高速、低電力、高帯域、高密度あるいは極低レイテンシがデザイン上必要かどうかにかかわらず、当社のDRAMソリューションは機能、信頼性および性能の最適な組み合わせを提供します。これは世界的なテクノロジーリーダーからしか得られません。
当社のモジュールは自社内のファブで最初から最後まで製造されることによる品質と信頼性の高さが自慢です。当社はDRAMの設計、製造、テストを自社で行っており、その後に広範なモジュールポートフォリオを構成するメモリモジュールの組立およびテスト（再度）も行っています。
当社の高密度、高帯域のGDDR5、GDDR5X、GDDR6の各グラフィックスメモリがグラフィックス処理の巨大な需要に対応します。ディスクリートデザインによってインテグレーションを簡略化しているため、次世代のハイパフォーマンスアプリケーションに最適です。
NANDフラッシュのますます複雑化が進むエラー補正やデータ管理要件によって、組み込み製品設計者は難しい対応を迫られるかもしれません。eMMC、UFS、SSDのような当社の完全マネージド型デバイスは、メディア管理やエラー訂正コード（ECC）の内部処理により、ほぼシームレスな技術移行をサポートしています。マネージドNANDはホストコントローラーを解放して高速化とシステム性能の向上を実現し、ハードウェアやソフトウェアの開発に費やされる大切なリソースを節約します。また、標準化された当社のパッケージは設計プロセスを簡易化し、開発時間の短縮を促します。
当社の業界標準MCPの広範なポートフォリオから、高性能、高品質、電力効率的、広範な密度幅、小パッケージサイズ、産業向けの温度対応など、お客様の設計に合わせた重要な特性や機能をご提供できます。
相次ぐ最先端技術の導入からも明らかなように、プロセスおよび設計に関する当社の継続的なイノベーションがフラッシュ開発を牽引しています。当社は独自の特徴、機能性、そして性能を持った多様な製品ポートフォリオをご用意しています。
最高2Gbの密度を実現したNORフラッシュデバイスは、主に信頼性のあるコードストレージ（ブート、アプリケーション、OSおよび組み込みシステム内のインプレース実行（XIP)）や変化の多いスモールデータストレージに使用します。NORフラッシュは最速のブート可能メモリソリューションを備えたシステムを提供し、実行が容易なばかりでなく、基礎となるセル構造によって継続的な管理を最低限に抑えます。そのセル構造により、NORフラッシュは他のソリューションに比べ本質的に高い信頼性を備えています。
