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DRAMコンポーネント

DDR3メモリとDDR4メモリの比較

DDR3とDDR4の主要機能の一部の違いの比較

DDR4 – DDR3から移行するメリット

DDR4は進化した次世代DRAMで、パフォーマンスと制御の堅牢性がさらに向上すると同時に、エンタープライズ、マイクロサーバー、タブレット、超薄型クライアントの用途で消費電力が抑えられます。DDR3とDDR4の主要機能の一部について、その違いを以下の比較表にまとめました。

機能/オプションDDR3DDR4DDR4の長所
 電圧(コアおよびI/O) 1.5V 1.2V メモリの消費電力を節減
 VREF入力 2 – DQおよびCMD/ADDR 1 – CMD/ADDR VREFDQを内蔵化
 低電圧標準 あり(DDR3L、1.35Vで動作) なし メモリの消費電力を節減
 データレート(Mb/秒) 800、1066、1333、1600、1866、2133 1600、1866、2133、2400、2666、3200 移行によりI/Oが高速化
 容量 512Mb~8Gb 2Gb~16Gb 大容量メモリサブシステムを実現しやすい
 内部バンク 8 16 バンク数増加
 バンクグループ(BG) 0 4 バーストアクセスを高速化
 tCK – DLL有効 300MHz~800MHz 667MHz~1.6 GHz データレートが向上
tCK – DLL無効 10MHz~125MHz(オプション) 未定義~125MHz DLL無効に完全対応
 読み取りレイテンシー AL + CL AL + CL 値を拡大
 書き込みレイテンシー AL + CWL AL + CWL 値を拡大
 DQドライバー(ALT) 40Ω 48Ω PtP(ポイント・トゥ・ポイント)の用途に最適化
 DQバス SSTL15 POD12 I/Oノイズと消費電力を低減
 RTT値(Ω) 120、60、40、30、20 240、120、80、60、48、40、34 対応データレートが向上
 RTT無効化 読み込みバースト 読み込みバースト中は無効化 使いやすい
 on-dieターミネーションモード ノミナル、ダイナミック ノミナル、ダイナミック、パーク 高度なコントロールモード:OTF値の変更に対応
 on-dieターミネーションコントロール on-dieターミネーション信号は必須 on-dieターミネーション信号は必須ではない on-dieターミネーションコントロールが容易、PtP用途で非on-dieターミネーションルーティングが可能
 多目的レジスター(MPR) レジスター4個 – 定義済み1個、RFU 3個 レジスター4個 – 定義済み3個、RFU 1個 特殊リードアウトが拡大

 

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