DRAMコンポーネント

DDR5 DRAM

Intel® Xeon® 6プロセッサーのメモリパフォーマンスと能力を最適化

Micron MRDIMMは、Intel Xeon 6プロセッサーを使用するAIや高性能コンピューティング環境などのメモリ集約型ワークロードを高速化するために、最大の帯域幅、最小のレイテンシー、最大の容量を備えたメインメモリを提供します。

32GBから256GBまでの大容量ラインアップを揃えたマイクロンのMRDIMMは、データセンター環境での利用に即対応可能です。マイクロンの高性能MRDIMMソリューションにより、エネルギー効率がアップし、帯域幅が最大39%改善します。

DDR5 MRDIMMグループ写真

業界初のスケーラブルメモリ

マイクロンは、次のような高パフォーマンスDRAMを提供しています。

  • DDR5 RDIMMは最大9,200MT/秒、MRDIMMは最大8,800MT/秒に対応し、システム全体の帯域幅を向上
  • 3,200MT/秒のDDR4 SDRAMと比べて、メモリ帯域幅が最大2倍に向上
  • 32Gbモノリシックダイをベースとして容量が増加した新型128GB RDIMM
Micron DDR5 MRDIMM

マイクロンの96GBおよび128GB大容量RDIMMでAIの進化を加速

マイクロンが誇る世界トップクラスの大容量RDIMMモジュールは、世界中のAIデータセンターの進化を支えています。業界をリードする、マイクロンの1β(1ベータ)テクノロジーを搭載した128GB DDR5レジスタードメモリは、競合する3DSシリコン貫通電極(TSV)製品と比較して、ビット密度が45%以上向上4し、最大22%のエネルギー効率改善5、さらに最大16%のレイテンシー低減4を実現します。

Micron DDR5 RDIMM 96GBおよび128GBモジュールを並べた図

将来のコンピューティングニーズを支える先進的メモリテクノロジーの開拓

マイクロンは本日、データセンター顧客、クライアント顧客、エコシステムイネーブラー企業を対象に、DDR5メモリにおける1γ(1ガンマ)DRAMノードのサンプルを業界で初めて世に送り出すことを発表しました。

DDR5 RDIMMコンポーネント

Micron DDR5 SDRAM:プロセッサーコア数の増加に対応するスケーラブルメモリ

大規模データセットからインサイトを迅速かつ効率的に引き出すために必要なメモリ帯域幅を提供し、最新のワークロードのパフォーマンス向上に貢献します。

Mixed race technician using digital tablet in server room

DDR5向け技術支援プログラム

DDR5向け技術支援プログラム(TEP)では、次世代コンピューティングプラットフォームの設計、開発、導入に役立つ技術情報やサポート、電気モデル、熱モデル、メモリ製品にいち早くアクセスできます。

抽象的なネオンライトがデジタルテクノロジーのトンネルの中へ。ネットワーク、ビッグデータ、データセンター、サーバー、インターネット、スピードをイメージして、線で表現された未来のテクノロジーの抽象的背景 3D画像

DDR5の特長


詳細


Micron DDR5:次世代のIntelサーバープラットフォーム向けメモリテクノロジー

Intelは、第4世代Intel® Xeon®スケーラブルプロセッサーを搭載した最新世代のサーバーを発表しました。Dell PowerEdge 760プラットフォーム上で、Micron DDR5は前世代と比べてSPECjbbパフォーマンスが48%向上しました3

暗いサーバールーム内のデータセンターストレージを描いた3Dレンダリング

DDR5への移行のメリット

さらに進化を遂げた次世代型DRAMであるDDR5は、さまざまな新機能を搭載し、RAS(信頼性、可用性、保守性)の向上、省電力化、飛躍的な性能強化を実現しています。DDR4とDDR5の主な機能の違いについては、以下をご覧ください。

 

機能/オプションDDR4DDR5DDR5のメリット 
データレート 600~3,200MT/秒4,800~8,800MT/秒 パフォーマンスと帯域幅の向上 
VDD/VDDQ/VPP 1.2/1.2/2.5  1.1/1.1/1.8消費電力の低減 
内部VREFVREFDQVREFDQ、VREFCA、VREFCS電圧マージンの向上と部品コストの削減 
デバイス密度 2Gb~16Gb 16Gb、24Gb、32Gbより大容量のモノリシックデバイスを実現 
プリフェッチ 8n16n内部コアクロックを低く維持 
DQレシーバーイコライゼーションCTLEDFEDRAM内部で受信されるDQデータアイの開口改善 
デューティサイクル調整(DCA)なしDQおよびDQS送信DQ/DQSピンのシグナリング改善 
内部DQS遅延の監視
なし DQS間隔発振器 環境変化に対する堅牢性の向上 
オンダイ(On-die)ECCなし128b+8b SEC、エラーチェック、スクラブオンチップRASの強化 
CRC書き込み読み取り/書き込み読み取りデータの保護によるシステムRASの強化 
バンクグループ(BG)/バンク 
4BG×4バンク(x4/x8)
2BG×4バンク(x16)
8BG×4バンク(16~64Gb、x4/x8)
4BG×4バンク(16~64Gb、x16)
帯域幅とパフォーマンスの向上 
コマンド/アドレスインターフェースODT、CKE、ACT、RAS、CAS、WE、A<X:0>CA<13:0>CAピン数の大幅削減 
ODTDQ、DQS、DM/DBIDQ、DQS、DM、CAバス シグナルインテグリティの向上と部品コストの削減 
バースト長BL8(およびBC4)BL16(およびBC8 OTF)1つのDIMMサブチャネルのみで64Bキャッシュラインフェッチが可能 
MIR(「ミラー」ピン)なしはい DIMMシグナリングの改善 
バスインバージョン データバスインバージョン(DBI)コマンド/アドレスインバージョン(CAI)VDDQノイズの低減 
CAトレーニング、CSトレーニングなしCAトレーニング、CSトレーニングCAピンおよびCSピンのタイミングマージンの改善 
書き込みレベリング用トレーニングモードはい改善済みDQ-DQSパスの不整合補正 
読み出しトレーニングパターンMPRで実現可能シリアル(ユーザー定義)、クロック、およびLFSR生成トレーニングパターン専用のMR読み取りタイミングマージンの強化 
モードレジスター7×17ビット最大256×8ビット(LPDDRタイプの読み出し/書き込み)拡張余地の確保 
PRECHARGEコマンドオールバンクおよびバンク単位オールバンク、バンク単位、および同一バンクPREsbによる各BG内バンクのプリチャージ 
REFRESHコマンド オールバンクオールバンクおよび同一バンクREFsbによる各BG内バンクのリフレッシュ 
ループバックモードなしはいDQおよびDQSシグナリングのテストが可能  

マイクロンのDDR5エコシステムパートナー

マイクロンは、厳選されたエコシステムパートナーと緊密に連携し、次世代のストレージおよびメモリプロトコルへの早期アクセスを提供しています。詳しく見る

1.  マイクロンはAMDと連携し、次世代のデータセンターパフォーマンスを実現します。

2.  マイクロンは次世代のサーバープラットフォームを提供するためIntelと提携しています。

注目のリソース

よくある質問

DDR5 RAMは、第5世代のダブルデータレート(DDR)ランダムアクセスメモリ(RAM)技術です。RAMはシステムメモリを指す一般的な呼称ですが、すべてのDDR5メモリはダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)技術に基づいています。DRAMは、コンデンサーとトランジスターで構成されたメモリセルにデータを保存し、システム動作中に高速なデータアクセスを行えるよう設計されています。「DDR」とは、クロック信号の立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの両方でデータを転送できることを指し、これによりデータスループットが向上します。

いいえ。DDR5メモリとDDR4マザーボードには、物理的にも電気的にも互換性がありません。DDR5 RAMはDDR5対応マザーボードにしか取り付けられず、DDR4 RAMはDDR4対応マザーボードにしか取り付けられません。

どちらも使われます。マイクロンでは、メモリの転送速度を表す際に、メガトランスファー/秒(MT/s)という単位を使用しています。一方、メモリの実際のクロック速度について説明するときはメガヘルツ(MHz)を使用するのが適切です。DDR5 RAMを含むすべてのDDRメモリテクノロジーは「ダブルデータレート」であるため、転送はクロック信号の立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの両方で行われます。

簡単に言えば、一般的にはいずれもほぼ同じ意味で使われます。RAM(ランダムアクセスメモリ)は、コンピューターの主記憶装置を指す総称です。DRAM(ダイナミックRAM、「ディーラム」と発音)はRAMの一種で、パーソナルコンピューターやサーバーで最も一般的に使用されています。SDRAM(同期型DRAM)は、1990年代に初めて広く商用化された革新的なタイミング技術を指し、現在ではあらゆるDRAMに広く普及しています。SDRAMはシステムクロックと同期して動作するため、より高速で効率的なパフォーマンスを実現します。
 

DDR5メモリはDDR5 SDRAMです。メモリは一般に「DRAM」または単に「RAM」と呼ばれますが、マイクロンが販売する最新のサーバー用メモリはすべて、高いパフォーマンスと信頼性を実現する先進的なSDRAM技術に基づいています。

DDR5 RAMには、DDR4に比べて重要な改善点がいくつかあり、特に最新のデータ集約型ワークロードにおいてその効果が際立ちます。DDR5は、より高い帯域幅と高速のデータ転送速度を実現し、AI、機械学習、高度な分析、高性能コンピューティングなどのアプリケーションで、より優れたパフォーマンスを発揮します。また、モジュールあたりのメモリ容量も増加しており、システムをより効率的に拡張できます。
 

さらにDDR5は、モジュール上の電力管理機能によって全体の消費電力を抑えながら、より安定したパフォーマンスを実現できるよう、電力効率の向上を重視して設計されています。DIMMごとに2つの独立したチャネルを備えるなどの機能強化により、DDR4と比べてデータ処理能力やマルチタスク性能も向上しています。
 

詳細および両者の違いの概要については、DDR5とDDR4の比較評価をご覧ください。

はい。データセンターがAIトレーニングで使用されるより複雑なアルゴリズムに対応していく中で、DDR5サーバー用RAMは、次の点でDDR4より優れています。
 

  • Micron DDR5サーバー用DRAMは、DDR4のほぼ2倍のパフォーマンスを実現します。DDR5はDDR4と異なり、サーバーやワークステーションのパフォーマンスを85%以上向上できるよう最適化されています。2014年に初めて登場したDDR4は、もはやデータセンターの要求に十分応えられなくなっています。単一のプラットフォーム上で同時稼働する仮想マシンの数が増える中、DDR5技術によりコアあたりのメモリ帯域幅不足を緩和し、仮想化アプリケーションのパフォーマンスと応答性を向上できます。
  • マイクロンは、モジュール上に電源管理用集積回路(PMIC)を搭載したDDR5サーバー用メモリを提供しています。この設計により、システムスロットの一部を空けた構成では、DDR5サーバーの電力コスト全体を抑えやすくなります。
  • マイクロンのDDR5サーバー用メモリは、DDR4と比べて、より高い帯域幅と、向上した信頼性、可用性、拡張性を実現します。ミッションクリティカルなサーバー基準に基づき、コンポーネントおよびモジュールレベルで100%テストを実施しており、現在および将来のIntel®およびAMD®のDDR5サーバー/ワークステーションプラットフォーム向けに最適化されています。メモリ業界の3大メーカーの1社であるマイクロンは、自社のDDR5サーバー用メモリが主要なDDR5サーバープラットフォームすべてで動作することをテストし、検証しています。

DDR5メモリは1.1Vで動作するのに対し、DDR4は1.2Vで動作するため、大規模導入時にはビットあたりの消費電力を大きく削減できます。

マイクロンは、次世代メモリテクノロジーの実現に向けて、CPUおよびプラットフォーム開発をリードする業界各社や、主要なシステム/マザーボードメーカーと緊密に連携しています。マイクロンは、サーバー向けの高品質なメモリ製品を設計から製造まで一貫して手掛けるという経験と専門知識を持つ、実績ある業界リーダーです。

1.  STREAMベンチマークテスト:マイクロンオースティンのラボで実施したテスト結果によると、シングルソケットの第3世代AMD EPYC CPU 7763(64コア)とMicron DDR4 3200MHzメモリを搭載したシステムは189GB/秒、シングルソケットの第4世代AMD EPYC CPU 9654(96コア)とMicron DDR5 4800MHzメモリを搭載したシステムは378GB/秒のパフォーマンスを発揮します。
2.  現在、エコシステムパートナー向けにサンプルを提供中です。
3.  https://www.dell.com/en-us/blog/leading-sap-hana-performance-by-dell-poweredge-r760-servers/
4.競合他社のデータシートと電子デバイス技術合同協議会の仕様に基づいています。
5. マイクロンの5,600MT/秒128GB DDR5 RDIMMメモリは、SK Hynixの5,600MT/秒3DS TSV製品と比較して、電力効率が22.2%優れています。

 

デザインツール

マイクロンのデザインツールとリソースにアクセスして、設計プロセスを支援する高性能ソリューションをテスト、構築、保守できます。

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