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データセンターSSD

6500 ION NVMe™ SSD

世界初、200層超NANDを搭載したデータセンターNVMe SSD¹。クラス最高の性能で環境的に持続可能なデータセンターを実現し、QLC SSDを超える価値を提供します。

QLCの価値。TLCのパフォーマンス。マイクロンのイノベーション。

世界初の200層超NANDデータセンターNVMe SSDは、データセンターのコスト効率を変革します。

Micron 6500 ION SSDがスケーラブルなストレージの常識を変えます。増え続けるデータ、高まるパフォーマンス要求、環境課題にも、限られたIT予算で対応できます。クラス最高のパフォーマンスでQLC SSDを凌駕し、サステナビリティも実現。これらすべての課題に応えます。

Micron 6500 ION SSDは、初期購入コストを削減²するだけでなく、電力や冷却の低減による運用コストの削減、シャーシ集約によるサーバーおよびソフトウェアのライセンスコストの削減にも貢献³します。30.72TBの容量と高密度なフォームファクタにより、少ないサーバーでより多くのストレージを集約し、カーボンフットプリントも削減。これらすべてを実現しながら、競合他社のQLC SSDを凌ぐパフォーマンスと耐久性を提供します。手頃な価格でストレージ拡張が必要なデータセンターに、Micron 6500 IONは最適な選択肢です。

Micron 6500 ION NVMe SSD

メリット

業界最高レベルのパフォーマンスを発揮

Micron 6500 ION SSDは、30.72TBの競合他社QLC SSDを大きく上回る総合パフォーマンスを実現。読み取りレイテンシーは34%改善、シーケンシャル書き込みは58%高速化、4KBランダム読み取りIOPSは最大62%向上、4KBランダム書き込みIOPSは30倍以上を達成しています⁴。この革新的なSSDにより、オブジェクトストア、汎用バルククラウドストレージ、オールフラッシュアレイ、キャパシティティア、NoSQLデータベース、コンテンツ配信、AI/MLデータレイクなど、一般的な大規模データセットの保存と維持が容易になります。

より持続可能なデータセンターを実現

Micron 6500 ION SSDは、競合他社のQLC SSDと比較して、アクティブ時の消費電力を20%低減、電力効率(IOPS/W)を56%向上⁵。さらに、10倍以上優れたランダム書き込み耐久性でドライブの寿命を延ばし、運用コストの削減に貢献します⁶。業界トップクラスのストレージ密度により、ラックユニット(RU)あたり約1ペタバイト、ラックあたり最大35PBを実現⁷。データセンターの設置スペースとカーボンフットプリントを大幅に削減します。

QLCを超える優れた価値を提供

Micron 6500 ION SSDは、世界初の200層超NANDデータセンターNVMe SSDです。200層超のNANDを採用し、200層未満の従来QLC SSDと比べ、優れた耐久性、パフォーマンス、セキュリティ、エネルギー効率を実現。従来のQLC SSDで必要だった妥協なく、卓越した価値を提供します

Micron 6500 ION SSDが2023年国際イノベーション賞と2024年エジソン賞を受賞

効率的なAIは、AIモデルの学習・維持に使う大規模データレイクを保存するサーバーから始まります。市場の従来の30TBドライブと比べ、消費電力を20~50%削減しながら、より高いパフォーマンスを実現。Micron 6500 IONは、データセンターにおけるAI拡張に伴う電力需要の増大という課題を解決します。この画期的なMicron 6500 ION SSDは、2024年エジソン賞商用技術部門で金賞を受賞。また、世界中のデータセンターにおけるAIのスケーリングとサステナビリティの向上に貢献したとして、2023年国際イノベーション賞も受賞しています。

Micron 6500とともに年次エジソン賞を受賞

注目のリソース


詳細

The world’s first 200+ layer data center NVMe SSD delivers best-in-class performance, enables a more environmentally sustainable data center, and offers superior value that eclipses QLC SSDs.


参考資料とドキュメント

マイクロン、画期的なブレークスルーでQLC SSD競合製品を打ち破る

世界初、200層超NANDを搭載したデータセンターNVMe SSD。クラス最高の性能で環境的に持続可能なデータセンターを実現し、QLC SSDを上回る価値を提供します。

Micron SSD:セキュアなデータ保護基盤

Micron SSDがデータ消失の防止やSSDとファームウェアのセキュリティ確保にどのように貢献しているかをご覧ください。

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1. これは、マイクロンデータセンターワークロードエンジニアリング(DCWE)チームによるMicron 6500 ION SSDとSolidigm® D5-P5316 30.72TB QLC SSDの比較に基づいています。「価値」とは、パフォーマンス、機能、寿命、容量、購入価格のすべてを合わせたものを意味します。「パフォーマンス」とは、IOPS、GB/秒、またはその両方に関する公開情報を指します。
2. 購入コストに関する記述は、本文書の発行時点における公開情報に基づいています。
3. 30.72TBの大容量により、小容量SSDと比較して必要なサーバー台数とラックスペースを削減し、同等のストレージ容量をより効率的に実現します。サーバー台数が減ることで電力費や冷却費を抑えられるほか、ソフトウェアライセンスがシャーシ、CPU、CPUコア単位である場合には、さらなる運用コストも削減できます。
4. Solidigm D5-P5316 30.72TB SSDとの比較は、本文書の発行時点における公開情報およびマイクロンDCWEのテストに基づいています。「レイテンシー」とは、キュー深度(QD)1における4KB 100%ランダム読み取りワークロードの平均読み取りレイテンシーを指します。シーケンシャル書き込み情報は128KB 100%シーケンシャル書き込みワークロードに基づきます。ランダムIOPSに関する記述は、4KB 100%ランダムワークロードに基づいています。QD32およびQD64では58%の向上が測定されました。QD1~256での測定では、競合ドライブと比較して-7%から58%の向上が見られました。QD32では62%の向上が測定されました。QD1~256の範囲で行ったその他の測定では、競合ドライブと比較して、18%~62%の範囲で向上が見られました。「30倍以上」という記述は、QD128における4KBランダム書き込みIOPSに関するものです。QD1における4KBランダム書き込みIOPSは10倍以上です。
5. Solidigm D5-P5316 30.72TB SSDとの比較は、本文書の発行時点における公開情報に基づいています。20%の低消費電力は、Micron 6500 IONのデフォルトの4KB、100%ランダム、100%読み取り時の電力(20ワット)と、Solidigm P5316のデフォルトの4KB、100%ランダム、100%読み取り時の消費電力(25ワット)に基づいています。Micron 6500 IONのデフォルトの4KB、100%ランダム読み取りのIOPSは1000KIOPSで、100%ランダム読み取りの消費電力は20ワットです。Solidigm P5316のデフォルトの4KB、100%ランダム読み取りIOPSは800KIOPS、その100%ランダム読み取り時の消費電力は25ワットです。1000KIOPS/20Wと800KIOPS/25Wを1ワットあたりの4KB、100%ランダム読み取りIOPSに換算すると、56%の電力効率向上となります。
6. Solidigmの資料では、耐久性は64KB、100%ランダム書き込みワークロードで0.41DWPDと評価されています。64KB転送サイズにおけるSolidigm D5-P5316の定格耐久性は、4KB転送サイズにおける定格耐久性の16倍と推定され、4KBでの値は0.0256(0.41/16)となります。Micron 6500 IONの耐久性は4KBランダム書き込みワークロードで0.3DWPDと評価されています。
7. 未フォーマット時の容量です。1GB = 10億バイトです。フォーマット後の容量はこれよりも少なくなります。最大32台のE1.L SSD(各30.72TB(使用可能))を搭載できる標準的な1Uサーバーに基づいています。32 x 32TB = 1,024TB(未フォーマット)。32 x 30.72TB = 983TB(使用可能)。サーバーストレージとして36Uを利用可能な標準的な42Uラックを想定した場合、SSDから利用可能なサーバーストレージの総量は、36 x 32 x 32TB = 36,864TB(未フォーマット)、および36 x 32 x 30.72TB = 35,389TB = 35.389PB(使用可能)となります。

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