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NANDフラッシュ

G8 NANDフラッシュメモリ

ストレージ性能と密度を新たなレベルに引き上げ、エンドツーエンドのテクノロジーイノベーションのニューウェーブを実現。

さらなる多層化、さらなるイノベーション、さらなる先進性

マイクロンはG8 NANDにより3D NANDテクノロジーのリーダーシップを拡大します。

ハイパフォーマンスコンピューティング

2.4GB/秒という業界最速のNANDのI/O速度を実現したMicron G8 NANDは、人工知能や非構造化データベース、リアルタイムアナリティクスやクラウドコンピューティングなど、データ中心のワークロードの低レイテンシーと高スループットの要求に応えます。

データ密度

世界で最も高密度のQLC NANDは、顧客にとっては設計の柔軟性が高まり、またOEMメーカーにとっては1平方ミリメートルあたり最高の密度を達成できるというメリットがあります。1

ユビキタスなアプリケーション

さらなる多層化によってダイあたり最大1Tb、パッケージあたり2TBまでストレージ容量が増加し、より多くのデバイスで従来以上に大容量のストレージを利用できるようになります。この容量増加により、エッジからクラウドまであらゆるデバイスがさらにスマートで機能的になります。

200層を超えるQLC NANDを初めて達成¹

マイクロンが出荷するOEMおよび大手ストレージ企業向けQLC NANDが、2回連続で世界最高の層数と密度となりました。Micron G8 QLC NANDは、2400MT/秒という業界をリードするI/Oパフォーマンスが特長で、QLC NANDを主流へと押し上げています¹

マイクロンの232層QLC NAND

エンドツーエンドのイノベーションのニューウェーブを支える基盤

巨大なデータセンターから最小のデバイスまで、高性能で応答性の高いストレージへの需要の拡大に対応するうえで、NANDは必要不可欠な存在です。次世代G8 NANDテクノロジーによりストレージソリューションの高速化・大容量化がさらに進み、マイクロンのNAND分野でのリーダーシップが拡大されます。

マイクロンの233層G8 NANDのインフォグラフィック

業界初の市場投入、何にも引けを取らない:Micron G8 NAND

2020年、マイクロンは世界初のG7 3D NANDを発表し、NANDテクノロジーにおけるリーダーとしての地位を確立しました。Micron G8 NANDテクノロジーの開発と量産品出荷により、マイクロンのリーダーシップはさらに拡大します。

高層ビル

マイクロンのNANDテクノロジー:イノベーションとリーダーシップをさらに拡大

ストレージのさらなる高密度化やNANDの設計イノベーションにより、エッジからクラウドまで、幅広い用途に新たなレベルの性能と密度を実現します。

233層

G8 NANDで何が可能になるのか?

マイクロンのCVP兼GMであるジェレミー・ワーナーとPure StorageのVP兼GMであるビル・セレータ氏が、業界アナリストのパトリック・ムーアヘッド氏とのインタビューにおいて、Micron G8 NANDについて語りました。このインタビューでは、多層化と密度のどちらがより重要なのか、ますます増大するストレージへの需要にNANDはどのように応えるのか、またMicron G8 NANDのユースケースなどがテーマとして取り上げられました。

232層で何が可能になるのか?

マーケットセグメント

注目のリソース

1. NANDの比較は、現在SK Hynix、Solidigm、キオクシア、WD、Samsungで生産中のNANDについて、製品発売時に入手可能な公開情報およびマイクロンのエンジニアリングデータに基づく。

 

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