NANDフラッシュ

QLC NANDフラッシュメモリ

マイクロンの232層クアッドレベルセル（QLC）NANDは、OEMのお客様向けにQLC NANDフラッシュでは前例のない層数と密度を実現する画期的な成果です。市場をリードする密度と最高水準のパフォーマンスにより、マイクロンの232層QLC NANDはこれまで以上に高いストレージ密度と設計の柔軟性を実現します¹。

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ふたたび業界初！

176層QLC NANDの量産出荷で業界初、最高密度のQLC NANDを実現したマイクロンが、再び世界初の232層QLC NANDを市場に投入します¹。QLCカテゴリをリードするリプレースメントゲートアーキテクチャーを採用し、業界最高のストレージ密度を実現。クライアント、モバイル、車載、データセンターおよび企業ストレージのユースケースを可能にします。

世界最高密度のOEM生産NAND。
前世代の176層QLC NANDと比較して密度が30%向上。
業界をリードする最大2400MT/秒のI/O速度が、最高水準のSSDパフォーマンスを実現2。

世界初の232層PCIe® Gen4 QLC SSD

マイクロンの2500 NVMe^™ SSDは世界初、最先端の232層QLC NANDを搭載したPCIe Gen4 NVMe SSDです¹。最高水準のユーザーエクスペリエンスと日々のコンピューティングパフォーマンスを実現します²。

詳細

QLC SSDのメリットトップ3

より高密度
前世代のテクノロジーと比較して、1セルあたりの記憶ビット数が増加したQLCは、密度とコスト効率の向上を可能にします。マイクロンは、カテゴリをリードするアーキテクチャーを採用した世界初の232層QLC NANDにより、こうした利点を進化させ、業界最高のストレージ密度とアクセス時間の短縮を実現します^1、2。

ハイパフォーマンスコンピューティング
前世代の176層QLC NANDと比較して、読み取りパフォーマンスが24%、書き込みパフォーマンスが31%向上し、業界をリードする2400 MT/秒を達成しました^1、2。

業界をリードする高密度、省スペース
業界で入手可能なOEMメーカー向けQLC NANDと比較して、1平方ミリメートルあたり最高のギガバイトを実現。より少ないスペースにより大きな容量を確保できるため、クライアントデバイスや大容量データセンターストレージに最適です²。