232層NAND

ストレージ性能と密度を新たなレベルに引き上げ、エンドツーエンドのテクノロジーイノベーションのニューウェーブを実現。
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232層NAND さらなる多層化、さらなるイノベーション、さらなる先進性

マイクロンが232層NANDを出荷開始、3D NANDテクノロジーのリーダーシップを拡大。

高性能

2.4ギガバイト/秒(GB/秒)という業界最速のNANDのI/O速度を実現したマイクロンの232層NANDは、人工知能や非構造化データベース、リアルタイムアナリティクスやクラウドコンピューティングなど、データ中心のワークロードの低レイテンシーと高スループットの要求に応えます。1

1NANDのI/O速度は市場投入時で1.6GB/秒です

データ密度

世界で最も高密度なNAND は、14.6 Gb/mm2 というかつてない平方ミリメートルあたり最高の TLC 密度を実現しながら、顧客に設計の柔軟性を提供します。 面記録密度は、競合のTLC 製品よりも 35% から 100%高くなっています.2

2発表時点で現在出荷されているNANDとの比較に基づく

ユビキタスなアプリケーション

さらなる多層化によって、1ダイあたり最大1テラビット、パッケージあたり2テラバイトというより大きなストレージ容量を実現。これにより、より多くのデバイスでより大きなストレージ容量が可能になり、エッジからクラウドまで、あらゆるタイプのデバイスがよりスマートかつ高機能に進化を遂げます。

対象市場

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クライアント

薄くて軽量なモバイルノートパソコンの設計においては、ピーク性能とバッテリー駆動時間の延長、そして洗練された形状という各ニーズ間のバランスをうまく取る必要があります。マイクロンの232層NANDは、前世代との比較でパッケージサイズを最大28%縮小。これにより、モビリティやポータビリティ(可搬性)を重視した薄くて軽量なノートパソコンであっても、ストレージ容量に妥協する必要がなくなります。
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モバイル

マイクロンの先進的プロセステクノロジーにより、NANDフラッシュメモリのイノベーションが実現。スペース的に制約があり、消費電力の抑制も求められるエンドユーザーデバイスに最適化したモバイルストレージソリューションの道が切り開かれます。マイクロンの232層NANDは、低電力のアプリケーションでもシームレスな体験を実現。マルチタスクや、お気に入りのコンテンツのダウンロードやアクセスをサポートします。
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インテリジェントエッジ

小型化、高密度化、そして低消費電力を実現した232層NANDは、高速化、小型化、電力効率向上を実現した最先端のストレージへの需要の高まりにぴったりと合致します。高容量で電力効率に優れたこの最先端のストレージにより、様々な用途やサービスの分野において、より大きなイノベーションや需要の拡大が見込まれます。
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データセンター

マイクロンの232層NANDは、前世代のNANDよりも高性能・高容量・高密度で、1ビットあたりのエネルギー効率も向上したストレージをデータセンターに供給します。これらは、データセンター事業者にとっては非常に重要なポイントになります。常に増大を続けるデータ量への対応と、電力や不動産、サステナビリティへの取り組みとの間でうまくバランスを取る必要があるからです。
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