  • すべての従業員に対してグローバルで包括的な同一労働同一賃金を実現
  • 業界初の1α DRAMテクノロジーを提供
GDDR6X

PAM4マルチレベル伝送技術を採用した初のメモリ、GDDR6Xを発売

GDDR6Xは、世界最速のグラフィックスメモリで、最大1TB/sのシステム帯域幅を実現した初の製品です。GDDR6Xのマルチレベル伝送技術のイノベーションは、従来の帯域幅限界を打破し、記録的な速度を達成して、次世代ゲーミングアプリケーション全体で複雑なグラフィックワークロードのパフォーマンスを加速させました。

176層NANDフラッシュ

業界初の176層NANDフラッシュを出荷

世界初の176層3D NANDフラッシュメモリは、前例のない業界最先端の密度と性能を実現します。大きな飛躍を遂げたマイクロンの新しい176層技術と最先端のアーキテクチャーにより、データセンター、インテリジェントエッジ、モバイルデバイスなど、ストレージが活用されるあらゆる用途で、アプリケーションのパフォーマンスが大きく向上します。

2020年のハイライト
  • 社会的に不利な立場にあるコミュニティの開発に5000万ドルを充当
  • 世界各地のコミュニティを支援するために3500万ドルを投じ、COVID-19のパンデミックに苦しむ人々に経済的支援を提供
  • 世界初の176層NANDフラッシュを出荷
2019年のハイライト
  • フォーブス誌がマイクロンを「多様性部門で最高の雇用主」リストに選出
  • マイクロン、FWDNXTを取得
  • マイクロン、広島に先端技術DRAMセンターを開設
クアッドレベルセルNAND SSD

マイクロンが業界初のクアッドレベルセルNAND SSDを出荷

マイクロンは、革新的なクアッドレベルセル(QLC)NANDテクノロジーで構築された業界初のSSDの出荷を開始しました。マイクロン5210 ION SSDは、トリプルレベルセル(TLC)NANDより33パーセント高いビット密度を提供し、これまでハードディスクドライブ(HDD)によるサービスを提供していたセグメントに対応します。


2018年のハイライト

  • マイクロンが初の「Great Place to Work®」認定を取得
  • マイクロン設立40周年 ゆるぎない40年、ますます好調に
  • 人工知能への探究心を深めるための100万ドルの助成金を発表
  • バージニア州マナッサスに長寿命製品COEを設立
さまざまなIoTデバイスを表示

IoTデバイス向けのAuthenta™セキュリティテクノロジーを発表

Micron® Authenta™テクノロジーは、フラッシュメモリを使った強力な暗号化IoTデバイスのIDと健全性の管理を可能にし、ブートプロセスから開始する、IoTデバイスソフトウェアの最下層を保護する独自のレベルを提供します。

     

NVDIMM

NVDIMMの容量を32GBに倍増

マイクロンは、DDR4 NVDIMMの密度を32GBに増やし、従来のソリューションの容量を2倍にしました。永続メモリとも呼ばれるNVDIMMは、電気を切った後でもデータをDRAMに永続的に保存できます。マイクロン32GB NVDIMM-Nモジュールは、大容量と超高速スループットの両方を実現します。


2017年のハイライト

  • 台湾に大容量DRAM COEを設立
  • テクノロジーイノベーションCOEをボイシに設立
  • Mogulの「ダイバーシティ&インクルージョンにおけるトップ100イノベーター」に選出
GPU

世界最速のグラフィックスDRAM、GDDR5Xを発表

このメモリの過去最高のピン当たりのデータレートにより、大規模なグラフィックスパフォーマンスとGPGPU計算機能が可能になります。GDDR5Xのデータレートは最大14Gb/sで、従来のGDDR5メモリの帯域幅を実質的に2倍にします。

     

Micron 512フラッシュ

Xccela™コンソーシアムを設立して新しいタイプのインターフェースバスを推進

Xccela™業界コンソーシアムの設立により、揮発性メモリと不揮発性メモリの両方に適した新しいタイプの高性能デジタルインターコネクトである、Xccelaバスインターフェースの採用が加速しました。


2016年のハイライト

  • Inotera Memoriesを買収
  • 従業員の意見をもとに、フォーチュン500社の中で最も働きたい会社の一つに選ばれる
  • シンガポールにNAND COEを設立
3D NANDフラッシュ

マイクロンとIntelが、これまでに開発された中で最高密度のフラッシュである3D NANDを発表

3D NANDの誕生は、半導体の未来における重要な転換点となります。データストレージセルの層を垂直に積み重ねることにより、3D NANDはプラナーNANDテクノロジーの3倍の容量を実現します。

     

3D XPoint

マイクロンとIntel、3D XPoint™テクノロジーを発表

3D XPointは、数十年ぶりの新しいメモリカテゴリとなります。この不揮発性メモリは、NANDよりも最大1,000倍高速で、最大1,000倍の耐久性を備えています。


2015年のハイライト

  • エレクトロニックデザイン誌の「雇用者数トップ50」でマイクロンが第1位にランクイン
  • Tidal Systemsを買収
  • Convey Computersを買収
  • Pico Computingを買収
8GB DDR3 SDRAM

マイクロンが初のモノリシック8Gb DDR3 SDRAMで業界をリード

この単一のコンポーネントは、単一チップ上で1ギガバイトまでの大幅な密度向上を実現しました。この高密度により、大規模でデータ集約型のワークロードを支えるために最適化された、コスト効果の高い大容量ソリューションが可能になります。

     

世界最小の16nm NANDフラッシュデバイスを実現

世界最小の16nm NANDフラッシュデバイスを実現

マイクロンの16nmプロセステクノロジーにより、単一ダイでの16GBのストレージを実現。これまでに開発された中で最高密度のプラナーNANDフラッシュメモリです。このプロセスにより、1枚の300mmウエハーで約6TBのストレージの作成が可能になります。

     


2013年のハイライト

  • Elpida Memory Inc.とRexchip Electronics Corporationを買収
業界初の2.5インチPCIeエンタープライズSSD

業界初の2.5インチPCIeエンタープライズSSDを製造

このソリューションは、高性能PCI Expressインターフェースとホットスワップ可能な2.5インチフォームファクタおよびカスタムMicronコントローラを組み合わせたものです。これにより、エンタープライズパフォーマンスのスケーラビリティと保守性の新しいオプションが生まれました。

     

DRAM

Ultrabooks™デバイス用の新しい低電力DRAMカテゴリを作成

DDR3L-RSメモリにより新しいカテゴリの「省電力」DRAMソリューションが確立し、ノートパソコン、タブレット、Ultrabookシステムなどの新世代の高性能、超薄型デバイスのバッテリー駆動時間を延ばします。
*Ultrabookは、Intel Corporation、または米国およびその他の国のその子会社の商標です。

  • マイクロン設立45周年
  • 業界初の8層積層24GB HBM3Eメモリをサンプル出荷
  • インドで半導体のアセンブリおよびテスト用の施設を新設
  • メモリ拡張モジュールポートフォリオを発表、CXL 2.0の普及を加速
  • ボイシで最先端のメモリ製造ファブの建設を開始
指先に載せた世界初の20nm MLC NAND

マイクロンとIntelが世界初の20nm MLC NANDを発表

この128GbのMLCメモリは、わずか8個のダイで、指先サイズのパッケージに1Tbのデータを格納することができ、新たなストレージの基準を打ち立てました。さらに、このメモリは、標準のフローティングゲートNANDのスケーリングの制約を克服する、革新的な平面セル構造を使用した初の製品です。

     

ハイブリッドメモリキューブ

ハイブリッドメモリキューブ(HMC)アーキテクチャーを発表

ハイブリッドメモリキューブ(HMC)は、シリコン貫通電極(TSV)テクノロジーを使用して、高速ロジックとメモリダイのスタックを組み合わせた革新的なDRAMアーキテクチャーです。HMCから得られた知見は、将来の新たなメモリ技術にも引き続き応用されています。

2010年のハイライト
  • NORメーカーのNumonyx B.V.をIntel、STMicroelectronics、N.V.、Francisco Partnersから買収
SSD

マイクロンが、業界最速のクライアントSSDであるRealSSD™C300を出荷

発表時、C300はノートブックやデスクトップPC向けの業界最速のSSDでした。SATA IIIインターフェースにより、このSSDは6Gb/sを実現し、データ転送、アプリケーションの読み込み、および起動時間のスループット速度を大幅に向上させました。

     

2008年のハイライト
  • NanyaがDRAM合弁会社Inotera Memoriesを設立
  • マイクロン設立45周年
  • 業界初の8層積層24GB HBM3Eメモリをサンプル出荷
  • インドで半導体のアセンブリおよびテスト用の施設を新設
  • メモリ拡張モジュールポートフォリオを発表、CXL 2.0の普及を加速
  • ボイシで最先端のメモリ製造ファブの建設を開始
業界初のピッチ倍増NAND

業界初のピッチ倍増NANDを開発

ピッチ倍増化は、リソグラフィを変更せずにビット密度を高めるためのリソグラフィ技術として導入されました。この方法では、ビット線を第1と第2の金属層に分離することにより、既存の50nmテクノロジーで16Gb MLCデバイスを提供できるようになりました。

     

低電力RLDRAM 2メモリ

低レイテンシー、低電力のRLDRAM-2メモリを進化

もともとネットワーキング用に設計されたこの高性能DRAMは、予想外の用途で選ばれるソリューションとなりました。DLPベースのTVとプロジェクターです。密度は時代の経過とともに増加してきましたが、今日のネットワーキングアプリケーションでは、レイテンシーを低減したDRAMは依然として重要です。

     

サブ40nmのNANDフラッシュメモリ

マイクロンとIntelがサブ40nmのNANDフラッシュメモリを初めて実現

このマルチレベルセル(MLC)NANDフラッシュデバイスは、業界初のモノリシック32Gb NANDであり、デジタルカメラ、パーソナルミュージックプレーヤー、デジタルビデオカメラなどの非常に小さなフォームファクタデバイスで高密度のソリッドステートストレージを可能にしました。

     

  • マイクロン設立45周年
  • 業界初の8層積層24GB HBM3Eメモリをサンプル出荷
  • インドで半導体のアセンブリおよびテスト用の施設を新設
  • メモリ拡張モジュールポートフォリオを発表、CXL 2.0の普及を加速
  • ボイシで最先端のメモリ製造ファブの建設を開始
青いガウンを着て働く女性たち

精度を向上し、コストを削減するためのMongooseテスターを開発

DRAMテストのスループットと精度を向上させるために、社内で開発されたこのテスターをマイクロンは独占的に使用しています。マイクロンは、新しいメモリ規格や将来の規格に対応するため、このテスタープラットフォームの進化を継続しています。

     

Micron 16ギガビットDDR2

世界最高密度のサーバーメモリモジュールを発表

複数のアプリケーションを単一のサーバーに詰め込む仮想化技術の出現に伴い、マイクロンの16GB DDR2モジュールは、2000年代の急増するサーバーメモリフットプリントの役割を果たしました。こうした高密度サーバーモジュールのトレンドは、今日でも続いています。


2006年のハイライト
  • Lexar Mediaを買収
LPDRAM

大容量、低電力のモバイルLPDRAMを発表

33mm2の小さなダイ上に構築された、マイクロンの16MB DRAMは、小さなフットプリントで大容量と低電力を実現しました。携帯電話が単純な音声通話機器からマルチメディアへと移行するにつれて、LPDRAMの需要は劇的に増加しました。このトレンドは今日のスマートフォンでも続いています。

     


2005年のハイライト
  • マイクロンとIntelがNAND合併会社IM Flash Technologiesを設立
携帯電話向けの疑似スタティックRAM

携帯電話向けの疑似スタティックRAM(PSRAM)を発表

疑似スタティックSRAM(PSRAM)は、モバイルデバイスのSRAMの代替として、高い帯域幅、大容量、そして低消費電力という必要な特性を提供しました。PSRAMにおけるマイクロンのリーダーシップは、今日のモバイルデバイスで使われている低消費電力DRAM製品の道を切り開きました。

     

DRAMセル

業界初の6F2 DRAMセルを開発

マイクロンはこれまでにはなかった6F2セルアーキテクチャーを開発し、業界の8F2セル標準を置き換え、ウエハー当たりのビット数を約25%高めました。この高密度設計により、マイクロンは業界で最もコスト競争力のあるメモリメーカーとしての地位を奪還しました。


2004年のハイライト
  • 初の2ギガビットNANDフラッシュ製品を出荷
イメージセンサー

1.3メガピクセルCMOSイメージセンサーを開発

イメージセンサー分野への参入により、マイクロンは電荷結合素子(CCD)センサーに匹敵する画質のCMOSテクノロジーを実現できるイノベーターとしての地位を確立しました。現在、CMOSセンサーは、スマートフォンからハイエンドのプロ用カメラまで、あらゆるタイプのデジタルカメラの標準となっています。

     

初の1ギガビットDDR

業界初の1ギガビットDDRを110nmプロセスで実証

マイクロンの1Gb DDRはこのとき、世界最先端のプロセステクノロジー(110nm)で構築されており、まだ130nmを使用していた半導体大手のIntelやAMDを凌ぐものでした。このチップにより、マイクロンは、密度とインターフェース性能の両方でメモリ業界のリーダーの地位を確立しました。

     


2002年のハイライト

  • 世界初の1ギガビットDDR DRAM製品を実証
  • 東芝の子会社であるDominion Semiconductor, LLC(バージニア州マナサス)における東芝の汎用DRAM事業を買収
SRAM

クアッドデータレートSRAMでメモリ帯域幅を2倍に

マイクロンの革新的なクアッドデータレート(QDR)アーキテクチャーは、スイッチやルーターなどの通信アプリケーションのSRAM帯域幅を2倍に効率化しました。この独自の設計では、2つのポートを使用してダブルデータレートで独立して実行するため、クロックサイクル当たり4つのデータ項目を扱えることになります。

初のDDR DRAM

業界初のDDR DRAMを生産

マイクロンの高性能のダブルデータレート(DDR)チップセットの出現により、DDRメモリは競合するDirect RDRAMソリューションと同等のパフォーマンスを、はるかに低いコストで実現できることを証明しました。最終的にDDRは、高性能DRAMの揺るぎない業界標準インターフェースとなるでしょう。

     


1999年のハイライト

  • STEM教育を推進し、地域社会を支援するためにマイクロン財団を設立
1998年のハイライト
  • 世界各地で展開されていたTexas Instrumentsのメモリ事業を買収したことで、メモリメーカーとして世界有数のグローバル企業に
Windows 3.1 PC

16メガビットDRAMが、新しいWindows 3.1搭載PCを可能に

密度における画期的な進歩として、16メガビットDRAMがマイクロンの主力製品であった4メガビットDRAMのラインアップに取って代わりました。これらの大容量チップはMicrosoftがWindows 3.1をリリースした時期と重なり、これによりパソコンの最低RAM要件が1メガバイトへと引き上げられました。

     

初のRAM製品

初のビデオRAMと高速スタティックRAM製品を発表

256KビデオRAMと高速スタティックRAMの導入は、マイクロンの製品ポートフォリオを従来のDRAM以外にも広げ、差別化されたメモリ分野で確固たる地位を築くことになりました。

     

1 - メガビットDRAM

1メガビットDRAMを市場に投入

密度における画期的な進歩として、1980年代後半から1990年代にかけて、1Mb DRAMがPCおよびグラフィックスカードのメインメモリの定番となりました。マイクロンの1Mb DRAMにより、Microsoftの新しいWindows OSを搭載したPCに対応する、大容量SIMMモジュールを実現しました。

     


1987年のハイライト

  • 1メガビットDRAM製品を発表
最小256K DRAMチップ

世界最小の256K DRAMチップを発表

このチップは、世界最小の256K DRAMダイとして導入されただけでなく、DRAM密度においても業界のマイルストーンとなりました。より大きくて読み込みやすいメモリセルを使用することにより、256K DRAMは若いメモリスタートアップ企業が将来の効率と収益性をつかむ足がかりとなりました。

     


1984年のハイライト

  • 世界最小の256K DRAM製品を発表
  • NASDAQに上場
初の64K DRAM製品

初の64K DRAM製品を出荷

マイクロンの64K DRAMは、アイダホ州ボイシに新しく完成した同社の製造施設で製造された最初の製品でした。マイクロンは、Commodore 64ホームコンピューターを含む多くの最初の量産パソコン用の64K DRAMを販売しました。

     


1981年のハイライト

  • 初の64k DRAM製品を出荷
1980年のハイライト
  • アイダホ州ボイシでマイクロン初のファブが着工
64K DRAMの設計をするマイクロンのエンジニア

マイクロンのエンジニアが64K DRAMの設計を最終決定

マイクロンは64K DRAMを製造した最初の企業ではありませんでしたが、マイクロンのエンジニアがより新しく、より小型のバージョンを生み出し、世界最小の64K DRAM設計として高く評価されました。この設計が革新的だったため、1981年にマイクロン初の64K製品が大量生産されました。

     

手を取り合うマイクロンの4人の創設者

Micron Technologyを設立

マイクロンは、アイダホ州ボイシの歯科医院の地下で、社員4人の半導体設計会社として始まりました。マイクロンの最初の契約は、Mostek Corporationに64Kメモリチップを設計することでした。

     


1978年のハイライト

  • 1978年10月5日にMicron Technology Incが設立