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3D NAND

モバイルTLC 3D NAND

マイクロンのモバイル用TLC 3D NANDメモリテクノロジーは、大容量・超高速のストレージを実現し、最新のスマートフォンに必要な速度と機能を提供します。

想像力を膨らませる

今日のモバイルデバイスは、これまで以上にスマートに進化しています。近年のイノベーションにより、高度なユーザー認証、AR、言語認識、よりパーソナライズされた画像処理機能など、スマートフォンとのまったく新しい関わり方が可能になりました。こうしたユーザーエクスペリエンスを支えているのが、最新のスマートフォンに搭載された人工知能(AI)エンジンです。

しかし、そのようなAIエンジンも、ローカルデータの供給が極めて高速でない限り、その真価を発揮できません。マイクロンの革新的な232層トリプルレベルセル(TLC)3D NANDテクノロジーは、最新のスマートフォンに必要な速度と機能を提供し、かつてないほどのストレージ容量と超高速パフォーマンスを実現します。

マイクロンの3D NANDデバイスと、第2世代の3D TLC NANDというラベルが付いた携帯電話のアイコン

メリット

大容量ストレージ

Arrayテクノロジーに基づくCMOS搭載の232層TLC 3D NANDテクノロジーは、同じパッケージサイズを維持しながら、前世代のTLC 3D NANDのストレージ密度を2倍にします。

業界屈指のパフォーマンス

マイクロンの232層TLC 3D NAND製品は、前世代のTLC 3D NANDと比べて大幅な高速化を実現しています。

UFS 2.1高速ギア3インターフェース

e.MMC 5.1の2倍の帯域幅を誇り、コマンドキュー技術の採用により、読み取り・書き込みコマンドを同時に処理します。

信頼性の向上

マイクロン独自の浮遊ゲートテクノロジーは、競合他社が使用するチャージトラップゲートよりも高いデータ保持を実現。セル間のチャージ分離に長けた絶縁型チャージストレージノードにより、いちだんと優れたデータ保持と信頼性を提供します。

電力効率

TLC 3D NANDは、ピーク電力管理システムを使用して、スマートフォンのメモリピーク電力消費を大幅に削減します。

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