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クライアントSSD

2500 NVMe™ SSD

Micron 2500 SSDは、日常的なコンピューティングにおけるクラス最高のストレージパフォーマンスと、競合するTLCおよびQLCベースSSDを上回るユーザーエクスペリエンスを実現する、200層超QLC NANDを採用した世界初のクライアントSSDです1,2,3

日常的なコンピューティングに優れた、クラス最高のユーザーエクスペリエンスと価格¹


ユーザーの生産性向上とクラス最高のユーザーエクスペリエンスを実現するMicron 2500 SSDは、PCMark® 10ベンチマークテストで競合製品を上回るスコアを記録しており、日常的なコンピューティングにおいて最高のエクスペリエンスをお届けします1。世界で初めて232層のQLC NANDを採用したクライアントSSDで、業界最高の密度と層数を誇ります。マイクロンだけが提供できる、最も高密度のOEM生産用NANDです2,3

競合製品を上回るクラス最高のPCIe® Gen4パフォーマンスで、アプリケーションの能力をさらに高めることができます2。Micron 2500 SSDは、日常的なコンピューティングに優れたストレージパフォーマンスと価格のバランスがとれた製品です。

22x30、22x42、22x80mmの3つのフォームファクタから選択できるMicron 2500 NVMe SSD

メリット

日常的なコンピューティングに優れた、クラス最高のユーザーエクスペリエンス¹

日常的なコンピューティングに優れた最高のユーザーエクスペリエンスで、生産性が向上します。Micron 2500は、PCMark 10ユーザーエクスペリエンスベンチマークでの結果で、競合するQLCおよびTLCベースのNAND SSDを上回るスコアを記録しています。競合するドライブと比べて、アクセス時間は最大46%短縮し、全体的なスコアは最大45%高くなっています1

QLCの価値。TLCのパフォーマンス。マイクロンのイノベーション。

PCIe Gen4の理論上の飽和速度であるシーケンシャル読み取り最大速度が7.1GB/秒に近付いた世界初のQLC SSDであるMicron 2500 SSDは、競合他社のTLCおよびQLCベースのNAND SSDを上回るパフォーマンスで、応答性の高いストレージと優れたコスト効率を提供します1,2

200層超のQLC NANDを採用した世界初のクライアントSSD¹⋅³

マイクロンは世界に先駆けて、しかも2世代連続で、PCメーカー向けの過去最高密度、最大層数のQLC NAND SSDを発売しました。業界をリードする2400MT/秒を誇るマイクロンの232層QLC NANDは、Micron 2500 SSDでクラス最高3のパフォーマンスを実現します。

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詳細

The Micron 2500 SSD provides best-in-class everyday computing storage performance, a user experience that beats competitive TLC- and QLC-based SSDs and is the world’s first client SSD using 200+ layer QLC NAND.


参考資料とドキュメント

Micron 2500 NVMe SSD製品概要

この製品概要には、Micron 2500 SSDの主な機能、技術仕様、フォームファクタ、容量オプション、パフォーマンス指標に加え、競合他社のTLCおよびQLCベースNAND SSDとの比較など、詳しい情報が掲載されています。

Micron SSDのセキュリティ機能概要

この資料は、セキュリティ技術、アルゴリズム、実装についての詳細な分析ではなく、SSDのセキュリティ条件について簡単に概要を示すことを目的としています。この資料で言及されている個々の機能には、マイクロン独自のものもと、公的な規格に基づくものが含まれています。

Micron SSD:セキュアなデータ保護基盤

この技術概要では、Micron 2500 NVMe SSDを含め、Micron SSDがサポートするセキュリティ機能のリストが掲載されています。本リストを活用して、セキュリティ要件とMicron SSDがサポートする広範なセキュリティ機能の調整にお役立てください。

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1. ユーザーエクスペリエンスのスコアは、マイクロンのラボにおけるPCMark 10テストに基づいています。パフォーマンスの比較は、製品発売時に一般に公開されていたデータシートの情報に基づき、脚注2に記載されているSSD競合製品と比較したものです。
2. 競合他社とはSK Hynix、Solidigm、Kioxia、WD、Samsungを指します。
3. NANDの比較は、脚注2に記載されている現在生産中のNANDを対象としており、一般に公開されている情報および製品発売時に入手可能であったマイクロンのエンジニアリングデータに基づいています。

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