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DRAMコンポーネント

DDR3メモリとDDR4メモリの比較

DDR3とDDR4の主要機能の一部の違いの比較

DDR4 – DDR3から移行するメリット

DDR4は進化した次世代DRAMで、パフォーマンスと制御の堅牢性がさらに向上すると同時に、エンタープライズ、マイクロサーバー、タブレット、超薄型クライアントの用途で消費電力が抑えられます。DDR3とDDR4の主要機能の一部について、その違いを以下の比較表にまとめました。

機能/オプション DDR3 DDR4 DDR4の長所
 電圧(コアおよびI/O)  1.5V  1.2V  メモリの消費電力を節減
 VREF入力  2 – DQおよびCMD/ADDR  1 – CMD/ADDR  VREFDQを内蔵化
 低電圧標準  あり(DDR3L、1.35Vで動作)  なし  メモリの消費電力を節減
 データレート(Mb/秒)  800、1066、1333、1600、1866、2133  1600、1866、2133、2400、2666、3200  移行によりI/Oが高速化
 容量  512Mb~8Gb  2Gb~16Gb  大容量メモリサブシステムを実現しやすい
 内部バンク  8  16  バンク数増加
 バンクグループ(BG)  0  4  バーストアクセスを高速化
 tCK – DLL有効  300MHz~800MHz  667MHz~1.6 GHz  データレートが向上
tCK – DLL無効  10MHz~125MHz(オプション)  未定義~125MHz  DLL無効に完全対応
 読み取りレイテンシー  AL + CL  AL + CL  値を拡大
 書き込みレイテンシー  AL + CWL  AL + CWL  値を拡大
 DQドライバー(ALT)  40Ω  48Ω  PtP(ポイント・トゥ・ポイント)の用途に最適化
 DQバス  SSTL15  POD12  I/Oノイズと消費電力を低減
 RTT値(Ω)  120、60、40、30、20  240、120、80、60、48、40、34  対応データレートが向上
 RTT無効化  読み込みバースト  読み込みバースト中は無効化  使いやすい
 on-dieターミネーションモード  ノミナル、ダイナミック  ノミナル、ダイナミック、パーク  高度なコントロールモード:OTF値の変更に対応
 on-dieターミネーションコントロール  on-dieターミネーション信号は必須  on-dieターミネーション信号は必須ではない  on-dieターミネーションコントロールが容易、PtP用途で非on-dieターミネーションルーティングが可能
 多目的レジスター(MPR)  レジスター4個 – 定義済み1個、RFU 3個  レジスター4個 – 定義済み3個、RFU 1個  特殊リードアウトが拡大

 

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