メモリ

マイクロンの1α(1アルファ)DRAMテクノロジー

メモリ密度、電力効率、パフォーマンスの大幅な向上。マイクロンは、DRAMプロセステクノロジーにおける重要な一歩である1α DRAMの投入により、そのイノベーションを実証しました。

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1α DRAMとは

1α DRAMは、第4世代10nmクラスDRAMノードを採用したマイクロンのメモリテクノロジーであり、ノードのスケーリングにおける重要な一歩となります。従来の1x、1y、1z世代に続く1αでは、新しいリソグラフィおよびパターニング手法が導入されたことでメモリセルの継続的な微細化が可能となり、より小型で高効率なメモリセルが実現しました。

その後、1β(1ベータ)や1γ(1ガンマ)といった新しい世代が導入されましたが、1αは広く使用され続けており、高いメモリ密度、電力効率、パフォーマンスを提供し続けています。

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先進的テクノロジー

1αのセルサイズは非常に小さいため、物理的に従来のフォトリソグラフィはほぼ不可能です。業界最先端のノードのさらなる進歩を実現するため、マイクロンは計算リソグラフィと複数のパターニングを組み合わせることで、従来の限界を克服し、世界初の1αノードを実現するナノ製造プロセスを開拓しました。

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メモリ密度を向上

マイクロンの1α DRAMは、前世代の1zと比較するとメモリ密度が大幅に向上しています。これにより大容量化が実現したため、大量のデータを必要とするアプリケーションの支援や、モバイルデバイス、スマートカー、データセンター、産業用エッジ環境などでパフォーマンスの向上を実現できます。

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エネルギー効率を向上

マイクロンの1α DRAMは、低消費電力のモバイルDRAMを実現し、電力効率を犠牲にすることなく高性能を求めるモバイルプラットフォームのために高速なLPDDR5に対応します。

40%

マイクロンの以前の1z DRAMノードと比較した場合のメモリ密度の改善率。

15%

従来の1z世代のマイクロンのモバイルDRAMと比較した消費電力の削減率。

40%

マイクロンの1αノードが支える使用可能密度(8Gb~16Gbのダイ密度)

マイクロンの1αプロセステクノロジーについて語るティー・トラン

車や家といった大型製品の製造と、爪ほどの大きさに何十億もの記憶素子を集積するメモリチップとでは、求められる製造技術はまったく異なります。この後者のプロセスはナノ製造と呼ばれ、マイクロンがメモリチップを製造する技術です。2020年に、マイクロンは当時世界最先端のナノ製造技術である1αを発表しました。マイクロンのフロントエンド調達担当バイスプレジデント、ティー・トランによる1α DRAMプロセステクノロジーの解説をご覧ください。

マイクロンの1αプロセステクノロジーについて語るティー・トランの動画

1αのインサイドストーリー : マイクロンの先進的なDRAMプロセステクノロジー

2021年初頭、マイクロンは、当時世界最先端のDRAMプロセステクノロジーを使用して製造するメモリチップ、1αの量産品出荷を発表しました。この製造技術は、ビット密度、エネルギー効率、パフォーマンスを大幅に改善します。1αとは何か、なぜ1αがナノ製造技術の飛躍的進歩を意味するのかについてご覧ください。

イエローとパープルのライトをあしらったウエハー。

注目のリソース

よくある質問

1α(1アルファ)DRAMは、より小型で効率的なメモリセルを実現した、第4世代10nmクラスのノードに基づくマイクロンのメモリテクノロジーです。以前のノードと比較して密度、電力効率、パフォーマンスが向上しており、1βや1γといった新しい世代が登場した現在でも広く使用されています。

1α DRAMは、1zなどの従来ノードを基盤とし、メモリセルの微細化と製造効率の向上を実現しています。1zと比較すると、より高いメモリ密度と電力効率の向上を実現しており、同じスペースにより多くのデータを格納しつつ、エネルギー消費を低減しています。

1α DRAMは、スマートフォン、ノートパソコン、データセンターのサーバーから、車載システムや産業システムといった組み込みアプリケーションまで、幅広いシステムで使用されています。密度、電力効率、パフォーマンスのバランスがとれており、大量生産製品と長寿命製品の両方に適しています。

1αは10nmクラスDRAMのスケーリングロードマップの一部であり、1x、1y、1zノードの後継にあたり、1βや1γといった新しいノードの先行製品です。世代ごとにメモリセルのサイズが縮小され効率が向上していくことで、コンピューティング需要の増大に伴う継続的なパフォーマンス向上が可能となっています。

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