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メモリ

1γ DRAMテクノロジー

マイクロンの1γ（1ガンマ）DRAMテクノロジーは、メモリテクノロジーの進歩をリードし続けています。1γテクノロジーは世代ごとに改善され、高度な設計最適化、電力効率化、パフォーマンスのスケーリングを特徴としています。これは、マイクロンがイノベーションと卓越性を目指し、一心に取り組んできた結果の表れです。

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世代ごとのテクノロジーリーダーシップ

1γ（1ガンマ）DRAMテクノロジーは、1α（1アルファ）および1β（1ベータ）ノードの卓越したテクノロジーを基に開発され、1βと比較してウエハー当たりのビット密度が30%以上向上しました。¹設計の改良により、速度性能が向上すると同時に、電力要件を低減できるようになりました。極端紫外線（EUV）リソグラフィプロセスの改善により、シリコン上に、より短時間でより微細なパターンを形成する方法を新たに開発しました。

卓越したエンジニアリング

マイクロンの1γ DRAMテクノロジーにより、DDR5に備わる能力をいかんなく発揮できるようになります。1β製品と比較して15%高速となる最大9,200MT/秒という速度も実現可能になります。スピードが高まれば、=もっとパワーが必要になるか？ 1γには不要です。卓越したエンジニアリングにより、1γ DDR5は高速化を実現しながら、消費電力を最大20%削減します。²

明日のイノベーションの活力となる

マイクロンの1γは次世代のメモリイノベーションを推進し、将来の問題解決の助けとなります。データセンター、モバイルデバイス、自動車向けアプリケーション、さらにはパーソナルコンピュータにおけるAIなどのデータ中心のワークロードが増加する中で、マイクロンの1γは、省電力の改善、容量の増加、業界の先端を行くパフォーマンスにより、ユーザーがさまざまな物事を実現するにあたっていつでも支えとなれるよう、準備を整えています。

これまでの1β DRAMテクノロジーと比較したウエハーあたりのメモリ密度の改善

1β DDR5と比較した電力削減

1β DDR5と比較した速度改善

次世代メモリソリューションにおけるイノベーションをリードする

マイクロンは、将来のメモリソリューションに向けてプロセスと設計を革新し、世代交代のためのテクノロジー移行を推進します。1γと共に、マイクロンは、より高いパフォーマンスと省電力、サプライの増加という業界のニーズに応えるべく、メモリテクノロジーの進歩をリードし続けます。インフォグラフィックで詳細をご覧ください。

インフォグラフィックを見る説明を見る

1γ（1ガンマ）プロセスノードとそれ以前のプロセスノードとの違いを示すインフォグラフィック

将来のコンピューティングニーズに向けた先駆的なメモリテクノロジーの進歩

マイクロンは本日、データセンター顧客、クライアント顧客、エコシステムイネーブラー企業を対象に、DDR5メモリにおける1γ（1ガンマ）DRAMノードのサンプルを業界で初めて世に送り出すことを発表しました。

プレスリリースを読む

1γの背後にあるもの：マイクロンの新しいDRAMプロセスノード

マイクロン1γテクノロジーノードは、最先端の極端紫外線（EUV）リソグラフィとマイクロンの次世代High-kメタルゲート（HKMG）CMOSテクノロジーを活用した新しい製造プロセスであり、ビット密度、電力効率、パフォーマンスのすべてにおいて大幅な向上を実現します。1γの背景にある先進テクノロジーについての詳細は、技術概要をお読みください。このテクノロジーによりDRAMテクノロジーが向上し、ファブでの生産が最適化することから、マイクロンでは、データセンター、モバイル、自動車、クライアントなどのセグメントにわたりAI向け次世代メモリの革新を効率的に進めるにあたって万全の態勢を整えることができます。

技術概要を読む

先端技術および戦略的成長：theCUBEとスミット・サダナの対談

バルセロナで開催されたMWC25で、マイクロンのエグゼクティブバイスプレジデント兼最高事業責任者であるスミット・サダナがtheCUBEのサバンナ・ピーターソン氏とデイブ・ヴェランテ氏によるインタビューに応じ、マイクロンの最新の1ガンマDRAMテクノロジーとEUVテクノロジーの進歩の詳細、高帯域幅メモリの未来とAIが牽引する成長について語りました。インサイトに富んだインタビュー動画をぜひご覧ください。